Охлаждение (H01F6/04)
H Электричество(232322)
H01F Магниты; индуктивности; трансформаторы; выбор материалов, обеспечивающих магнитные свойства (керамические составы на основе ферритов C04B35/26; сплавы C22C; термомагнитные приборы H01L37; громкоговорители, микрофоны, адаптеры или подобные акустические электромеханические преобразователи H04R)
(7171)
H01F6/04 Охлаждение(13)
Изобретение относится к материалу для аккумуляции холода, имеющему вид зернистого тела, образованного из интерметаллического соединения, где структура типа ThCr2Si2 занимает не менее 80% объема зернистого тела, а размер кристаллитов зернистого тела составляет не более 70 нм, и в структуре типа ThCr2Si2 узел Th кристаллической решетки представляет собой по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, включающей La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc и Y, узел Si представляет собой по меньшей мере один элемент из Si и Ge, и узел Cr представляет собой по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, включающей Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ir и Pt.
Источник питания криогенного магнита // 2752263
Изобретение относится к области электротехники, а именно к источникам питания для сверхпроводящих магнитов. Технический результат заключается в уменьшении размера токовводов, сложности и утечки тепла в криогенное окружение магнита.
Генератор магнитного поля // 2749666
Изобретение относится к электротехнике, к генераторам магнитного поля с использованием магнитов на основе высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения, и может найти применение в устройствах, для функционирования которых необходимо магнитное поле, например в магнитоплазменных ракетных двигателях, плазмотронах, устройствах для магнитно-резонансной томографии, циклотронах для получения медицинских изотопов и др.
Изобретение относится к электротехнике. Технический результат состоит в повышении термической буферизации при криогенных температурах.
Криостат сверхпроводящего трансформатора // 2604635
Изобретение относится к электротехнике, к трехфазным силовым трансформаторам с обмотками из высокотемпературных сверхпроводников. Технический результат состоит в повышении к.п.д.
Использование: для криостатирования сверхпроводящей обмотки индукционного накопителя. Сущность изобретения заключается в том, что способ криостатирования и запитки сверхпроводящей обмотки индукционного накопителя включает режим захолаживания, ввод тока в сверхпроводящую обмотку и удержание магнитного поля, где захолаживание сверхпроводящей обмотки индукционного накопителя осуществляют за счет принудительного протока жидкого гелия, а ввод тока и удержание магнитного поля обеспечивают с помощью сверхпроводящего преобразователя тока, который располагают между накопительной емкостью с жидким гелием и сверхпроводящей обмоткой индукционного накопителя, при этом накопительную емкость с жидким гелием, сверхпроводящий преобразователь тока и сверхпроводящую обмотку индукционного накопителя располагают в разных криостатах и соединяют между собой при помощи коаксиальных каналов, внутри которых располагают гелиевые магистрали и токоподводы.
Изобретение относится к электротехнике. Технический результат состоит в упрощении ремонта.
Криостат сверхпроводящего трансформатора // 2593151
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для криостатирования сверхпроводящих обмоток многофазных силовых трансформаторов с плоской магнитной системой. Техническим результатом является повышение КПД за счет сокращения теплопритоков из окружающей среды через внешнюю тепловую изоляцию к криогенной жидкости.
Система охлаждения компонента // 2448313
Криогенная система // 1356974
Изобретение относится к области криогенной электротехники и может быть использовано в качестве сверхпроводящей магнитной системы в физических , исследованиях или в ЯМР-томографии. .
Сверхпроводящий электромагнит // 1122238
Сврерхпроводящая магнитная система // 518092
Электромагнит // 338928
