Испытание отдельных полупроводниковых приборов (G01R31/26)
G01R31/26 Испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)(940)
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для оперативного выявления локальных микродефектов в полевых транзисторах Шоттки и ИС СВЧ на их основе, изготовленных на полупроводниковых материалах AIIIBV.
Изобретение относится к области контроля биполярных транзисторов. Система диагностики затвора биполярного транзистора с изолированным затвором включает систему формирования импульсов, выполненную для формирования входного сигнала устройства ввода сигнала и вывода первого сигнала прямоугольной формы высокого уровня и второго сигнала прямоугольной формы низкого уровня, когда входной сигнал находится на высоком уровне; и вывода первого сигнала прямоугольной формы низкого уровня и второго сигнала прямоугольной формы высокого уровня, когда входной сигнал находится на низком уровне; систему сравнения, включающую первый триод, второй триод, первый компаратор и второй компаратор, при этом первый триод использован для включения, когда первый сигнал прямоугольной формы находится на высоком уровне, первый компаратор соединен с первым триодом и выполнен для сравнения первого предварительно заданного напряжения с напряжением затвора биполярного транзистора с изолированным затвором, когда первый триод включен и когда первое предварительно заданное напряжение больше, чем напряжение затвора биполярного транзистора с изолированным затвором, и вывода низкого уровня; второй триод использован для включения второго сигнала прямоугольной формы второй компаратор, соединенный со вторым триодом и выполненный для сравнения второго предварительно заданного напряжения с напряжением затвора биполярного транзистора с изолированным затвором, когда второй триод включен и, когда второе предварительно заданное напряжение меньше, чем напряжение затвора биполярного транзистора с изолированным затвором, вывода низкого уровня, и систему вывода сигнала о неисправности затвора, когда система сравнения выводит низкий уровень.
Изобретение относится к области электротехники и может найти применение в устройствах для измерений параметров силовых полупроводниковых приборов. Технический результат заключается в возможности формирования импульсов высокого напряжения с формой, близкой к идеальной синусоиде, с плавной регулировкой и высокой точностью задания амплитуды, что повышает точность определения класса силовых полупроводниковых приборов.
Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых изделий (ППИ). Предложен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус и тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводникового изделия, отличающийся тем, что с целью расширения функциональных возможностей и уменьшения погрешности измерения длительность tи импульса греющей мощности устанавливают равным 3, где - приблизительное (оценочное) значение тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводникового изделия, дополнительно измеряют приращения температуры перехода в моменты времени t1≈ и t2=2t1, значение теплового сопротивления переход-корпус и уточненное значение тепловой постоянной времени переход-корпус.
Изобретение относится к испытаниям интегральных схем (ИС) и может быть использовано для определения стойкости партий ИС к электростатическому разряду (ЭСР) при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: проводят механические испытания ИС, допустимые по техническим условиям, путем многократных ударов на выводы ИС.
Изобретение относится к технике контроля тепловых характеристик светодиодов и может быть использовано для контроля качества монтажа кристаллов светодиодов на монтажную пластину, в том числе светодиодов в составе светодиодных матриц и модулей.
Изобретение относится к устройствам для электрических испытаний полупроводниковых приборов. Способ компоновки модулей в измерительном устройстве заключается в том, что компонуемые измерительные модули, имеющие торцевую ламель для подключения к ламельному соединителю шины объединительной платы и ламель на одной из боковых сторон платы измерительного модуля для подключения к аналоговой шине платы контактирующего устройства, вдвигаются вдоль направляющей параллельно друг другу до защелкивания в ламельном разъеме объединительной платы.
Изобретение относится к средствам управления обмотками реле железнодорожной автоматики. Техническое решение представляет собой модуль управления обмотками реле железнодорожной автоматики, выполненный с возможностью безопасного определения положения контактов реле с использованием кодированного сигнала внешнего управляющего модуля и безопасного управления обмотками реле, содержащий компараторы для контроля целостности обмотки управляемых реле, при этом модуль снабжён четырьмя гальванически развязанными преобразователями входного постоянного напряжения в выходное постоянное напряжение с возможностью управления четырьмя безопасными компараторами, причем безопасные компараторы выполнены с возможностью получения управляющего сигнала через адресный декодер и кодер контрольного слова.
