Транзисторов (G11C11/40)
G Физика(403185)
G11 Накопление информации(18772)
G11C Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17)
(8290)
G11C11/40 Транзисторов(553)
Изобретение относится к области запоминающих устройств статического типа. Технический результат заключается в снижении энергопотребления схемы.
Ячейка памяти статического оперативного запоминающего устройства с радиоактивным источником питания // 2777553
Изобретение относится к наноэлектронике и служит для создания энергонезависимого статического оперативного запоминающего устройства с произвольной выборкой информации. Техническим результатом является уменьшение энергопотребления и повышение степени интеграции.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении устойчивости к одиночным сбоям.
Порт чтения // 2693331
Изобретение относится к устройствам цифровой вычислительной техники и может быть использовано в качестве базового элемента при построении многопортовых запоминающих устройств. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей порта за счет его использования при построении многопортовых запоминающих устройств.
Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого элемента памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с повышенной стойкостью к внешним радиационным факторам.
Способ управления электропитанием, устройство для разветвителя питания и разветвитель питания // 2688759
Изобретение относится к способу управления электропитанием, устройству для разветвителя питания и разветвителю питания. Технический результат - изобретение обеспечивает гибкое управление состоянием питания розетки разветвителя питания, так что может быть предотвращена избыточная зарядка электронного устройства, а также может быть предотвращена подача электроэнергии в электронное устройство, не требующее подачи электроэнергии, что не только обеспечивает экономию электроэнергии, но также предохраняет электронное устройство.
Ячейка оперативного запоминающего устройства // 2688242
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении диапазона выходного напряжения ячейки до уровня питающего напряжения при сохранении повышенной сбоеустойчивости.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого элемента памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах, выполненных по технологии объемного кремния, с повышенной стойкостью к внешним радиационным факторам.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении возможности для информации обновления быть конфигурируемой для каждой единицы обновления в динамическом оперативном запоминающем устройстве (DRAM).
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении диапазона выходного напряжения ячейки до уровня питающего напряжения при сохранении повышенной сбоеустойчивости, увеличении нагрузочной способности ячейки и напряжения выходного сигнала.
Группа изобретений относится к запоминающим устройствам и может быть использована для обновления ячеек памяти. Техническим результатом является повышение надежности перекрестной энергонезависимой памяти.
Обучение чтению контроллера памяти // 2643664
Группа изобретений относится к вычислительной технике и может быть использована для обучения чтению контроллера памяти. Техническим результатом является повышение эффективности обучения чтению.
Группа изобретений относится к запоминающим устройствам. Техническим результатом является увеличение скорости передачи данных и полосы пропускания системной памяти.
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в блоках статических КМОП ОЗУ. Техническим результатом является повышение надежности чтения данных из ячеек памяти при воздействии одиночной ядерной частицы в режиме, когда ячейка памяти на основе двух групп транзисторов временно находится в нестационарном состоянии.
Ячейка статической оперативной памяти // 2573226
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении отказоустойчивости относительно необратимых отказов транзисторов.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении сбоеустойчивости к воздействию одиночных ядерных частиц без избыточного увеличения площади, занимаемой одной ячейкой памяти на кристалле в составе интегрального КМОП ОЗУ.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности, отказоустойчивости и сбоеустойчивости оперативного запоминающего устройства (ОЗУ).
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Способ регенерации и защиты от сбоев динамической памяти и устройство для его осуществления // 2477880
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Ячейка памяти для быстродействующего эсппзу с управляемым потенциалом подзатворной области // 2465659
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к электронной памяти. .
Изобретение относится к полупроводниковому устройству, которое включает в себя транзисторы одного типа электропроводности. .
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Изобретение относится к электронной технике. .
Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к псевдодвухпортовой памяти. .
Изобретение относится к области микро-наноэлектроники и может быть использовано при создании динамических запоминающих устройств, двухмерных управляющих матриц для жидкокристаллических дисплеев, скоростных и высокоточных сканеров, двухмерных сенсоров, линий задержки и т.д.
Двухпортовая ячейка оперативной памяти // 2391721
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для реализации оперативной памяти в микропроцессорных системах. .
Изобретение относится к способу и устройству для динамического хранения критических данных игровой машины путем распределения и освобождения области памяти в игровой машине. .
Запоминающее устройство и ведущее устройство // 2348992
Изобретение относится к запоминающему устройству и к ведущему устройству, использующему это запоминающее устройство. .
Способ и устройство для неявной предварительной зарядки динамической оперативной памяти (dram) // 2331118
Изобретение относится к устройству и способу неявной предварительной зарядки динамической оперативной памяти. .
Изобретение относится к области обработки цифровых данных, в частности, к обработке данных в полупроводниковых запоминающих устройствах (памяти) и к архитектуре памяти, в частности, к устройствам оперативной памяти (RAM), динамической памяти (DRAM), кэш-памяти и т.п.
Неразрушающее считывание // 2263359
Изобретение относится к способу определения логического состояния выбранных ячеек памяти, имеющихся в запоминающем устройстве с матричной адресацией. .
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2249262
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и полупроводниковому элементу памяти. .
Изобретение относится к режиму стирания в матрице флэш-памяти. .
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Изобретение относится к наноэлектронике. .
Динамическое запоминающее устройство радиосигналов с бинарной волоконно-оптической структурой // 2210121
Изобретение относится к технике формирования и обработки радиосигналов. .
Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние. .
Запоминающая ячейка статического зупв // 2188465
Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ. .
Изобретение относится к электронной технике. .
Изобретение относится к устройству полупроводниковой памяти. .
Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру.
Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. .
Динамическая ячейка памяти // 2147772
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения.
Накопитель запоминающего устройства // 2106022
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур.
Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда.
Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в интегральных микросхемах оперативных запоминающих устройств, Задачей изобретения является достижение конструктивной обусловленности длительности формируемых импульсов записи реальными процессами переключения элементов памяти и распространения сигналов в тракте записи информации запоминающего устройства.
Постоянное запоминающее устройство // 2089943
Изобретение относится к интегральным полупроводниковым схемам типа базовой пластины, содержащим ячейки памяти, расположенные рядами и колонками и предназначенные только для чтения. .
