Нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание (H01L21/20)
H Электричество(232322)
H01L21/20 Нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание(274)
Группа изобретений относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использована при создании функциональных элементов полупроводниковых приборов. Функциональный элемент полупроводникового прибора представляет собой подложку из кремния со сформированной приповерхностной двухслойной карбидокремниевой структурой толщиной (0,5-5) мкм.
Изобретение относится к технологии получения пленок карбида вольфрама на кремниевой подложке. Технический результат - контроль толщины и однородности пленок карбида вольфрама на кремнии на нанометровом уровне посредством контролируемого МСО исходных полимеров.
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано в изделиях оптоэлектроники, работающих в ближней инфракрасной области спектра, лазерной и сенсорной технике.
Изобретение относится к технологии эпитаксии легированных слоёв германия, основанной на сочетании в одной вакуумной камере одновременных осаждения на легированной бором кремниевой подложке германия из германа и диффузии бора в растущий слой германия из приповерхностной области этой подложки, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур.
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур и может быть использовано при производстве кремниевых пластин для изготовления силовых приборов в микроэлектронике. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство для нанесения сверхтолстых слоев поликристаллического кремния, включающее камеру 1, в которой расположен нагреватель 2, на первой поверхности 3 нагревателя 2 установлена пластина-источник кремния 4, при этом в камере 1 расположен держатель подложки 5 и она включает модуль подвода газовой смеси 18 и модуль вывода газовой смеси 19, введен первый экран 6 в виде плоского элемента, сопряженный с держателем подложки 5, в него также введен второй экран 7, выполненный в виде кольца и сопряженный первым торцом 8 с первым экраном 6, а вторым торцом 9 - с нагревателем 2 и пластиной-источником кремния 4, внутри второго экрана 7 расположен держатель подложки 5, причем камера 1 включает кварцевый реактор 13, а держатель подложки 5, первый экран 6 и второй экран 7 представляют собой загрузочную ячейку 10, сопряженную с первой поверхностью 3 нагревателя 2.
Способ изготовления контактных окон с уменьшенным размером для полупроводниковых приборов // 2767484
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, а также уменьшении размеров контактных окон и шины металлической разводки, интегральных схем, многокристальных модулей, в том числе 3D-конструкций.
Изобретение относится к технологии выращивания эпитаксиального 3C-SiC на ориентированном монокристаллическом кремнии. Способ включает предоставление монокристаллической кремниевой подложки 2, имеющей диаметр по меньшей мере 100 мм, в реакторе 7 химического осаждения из газовой фазы с холодными стенками, содержащем кварцевую камеру; нагревание подложки до температуры, равной или большей чем 700°C и равной или меньшей чем 1200°C, с использованием внешних нагревателей 9, которые представляют собой инфракрасные лампы; введение газовой смеси 33 в реактор, тогда как подложка находится при данной температуре, причем газовая смесь содержит прекурсор 16 источника кремния, прекурсор 18 источника углерода, который отличается от прекурсора 16 источника кремния, и несущий газ 20, таким образом, чтобы осадить эпитаксиальный слой 3C-SiC на монокристаллический кремний, при этом прекурсор 16 источника кремния содержит силан или содержащий хлор силан, а прекурсор 18 источника углерода содержит содержащий метил силан.
Способ формирования токосъёмного контакта на поверхности солнечных элементов с гетеропереходом // 2762374
Изобретение относится к толстопленочной микроэлектронике, а именно к технологиям, используемым при производстве солнечных элементов на основе гетероперехода. Технический результат - обеспечение максимальных значений электропараметров солнечных элементов при существенном повышении производительности их изготовления.
Изобретение относится к способу изготовления структурного покрытия на подложке для защиты подложки от короткого замыкания. Первый диэлектрический слой осаждают на подложке путем мокрого осаждения.
