Интегральных схем (G01R31/303)
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю полупроводниковых интегральных схем (ИС). Сущность: на каждую ИС из репрезентативных выборок из каждой сравниваемой партии воздействуют электростатическими разрядами (ЭСР) разной полярности напряжением, равным удвоенному от допустимого по ТУ для данного типа ИС значения до наступления отказа ИС.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем, и может быть использовано как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для обеспечения качества и надежности сверхбольших интегральных схем (СБИС). Сущность: измеряют критическое напряжение питания при нормальной и повышенной температуре.
Изобретение относится к повышению надежности и качества функционирования партии полупроводниковых монолитных и гибридных интегральных схем (ИС). Сущность: ИС подвергают искусственному старению, в результате которого происходит деградация параметров материалов и структуры ИС и изменение их информативных параметров.
Изобретение относится к области исследования радиационной стойкости полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем, и в большей степени интегральных микросхем (ИМС) с последовательной и комбинационной обработкой логических сигналов.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для повышения качества электротермотренировки интегральных микросхем. Технический результат: повышение надежности микросхем.
Изобретение относится к области испытания объектов электронной техники, в частности предназначено для отбраковки образцов интегральных микросхем с аномально низкой радиационной стойкостью и надежностью.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для выделения из партии интегральных схем (ИС) схемы повышенной надежности. .
Изобретение относится к электронной технике. .
Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано при производстве и контроле интегральных схем с диодной изоляцией в процессе испытаний на виброустойчивость и воздействие акустических шумов.
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для неразрушающего контроля качества объемных интегральных схем. .
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в составе автоматизированных измерительных комплексов для контроля параметров интегральных микросхем. .
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для диагностического контроля и отбраковки предрасположенных к коррозии интегральных микросхем. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике в микроэлектронике и предназначено для отбраковки запоминающих устройств, имеющих дефектные ячейки памяти. .
Изобретение относится к контрольно-испытательной технике и может быть использовано для функционального контроля больших интегральных схем, имеющих выходы с третьим состоянием. .
Изобретение относится к электронике и может быть использовано при настройке гибридных интегральных микросхем (ГИМС). .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано при производстве и контроле твердотельных интегральных схем с изолирующими диодами. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю в производстве интегральных микросхем. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля электрических /статических и динамических/ параметров и функционирования цифровых логических БИС, в частности схем с эмиттерно-связанной логикой.
Изобретение относится к технике контроля качества и надежности радиоэлементов, интегральных микросхем, электронных устройств и блоков и может быть использовано для контроля их статических параметров и функционального контроля.
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля контактирования выводов интегральных схем. .
Изобретение относится к области контроля изделий электронной техники. .
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при контроле теплового сопротивления . .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть применено для автоматизированного контроля интегральных схем. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и позволяет расширить функциональные возможности устройства. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в автоматизированных устройствах контроля интегральных схем. .
Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может быть использовано при проектировании самоконтролируемых больших интегральных схем (БИС) для цифровых вычислительных машин и систем. .
Изобретение относится к контролю интегральных схем. .
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в автоматизированных системах контроля больших интегральных схем (БИС). .
Изобретение относится к контрольно-испытательной технике и может быть использовано при контроле скрытых дефектов многокаскадных линейных интегральных схем по импульсным шумам. .
Изобретение относится к электронной технике. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для койтроля больших интегральных схем (БИС). .
Изобретение относится к области вычислительной техники. .
Изобретение относится к области вычис-пительной техники и может быть использовано при разработке интегральных микросхем в качестве . .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в системах контроля электрических параметров интегральных микросхем. .
Изобретение относится к технической диагностике. .
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. .
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности, к сред ствам контроля и диагностики неисправностей цифровых объектов. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. .