Изобретение относится к устройствам для электрических испытаний полупроводниковых приборов. Технический результат заявленного изобретения заключается в обеспечении возможности тестировать устройства высокого тока и напряжения.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к испытаниям радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию импульсного гамма-излучения. Технический результат заключается в учете влияния на выходное напряжение источника вторичного электрического питания (ИВЭП) возрастающих токов потребления подключенных блоков радиоэлектронной аппаратуры при воздействии импульсного гамма-излучения.
Изобретение относится к технике измерения параметров полупроводниковых светоизлучающих гетероструктур и светодиодов на их основе и может быть использовано для контроля качества светодиодов на основе GaN и их разделения по уровню энергетической эффективности.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых транзисторов, и может быть использовано для сравнительной оценки качества и надежности партий транзисторов одного типа как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Изобретение относится к области испытаний электрических устройств в силовой электронике. Система тестирования тиристорного вентиля на основе взаимодействия логических функций программного обеспечения, при этом система тестирования содержит: тестируемый тиристорный вентиль (5), VBE (3) и тестирующее устройство (4), и VBE (3) имеет специальный режим тестирования, при этом тестирующее устройство (4) обеспечивает три этапа для каждого элемента тестирования.
Изобретение относится к технике измерения динамических характеристик светодиодов и полупроводниковых светоизлучающих структур и может быть использовано для диагностики однородности светоизлучающих гетероструктур (СГС) и их характеристики по динамическим свойствам.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в системах автоматического измерения, управления и аварийной защиты, в состав которых входят измерители температуры на основе термопар.
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности к технике измерения тепловых параметров силовых полупроводниковых приборов (СПП) в корпусном исполнении. Технический результат - обеспечение неразрушающего контроля теплового сопротивления переход- корпус СПП, сокращение времени измерения и в конечном итоге повышение выхода годности изделий в технологическом цикле их серийного производства.
Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа определения деградации фитооблучателя на основе квазимонохроматических светодиодов. Способ заключается в том, фитоблучатели на основе светодиодов с синими и красными кристаллами одновременно в течение выбранного периода времени подвергают воздействию током.
Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров кристаллов бескорпусных полупроводниковых изделий в составе электронных модулей и может быть использовано для контроля качества сборки электронных модулей как на этапах разработки и производства электронных модулей, так и на входном контроле предприятий-потребителей электронных модулей при оценке их температурных запасов.
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для светодиодных систем освещения с регулируемым световым потоком. Заявлен способ прогнозирования срока службы светодиодного источника света в процессе эксплуатации.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий, и может быть использовано для сравнительной оценки качества и надежности партий изделий одного типа как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Изобретение относится к области силовой электроники и предназначено для неразрушающего контроля качества изготовления фототиристоров на соответствие группе по скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и может быть использовано при производстве фототиристоров и эксплуатации.
Изобретение относится к измерительной технике и позволяет контролировать целостность электрических цепей. Согласно изобретению способ автоматизированного измерения сопротивлений с помощью четырехконтактного устройства заключается в том, что контакты располагают последовательно на произвольном расстоянии друг от друга, при помощи ключей двухпроводного мультиплексора проводят восемь коммутаций между контактами 1 и 2, 3 и 4, 1 и 3, 2 и 4 при прямом и обратном токе, измеряют восемь промежуточных значений сопротивления R1, R1обр, R2, R2обр, R3, R3обр, R4, R4обр соответственно и вычисляют значение сопротивления по формуле Rизм = [(R4+R3-R2-R1)+(R4обр+R3обр-R2обр-R1обр)]/4.
Использование: для автоматизированного контроля теплового сопротивления различных диодов, транзисторов, импульсных преобразователей и других полупроводниковых устройств, имеющих с своей структуре р-n переходы.
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для оценки запирающей способности силовых транзисторов, диодов, тиристоров по напряжению как в процессе их производства, так и в условиях эксплуатации.
Изобретение относится к измерительной технике, а именно неразрушающему контролю, и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов после изготовления и монтажа на радиатор охлаждения.