Изобретение относится к технологии получения подложки из поликристаллического карбида кремния. Способ состоит из этапов предоставления покрывающих слоев 1b, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид металла, выбранного из группы, состоящей из никеля, кобальта, молибдена и вольфрама, или покрывающих слоев, каждый из которых изготовлен из фосфоросиликатного стекла (PSG) или борофосфоросиликатного стекла (BPSG), имеющего свойства текучести допированного P2O5 или B2O3 и P2O5, на обеих поверхностях основной подложки 1a, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки 1, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность; формирования пленок 10 поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки 1 осаждением из газовой фазы или выращиванием из жидкой фазы; и химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев 1b в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b от поддерживающей подложки 1 в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев 1b на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b, и получения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b в качестве подложек из поликристаллического карбида кремния.
Изобретение относятся к области изготовления электронного устройства и, в частности, к изготовлению устройств на основе материалов III-V групп. Структура интегральной микросхемы включает подложку, включающую монокристаллический кремний, изолирующий слой на подложке, где указанный изолирующий слой содержит кремний и кислород и где в изолирующем слое выполнена канавка, открывающая поверхность монокристаллического кремния подложки, первый буферный слой в канавке и на поверхности монокристаллического кремния подложки, где первый буферный слой содержит индий и фосфор, второй буферный слой в канавке и на первом буферном слое, где второй буферный слой содержит индий, галлий, мышьяк и сурьму, слой канала устройства на втором буферном слое, где слой канала устройства содержит индий, галлий и мышьяк, причем слой канала устройства имеет верх и боковые стенки.
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Способ предназначен для изготовления гетероэпитаксиальных слоев соединений нитридов металлов III группы (III-N), таких как AlN, GaN, AlGaN и других, на монокристаллических подложках кремния.
Способ получения p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкофазной эпитаксии // 2749501
Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений А3В5 методами эпитаксии. Способ включает составление исходной шихты, загрузку галлия, компонентов шихты и подложек GaAs в графитовое ростовое устройство, а затем в реактор; нагрев содержимого реактора в обезвоженной атмосфере с последующим отжигом в такой же атмосфере; осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом; последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, имеющего p-i-n структуру; удаление подложки, покрытой слоем GaAs, имеющим p-i-n структуру, из-под расплава.
Изобретение относится к силовой микроэлектронной технике, а более конкретно, к способам изготовления высоковольтных p-i-n структур из соединений А3В5. Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии осуществляется путем предварительного отжига раствора-расплава исходной шихты и выращивания в едином технологическом цикле многослойной полупроводниковой структуры AlGaAs, сформированной из композиции последовательных эпитаксиальных слоев AlGaAs на подложке GaAs.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении транзисторов на пластине кремний на изоляторе (КНИ) с широкой областью применения. Способ изготовления транзистора с независимым контактом к подложке включает формирование на пластине кремний на изоляторе областей стока, истока, затвора, состоящего из двух слоев поликремния, при этом согласно изобретению независимый контакт к подложке выполняют путем создания сильнолегированной области кремния вне активной области транзистора, которую соединяют с транзистором посредством дополнительной легированной области кремния.
Изобретение относится к получению тонких пленок ферромагнитного полупроводника монооксида европия (EuO) на кремниевой подложке с получением эпитаксиальной гетероструктуры EuO/Si, при этом упомянутые тонкие пленки могут быть использованы в устройствах спинтроники.
Настоящее изобретение относится к технологии полупроводников, в частности к устройствам и способам для получения эпитаксиальных структур, в том числе гетероэпитаксиальных структур. Представлены устройство и способ для охлаждения эпитаксиальных структур.
Способ получения последовательности pv-слоев и последовательность pv-слоев, полученная этим способом // 2732867
Использование: для получения электротехнических тонких пленок, в частности последовательностей электротехнических PV-слоев. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения последовательности PV-слоев, обеспечивающей возможность использования промышленного сбросного тепла и/или длинноволнового инфракрасного излучения, при комнатной температуре, при котором электропроводные и/или полупроводниковые неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоев, где отверждение проводят при комнатной температуре и отверждение ускоряют путем воздействия по меньшей мере одного реагента, при этом последовательность PV-слоев содержит носитель, поверх которого наносят электропроводный электродный слой, металлы или соединения металлов, распределенные в пластиковой матрице, наносят поверх электродного слоя в качестве неорганических агломератов в первом слое, второй слой неорганических металлических агломератов по меньшей мере в частично сильноосновной или сильнокислотной оксидной матрице наносят поверх первого слоя, где при нанесении и отверждении металлические агломераты вступают в реакцию с сильнокислотной или основной матрицей, причем матрица, в свою очередь, также вступает в реакцию с металлическими агломератами первого слоя, при отверждении и осуществлении реакции происходит образование фотоэлектрически активного перехода, второй слой обеспечивают с прозрачным покрывающим электродом и/или контактным электродом, и фотоэлектрически активную последовательность слоев соответствующим образом приводят в контакт и сворачивают и приваривают в виде последовательности PV-слоев.
