Источники ионов и ионные пушки (H01J37/08)
H01J37/08 Источники ионов; ионные пушки(66)
Изобретение относится к области ускорительной техники. Технический результат - получение технологической дозы 1019 нуклонов за предельно короткое время (около 25 часов) с возможностью получения четырехзарядных ионов железа.
Изобретение относится к области образования заряженных частиц при атмосферном давлении и может быть использовано в научной деятельности, в медицине, в технологических процессах, во вторичной ионной масс-спектрометрии при атмосферном давлении.
Изобретение относится к области плазменной техники, а именно к ионным системам, и может быть использовано в области ракетно-космической техники при разработке и сборке ионно-оптических систем (ИОС) ионных двигателей, ионных пушек и ионных ускорителей.
Изобретение относится к области образования заряженных частиц при атмосферном давлении и может быть использовано в научной деятельности, в медицине, в технологических процессах, во вторичной ионной масс-спектрометрии при атмосферном давлении, в которых возможно использование протонных пучков, содержащих до 1012 протонов в секунду.
Изобретение относится к плазменной технике. Технический результат - увеличение ресурса, повышение надежности и упрощении конструкции источника ионов за счет исключения сеточных или перфорированных электродов, при этом обеспечивается независимое регулирование плотности тока и энергии ускоренных ионов.
Изобретение относится к области формирования интенсивных пучков ионов с высокой яркостью путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн.
Изобретение относится к области формирования непрерывных сильноточных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн.
Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для формирования пучков (потоков) низкоэнергетических двух- и трехзарядных ионов щелочноземельных и редкоземельных металлов в установках для ионной имплантации и литографии, микрозондового анализа, в ионно-лучевых приборах для модификации поверхности, а также при разработке квантовых компьютеров и атомных часов.
Изобретение относится к области создания непрерывных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Технический результат - повышение тока пучков ионов при сохранении заданного среднего заряда ионов.
Изобретение относится к лазерно-плазменному генератору ионов с активной системой электростатической фокусировки пучка. Генератор включает лазер, световое излучение которого, попадая на мишень, образует плазму, дрейфующую в пролетном канале в сторону ионно-оптической системы (ИОС).
Изобретение относится к области ускорительной техники, в частности к системам подачи газа в сверхзвуковое сопло при формировании пучков ускоренных газовых кластерных ионов. Технический результат - расширение класса рабочих газов, в том числе слабо кластеризуемых, используемых в системах для формирования газовых кластерных ионных пучков.
Изобретение относится к источникам газовых ионов, применяемых в ускорителях заряженных частиц. Дуоплазматронный источник газовых ионов состоит из соосно расположенных: катода, промежуточного электрода с отверстием и анода с отверстием эмиссии.
Изобретение относится к области ускорительной техники. Импульсный источник ионов гелия с холодными катодом и антикатодом состоит из соленоидальной катушки, надетой на немагнитную вакуумную камеру, внутри которой помещены катодный магнитный полюс с центральным углублением, катод из нержавеющей стали в виде плоского диска с центральным углублением в виде стакана, примыкающий к катодному магнитному полюсу, кольцевой анодный изолятор, анод в виде пустотелого цилиндра с кольцевой перемычкой в середине, выполненный из нержавеющей стали, антикатод в виде диска, выполненный из нержавеющей стали, по оси которого выполнено углубление с отверстием эмиссии в центре, своей выступающей частью вставленный в отверстие антикатодного магнитного полюса.
Изобретение относится к области ионно-плазменного распыления, в частности к ионно-лучевому распылению мишеней для получения тонкопленочных проводящих, полупроводниковых и диэлектрических покрытий на движущихся или вращающихся подложках большой площади.
Изобретение относится к источникам ионов, предназначенным для ускорителей заряженных частиц. Заявленное изобретение характеризуется подачей на ускоряющий электрод ионно-оптической системы, размещенный между выходом пролетного канала и другим ускоряющим электродом, установленным в системе инжекции на выходе ионно-оптической системы, изменяющегося в процессе экстракции ионов электрического напряжения.