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к неразрушающему контролю, и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов после изготовления и монтажа на радиатор охлаждения.
Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус ZThJC(t) и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия RThJC транзисторов с полевым управлением, в частности биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET) для контроля их качества.
Использование: для разбраковки ИС класса «система на кристалле» по критерию потенциальной надежности. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке ИС класса «система на кристалле» измеряют значения критических напряжений питания (КНП) отдельно для каждого функционального блока ИС при различных температурах (например, при 25°С, 50°С, 75°С и верхней допустимой для ИС данного класса температуре), строят графики усредненных по выборке зависимостей значений КНП от температуры для каждого функционального блока.
Использование: для оценки скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что метод оценки скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниках типа CdS, основанный на зависимости структуры спектра фотопроводимости от величины и знака напряженности электрического поля на поверхности полупроводника, отличается тем, что скорость поверхностной рекомбинации полупроводника определяется по форме спектральной кривой фототока в области экситонных резонансов.
Изобретение относится к области технической диагностики и может быть использовано для автоматизированного бесконтактного диагностирования технического состояния радиоэлектронных устройств (РЭУ) различных типов.
Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения температуры активной области светодиода. Способ заключается в том, что через светодиод пропускают греющий ток заданной величины, излучение светодиода подается на два фотоприемника и температуру активной области светодиода определяют по изменению центральной длины волны излучения.
Изобретение относится к электролюминесцентному устройству (20) со светоизлучающим элементом (21), имеющим емкость, переключаемым источником (22) тока, соединенным со светоизлучающим элементом, для подачи тока возбуждения на светоизлучающий элемент и схемой (23) обнаружения короткого замыкания для обнаружения короткого замыкания в светоизлучающем элементе.
Предлагаемое устройство относится к области контроля кабелей и предназначено для прозвонки и определения правильности монтажа кабелей, монтируемых на производстве или проложенных на объектах. Изобретение дополнено вторым n-канальным коммутатором, при этом к первым входам второго n-канального коммутатора подключены n контактов второго концевого устройства, ко второму его входу подключен третий выход узла выбора каналов, выход второго n-канального коммутатора подключен ко второму входу определителя номера жилы, а второй выход определителя номера жилы подключен к входу узла выбора каналов.
Изобретение относится к обнаружению короткозамкнутого диода в мостовом выпрямителе. Сущность: способ включает определение междуфазного напряжения (Vab, Vbc, Vca) между двумя фазными входами (20) мостового выпрямителя (16), причем фазный вход (20) обеспечен между двумя последовательно соединенными диодами (26) соответствующей фазы, и индикацию неисправности в виде короткозамкнутого диода посредством определения, является ли междуфазное напряжение равным нулю дольше, чем время переключения мостового выпрямителя (16).
Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов силовой электроники и может быть использовано для экспресс-оценки тепловой инерционности прибора, его теплового сопротивления и контроля качества.
Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля их качества. Технический результат – повышение точности.
Использование: для измерения тепловых параметров силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении. Сущность изобретения заключается в том, что способ автоматизированного определения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении для повышения быстродействия измерений и обеспечения стопроцентного контроля теплового сопротивления у всех СПП, подключают каждый СПП под номинальные напряжение, ток и частоту коммутации кратковременно на время, равное 0,02…0,05 постоянной времени теплового процесса прибора t=0,02…0,05 τ, затем отключают, измеряют термочувствительный параметр и сравнивают его с эталонным.
Изобретение относится к физике полупроводников. Его применение при определении параметров каскадно возбуждаемых ловушек носителей зарядов в полупроводнике позволяет исследовать каскадно возбуждаемый тип ловушек в более широком классе полупроводниковых материалов, начиная с кристаллических и заканчивая органическими полупроводниками и нанокристаллами, и обеспечивает расширенные функциональные возможности за счет определения не только характеристик ловушек, но и энергетической плотности их состояний.
Изобретение относится к метрологии. Способ тестирования испытуемого устройства характеризуется тем, что соединяют первый модуль источника/измерителя с первым набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей и выводом заземления.