Использование: для получения электротехнических тонких пленок. Сущность изобретения заключается в том, что предлагается способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, в частности базового слоя, при котором обеспечивают электропроводные и/или полупроводниковые неорганические агломераты в дисперсии на поверхности и отверждают их с образованием слоя, при этом отверждение проводят при комнатной температуре, отверждение ускоряют посредством приведения в контакт по меньшей мере с одним реагентом, по меньшей мере один наносимый базовый слой представляет собой слой, содержащий агломераты по меньшей мере одного образующего цепи элемента, причем образующий цепи элемент состоит из углерода, при этом базовый слой в виде преимущественно водной углеродсодержащей суспензии, содержащей по меньшей мере микроразмерный графит с аморфным углеродным компонентом и необязательно до 49% добавок из сажи, активированного угля, смолы, токопроводящей сажи, печной сажи, газовой сажи, ламповой сажи, сажи ESD, смешивают с порошком по меньшей мере одного металла, который представляет собой порошок растворимого в основаниях металла с размером частиц не более чем микрометрового диапазона, предпочтительно по меньшей мере одного металла из группы, состоящей из кремния, алюминия, галлия, индия, магния, кальция, бария, железа, кобальта, никеля, меди, цинка, более предпочтительно кремния, алюминия и железа, pH суспензии доводят до значения, необходимого для протекания реакции, составляющего более 7, и при этом ее наносят в качестве восстановительного слоя и подвергают предварительному отверждению по меньшей мере с получением стабилизированной краевой оболочки, причем суспензию, наносимую тонким слоем, отверждают по меньшей мере посредством воздействия сопутствующего УФ-излучения.
Использование: для создания функционального элемента полупроводникового элемента. Сущность изобретения заключается в том, что функциональный элемент полупроводникового прибора имеет основу, выполненную из пластины кристаллического кремния, на которой сформирован покрывающий слой в виде нанопленки углерода с кристаллической решеткой алмазного типа, в пластине кремния под нанопленкой сформирован слой, имеющий нанопористую структуру, при этом упомянутая нанопленка является монокристаллической.
Изобретение относится к технологии получения составной подложки из SiC с монокристаллическим слоем SiC на поликристаллической подложке из SiC, которая может быть использована при изготовлении мощных полупроводниковых приборов: диодов с барьером Шоттки, pn-диодов, pin-диодов, полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), используемых для регулирования питания при высоких температурах, частотах и уровнях мощности, и при выращивании нитрида галлия, алмаза и наноуглеродных тонких пленок.
Способ изготовления функционального элемента полупроводникового прибора осуществляется в вакуумной печи в два этапа, на первом из которых осуществляют нагрев основы до температуры 950-1400°С и синтез пленки карбида кремния на ее поверхности в газовой среде, представляющей собой оксид или диоксид углерода или смесь оксида или диоксида углерода с инертным газом и/или азотом (и/или силаном) при давлении 20-600 Па.
Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно к способам выращивания полупроводниковых слоев арсенида галлия методами жидкофазной эпитаксии. Способ включает в себя составление исходной шихты, загрузку галлия, компонентов шихты и подложек GaAs в графитовое ростовое устройство, а затем в реактор, нагрев содержимого реактора в обезвоженной атмосфере с последующим отжигом в такой же атмосфере, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, удаление подложки, покрытой слоем GaAs из-под раствора-расплава.