Изобретение относится к генераторам ионов, предназначенным для ускорителей заряженных частиц. .
Изобретение относится к технике получения пучков быстрых нейтральных частиц, в частности пучков нейтральных атомов, радикалов и молекул, и может быть использовано для очистки и полировки поверхностей объектов; для распыления, травления и осаждения тонких пленок различных материалов; для ассистирования процессов нанесения пленок инертными и химически активными частицами.
Изобретение относится к инжекционной технике, применяемой для создания мощных ионных пучков. .
Изобретение относится к технике получения пучков быстрых нейтральных частиц, в частности пучков нейтральных атомов, радикалов и молекул, и может быть использовано для распыления, травления и осаждения тонких пленок различных материалов.
Изобретение относится к области вакуумной электроники и может найти применение в технологических процессах, использующих протонные пучки, а также для сканирующей и просвечивающей протонной микроскопии. .
Изобретение относится к источникам ионов, применяемых в ускорителях заряженных частиц. .
Изобретение относится к источникам ионов, предназначенных для ускорителей заряженных частиц. .
Изобретение относится к источникам ионов, предназначенных для ускорителей заряженных частиц. .
Изобретение относится к плазменной технике, а именно к плазменным источникам, предназначенным для генерации интенсивных ионных пучков. .
Изобретение относится к области приборостроения, в частности к технике создания источников ионов, предназначенных для ускорителей заряженных частиц. .
Изобретение относится к источникам ионов, применяемым на ускорителях заряженных частиц. .
Изобретение относится к источникам заряженных частиц и применяется в области ускорительной техники. .
Изобретение относится к технологии электромагнитного разделения изотопов. .
Изобретение относится к источникам заряженных частиц и применяется в ускорительной технике. .
Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно - к плазменным источникам, предназначенным для генерации интенсивных ионных пучков, и к способам их работы. .
Изобретение относится к технике создания интенсивных ионных потоков и пучков и может быть использовано при определении показателей надежности (ресурса) различных ионных источников, в частности, ионных двигателей.
Изобретение относится к ионно-плазменной технике и может быть использовано для вакуумного нанесения покрытий на изделия из различных материалов, в том числе на длинномерные изделия. .
Изобретение относится к устройствам для получения пучков заряженных частиц, в частности ионов, заряженных кластеров и микрокапель, и может быть использовано для получения с последующим формированием субмикронных ионных пучков, находящих все более широкое применение при микрообработке распылением; микроанализе и растровой ионной микроскопии; прямом безмасочном легировании полупроводников; в ионной литографии, а также для нанесения тонких пленок и покрытий кластерными и микрокапельными пучками.
Изобретение относится к технике получения пучков ускоренных частиц, в том числе к технологии обработки изделий пучком большого сечения ускоренных частиц в вакууме с целью очистки и нагрева изделий для повышения адгезии наносимых покрытий, с целью упрочнения и модификации поверхности имплантацией ускоренных частиц, а также для полировки поверхности и распыления материалов.
Изобретение относится к источникам ионов, может быть использовано в технологических целях для имплантации ионов, электромагнитного разделения изотопов и в других приложениях. .
Изобретение относится к ионно-плазменной технике и может быть использовано для получения ленточных пучков ионов, применяемых для ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого травления материалов, очистки, активации и полировки поверхности деталей, а также для нанесения пленок в вакууме.
Изобретение относится к области масс-спектрометрического анализа. .
Изобретение относится к ионной технологии формирования поверхности оптических деталей. .
Изобретение относится к физики заряженных частиц и может быть использовано как источник частиц при легировании и ионной имплантации полупроводников и других материалов. .
Изобретение относится к устройствам для получения ионных пучков с большим поперечным сечением и может быть использовано для различных технологических операций на базе ионно-лучевой обработки материалов в вакууме.