Предложенная группа изобретений относится к системе для контроля рабочего состояния IGBT-устройства в реальном времени. Система для определения температуры полупроводникового перехода IGBT-устройства содержит дифференцирующий блок (21) для приема характеристики напряжения (VGE) затвор-эмиттер IGBT-устройства (12), которая должна быть измерена, и для дифференцирования характеристики напряжения (VGE) затвор-эмиттер, чтобы получать импульсы, коррелирующие с фронтами, сформированными фазой участка заряда емкости Миллера во время фазы выключения IGBT-устройства (12); блок (23) таймера для измерения временной задержки (tdelay) между полученными импульсами, указывающими начало и конец фазы участка заряда емкости Миллера во время фазы выключения IGBT-устройства (12); блок (25) вычисления температуры полупроводникового перехода для определения температуры полупроводникового перехода IGBT-устройства (12) на основе измеренной временной задержки (tdelay).
Использование: для контроля тепловых характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что разогревают полупроводниковое изделие путем подачи на вход (на определенные выводы) полупроводникового изделия, подключенного к источнику питания, последовательности прямоугольных импульсов напряжения заданной амплитуды и длительности с частотой следования , измеряют среднюю за период следования прямоугольных импульсов напряжения мощность Pпот, потребляемую полупроводниковым изделием, разность фаз между входным импульсным напряжением и импульсным напряжением на выходе (на выходных выводах) полупроводникового изделия преобразуют в напряжение Uτ(t), в заданные моменты времени ti значения напряжения Uτ(t) запоминают и значения переходной тепловой характеристики полупроводникового изделия в моменты времени ti определяют по формуле,где Kτ - относительный температурный коэффициент времени задержки сигнала в полупроводниковом изделии, а Uτ(0) - значение напряжения Uτ(t) в начале нагрева полупроводникового изделия, то есть при t0≈0.
Использование: для измерения теплофизических параметров полупроводниковых диодов. Сущность изобретения заключается в том, что способ заключается в предварительном определении ватт-амперной характеристики объекта измерения - полупроводникового диода, пропускании через диод последовательности импульсов греющего тока с постоянным периодом следования и изменяющейся амплитудой, обеспечивающей гармонический закон модуляции греющей мощности, измерении в паузах между импульсами прямого напряжения на диоде при малом измерительном токе и определении изменения температуры p-n перехода, вычислении с помощью Фурье-преобразования амплитуды и фазы основной гармоники переменной составляющей температуры перехода и определении модуля и фазы теплового импеданса полупроводникового диода.
Изобретение относится к электрофизическим способам определения степени релаксации барьерного слоя нитридной гетероструктуры и применяется для оценки качества кристаллической структуры, в которой наблюдается пьезоэлектрическая поляризация.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для тестирования качества полупроводниковых приборов, в частности светодиодов, с целью выявления в них дефектов, обусловленных дефектностью структуры, качеством монтажа, неравномерностью растекания тока и другими факторами.
Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества. Способ согласно изобретению основан на использовании эффекта увеличения крутизны зависимости напряжения на эмиттерном переходе мощного биполярного транзистора при постоянном эмиттерном токе от коллекторного напряжения при приближении коллекторного напряжения к значению напряжения локализации тока.
Изобретение относится к оптоэлектронной измерительной технике и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых светоизлучающих диодов на различных этапах их разработки и производства, на входном контроле предприятий-производителей светотехнических изделий с использованием светодиодов, а также при выборе режимов эксплуатации указанных изделий.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для измерения тепловых параметров силовых полупроводниковых приборов и контроля их качества. Способ оценки теплового параметра силовых полупроводниковых приборов включает измерение параметра силового полупроводникового прибора в процессе его нагрева большим током.
Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам измерения параметров наноструктур, и может быть использовано при определении электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки.
Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники. Использование: для термотренировки тонких пленок, нанесенных на диэлектрическую основу.
Изобретение относится к области инновационных технологий и может быть использовано для определения параметров кристаллов силленитов, определяющих эффективность перспективных технических систем, и их экспресс-характеризации методами диэлектрической спектроскопии.