Представлен способ изготовления композитной SiC-подложки, включающей подложку из поликристаллического SiC и слой монокристаллического SiC на ней, включающий стадии, в которых формируют тонкую пленку монокристаллического SiC на одной основной поверхности несущей подложки, механически обрабатывают поверхность тонкой пленки монокристаллического SiC для придания шероховатости и удаляют дефекты, обусловленные механической обработкой, с образованием слоя монокристаллического SiC, имеющего поверхность, которая является более шероховатой, чем поверхность слоя, смежного с несущей подложкой, причем шероховатая поверхность составлена наклонными поверхностными сегментами, которые беспорядочно ориентированы относительно направления перпендикуляра к поверхности слоя, смежного с несущей подложкой, осаждают поликристаллический SiC на шероховатую поверхность слоя монокристаллического SiC способом химического осаждения из паровой фазы, с образованием тем самым подложки из поликристаллического SiC, в которой плотноупакованные плоскости кристаллов поликристаллического SiC беспорядочно ориентированы относительно направления перпендикуляра к поверхности слоя монокристаллического SiC, смежного с несущей подложкой, и после этого физически и/или химически удаляют несущую подложку.
Изобретение относится к технологическому оборудованию для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых структур и может быть использовано в качестве узла фиксации подложки, нагреваемой с помощью пластинчатого или утолщенного ленточного резистивного нагревателя в вакуумных установках, предпочтительно с фиксацией подложки с нижним расположением ее рабочей поверхности и формированием потоков паров полупроводникового материала, например германия, в направлении снизу вверх от сублимационных источников указанных паров или потоков паров полупроводникового материала, например германия или/и кремния, в направлении снизу вверх от тигельных молекулярных источников на основе электронно-лучевых испарителей.
Предложен способ изготовления составной подложки 10 из SiC с монокристаллическим слоем 12 SiC на поликристаллической подложке 11 из SiC, в котором после обеспечения монокристаллического слоя 12 SiC на передней поверхности опорной подложки 21, содержащей Si и имеющей пленку 21a оксида кремния на передней и задней своих сторонах, с получением носителя 14 монокристаллического слоя SiC, часть или всю толщину пленки 21a оксида кремния на одной области или всей задней поверхности опорной подложки 21 в носителе 14 монокристаллического слоя SiC удаляют для придания коробления носителю 14' монокристаллического слоя SiC, затем осаждают поликристаллический SiC на монокристаллический слой 12 SiC путем химического осаждения из паровой фазы с образованием поликристаллической подложки 11 из SiC, а после этого опорную подложку удаляют физически и/или химически.
Способ изготовления композитной подложки sic и способ изготовления полупроводниковой подложки // 2720397
Предоставляется способ изготовления композитной подложки 10 SiC, имеющей монокристаллический слой 12 SiC на поликристаллической подложке 11 SiC, в котором: монокристаллический слой 12 SiC обеспечивается на одной поверхности удерживающей подложки 21, содержащей Si, и подготавливается носитель 14 монокристаллического слоя SIC, затем поликристаллический SiC наращивается на монокристаллическом слое 12 SiC с помощью физического или химического средства, и подготавливается слоистый материал 15 SiC, причем монокристаллический слой 12 SiC и поликристаллическая подложка 11 SiC послойно наносятся на удерживающую подложку 21; и затем удерживающая подложка 21 удаляется физическим и/или химическим способом.
Использование: для получения электротехнической тонкой пленки. Сущность изобретения заключается в том, что в способе получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре путем обеспечения электропроводных и/или полупроводниковых неорганических агломератов в дисперсии на поверхности и отверждения их с образованием слоя, отверждение проводят при комнатной температуре и отверждение ускоряют посредством приведения в контакт по меньшей мере с одним реагентом, где дисперсию обеспечивают в виде водной влажной дисперсии - водной мокрой дисперсии, где комнатная температура представляет собой температуру от 10°C до 60°C, где электротехническую тонкую пленку модифицируют на кромке в не полностью отвержденном состоянии при помощи по меньшей мере одного реагента, представляющего собой галогенангидрид, или по меньшей мере один окислительно-восстановительный реагент, выбранный из группы, состоящей из галогена, соединения галогена и халькогена, фтора, хлора, брома, йода, гипогалита, галита, галогената, пергалогената, легких фотонов УФ-диапазона, кислорода, кислорода, обогащенного озоном, озона, пербората, перкарбоната, пероксодисульфата, или по меньшей мере один кислотный или основный реагент, выбранный из группы, состоящей из галогеноводорода, кислотного гипогалита, кислотного галита, галогенсодержащей кислоты, галогенсодержащей перкислоты, хлорноватистой кислоты, хлористой кислоты, хлорноватой кислоты, перхлорной кислоты, сухого CO2, сухого NH3, тионилхлорида, сульфурилхлорида, оксидихлорида фосфора, трихлорида фосфора.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости формируют скрытый n+ слой по стандартной технологии, затем последовательно наращивают эпитаксиальный слой р-типа проводимости толщиной 3,5 мкм с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, который служит продолжением подложки, затем формируют эпитаксиальный слой n-- типа проводимости толщиной 7,1 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3 и верхний эпитаксиальный слой n- типа проводимости толщиной 4,4 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3.
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при росте эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC) с малой плотностью базальных дислокаций. Способ заключается в том, что так же как в известном способе для роста эпитаксиальных слоев SiC используется подложка SiC, поверхность которой разориентирована относительно кристаллографической плоскости Миллера-Бравэ (1120) более чем на 0°, но не более чем на 8°.
Изобретение относится к классу полупроводниковых приборов и может быть использовано в микро-, нано- и оптоэлектронике. Функциональный элемент полупроводникового прибора имеет основу, выполненную из кремния со сформированным на нем переходным слоем, содержащим карбид кремния, на котором имеется покрывающий слой в виде нанопленки углерода с кристаллической решеткой алмазного типа.
Изобретение относится к способу наращивания слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методами эпитаксиального осаждения. Сущность: способ наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методом эпитаксиального осаждения, заключается в том, что пропускают поток ростообразующего вещества над поверхностью монокристаллической полупроводниковой подложки, нагретой до заданной температуры, и активируют эту поверхность лазерным излучением, направленным под скользящим углом к поверхности и имеющим линейную поляризацию, при которой вектор Е электрического поля лежит в плоскости, практически перпендикулярной к плоскости, касательной к поверхности в точке падения лазерного излучения.
Изобретение относится к области микроэлектронной технологии, а именно к способу формирования полупроводниковых структур для преобразования энергии радиохимического распада С-14 в постоянный ток. Техническое решение включает CVD-процесс, в котором формирование пленки карбида кремния осуществляют с участием атомов кристаллической решетки кремниевой подложки и атомов углерода, для этого создают условия химического переноса водородом углерода через стадию образования углеводородов в контейнере-реакторе с температурой зоны 1000-1200°С и последующее их разложение на поверхности подложек кремния в более высокотемпературной зоне 1360-1380°С по ходу движения водорода расходом 0,3-0,5 л/мин, в процессе роста фазы карбида кремния на кремниевой подложке перед ней движется сетка дислокаций несоответствия параметров решетки, последующий термический отжиг гетероструктуры производят в вакууме при температуре от 1000 до 1100°С в течение соответственно от 60 до 30 минут, что обеспечивает эффект локализации или геттерирующего захвата сверхстехиометрического и растворенного атомарного С-14 на сетке дислокаций в фазе кремния, физическое взаимодействие бета-электронов высокой энергии с фазой кремния порождает дополнительные вторичные электроны, это приводит к градиентному диффузионному потоку электронов в фазе кремния, жертвенный карбидокремниевый слой выполнил свою роль и его удаляют частично или полностью для формирования контактных площадок к кремнию, а в других вариантах исполнения и к карбиду кремния, при этом пленка карбида кремния может быть изотипной с подложкой кремния как p-, так и n-типа проводимости, окисленной с нерабочей стороны.
Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)⋅10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)⋅10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ÷ менее 400°С или Ts=более 400 ÷ 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с низкой плотностью дефектов. Технология способа состоит в следующем: на сапфировой подложке формируют слой нитрида алюминия толщиной 30-50 нм методом реактивного ионно-плазменного распыления с использованием мишени из алюминия в плазме особо чистого азота без добавления аргона, при давлении (3-5)10-3 мм рт.ст.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур для приборов электронной техники и может быть использовано для регулирования степени легирования при эпитаксиальном выращивании в вакууме легированных слоев кремния.
Недостаток традиционных напечатанных пленочных PV-элементов заключается в том, что получение этих элементов часто требует дорогих этапов вакуумной подготовки и термического закаливания или запекания, причем тонкие легированные вакуумные пленки чрезвычайно подвержены коррозии и загрязнению.
Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек (НГЭС ИКТ). Способ основан на процессах растворения и кристаллизации полупроводниковых и металлических материалов из растворов-расплавов легкоплавких металлов.
Способ изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела // 2698574
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела, для формирования активных и пассивных элементов интегральных схем. Сущность изобретения заключается в способе изготовления маски для травления вертикальной полупроводниковой структуры путем нанесения первого слоя материала (полупроводник, металл, диэлектрик, силициды и т.д.) на поверхность подложки.
Способ формирования гетероструктуры // 2698538
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления гетероструктур с низкой плотностью дефектов. Предложенный способ формирования гетероструктуры InAs на подложках GaAs путем подачи триэтилиндия и арсина при температуре подложки 600°С со скоростью потока арсина 15 мл/мин, со скоростью потока водорода через барботер и триэтилиндия 2,5 л/мин при скорости роста пленки 1 нм/с с последующим отжигом в течение 60 с в потоке азота при температуре 700°С позволяет повысит процент выхода годных структур и улучшит их надежность..
Использование: для получения спин-поляризованных носителей заряда в графене. Сущность изобретения заключается в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка формируют субмонослой европия со структурой Eu.
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых материалов, содержащих пограничные слои между материалами из III-V групп и подложкой Si. Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых материалов, содержащих GaAs в комбинации с подложками Si(111), причем остаточная деформация, обусловленная различными коэффициентами теплового расширения соответствующих материалов, нейтрализуется посредством введения добавочного слоя (слоев), компенсирующего остаточную деформацию.
Использование: для получения наноразмерных композитных структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования упорядоченного массива нанокристаллов или нанокластеров кремния в диэлектрической матрице включает формирование на подложке многослойной пленки, состоящей из чередующихся слоев SiNx и Si3N4, где 0<х<4/3, методом низкочастотного плазмохимического осаждения из газовой фазы с использованием смеси моносилана (SiH4) и аммиака (NH3) с объемным соотношением [NH3]/[SiH4] в диапазоне от 1 до 5 при давлении в камере 100-250 Па, температуре подложки 20-400°С и удельной мощности разряда 0,02-0,2 Вт/см2 с последующим отжигом полученной многослойной пленки в инертной атмосфере при температуре в диапазоне 800-1150°С не менее 5 минут с получением многослойной матрицы с нанокристаллами или нанокластерами.
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при росте эпитаксиальных структур монокристаллического карбида кремния (SiC) с малой плотностью эпитаксиальных дефектов.
Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники и может быть использовано при создании приборов на основе полупроводниковых гетероструктур, в том числе многопереходных фотоэлектрических преобразователей.
Способ получения нанокристаллов силицида железа α-fesi2 с изменяемой преимущественной ориентацией // 2681635
Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике и нанотехнологии.
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно пленок монооксида европия на графене, и может быть использовано для создания таких устройств спинтроники, как спиновый транзистор и инжектор спин-поляризованных носителей.
Изобретение относится к технологии эпитаксии легированных слоев германия, основанной на сочетании в одной вакуумной камере одновременных осаждения германия из германа и сублимации германия с легирующим элементом с поверхности источника легированного германия, разогретого электрическим током, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур.
Изобретение относится к технологии получения многослойных полупроводниковых структур из соединений A3B5 методом жидкофазной эпитаксии, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур в системе GaAs-GaAlAs для силовой электронной техники.
Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием // 2663041
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.
