С использованием электронного или ионного микроскопа (G01N23/225)
G01N23/225 С использованием электронного или ионного микроскопа (трубки с электронным или ионным пучком для микроанализа H01J37)(61)
Изобретение относится к области аналитической атомной спектрометрии и касается способа выбора образцов сравнения для внешней стандартизации при анализе U-Pb и Lu-Hf изотопного состава минерала циркона с использованием лазерной абляции и масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой.
Группа изобретений относится к способам измерения количественных признаков препаратов генотерапевтических векторов. Раскрыт способ количественного определения дозы препарата AAV, предусматривающий количественное определение общего количества капсидов AAV в препарате AAV или фракции AAV, используемой для получения препарата AAV, с помощью AAV-специфического анализа ELISA и оценку процента или соотношения полных и пустых (полные:пустые) капсидов AAV в препарате AAV или фракции AAV с помощью криогенной просвечивающей электронной микроскопии (CryoTEM).
Изобретение относится к нанотехнологии, нанотоксикологии и медицине. Техническим результатом является обеспечение универсальности и возможности оценки токсичности с использованием ряда комплекса оценочных показателей без привлечения биологических объектов.
Изобретение относится к способу получения поперечного среза для контроля параметров целлюлозосодержащего материала. Способ включает в себя подготовку основного и поверхностного слоя, включающего наполнитель, получение поперечного среза толщиной от 50-250 мкм методом ионной резки при 8-10 кВ, с продолжительностью резки от 1 до 2 ч, оценку поверхностных свойств.
Изобретение относится к области геологии и может быть использовано для определения происхождения микрообломков кимберлитов. Сущность: выполняют предварительную подготовку образцов для исследований, их маркировку и фотографирование.
Использование: для обработки сигналов в сканирующих устройствах с остросфокусированным электронным пучком. Сущность изобретения заключается в том, что сканируют электронным пучком поверхность объекта поперек топологического элемента, находящегося на этой поверхности, с одновременным изменением для каждой линии сканирования значения регулируемого параметра, получают вторичноэмиссионный сигнал, преобразуют этот сигнал в цифровую форму, определяют значение контраста сигнала, анализируют зависимость контраста от регулируемого параметра, определяют по этой зависимости однозначное соответствие между значением регулируемого параметра и положением точки фокусировки относительно объекта и выставляют точку фокусировки в требуемое положение, при этом в качестве регулируемого параметра используют потенциал электрода, расположенного у анода электронно-оптической системы РЭМ.
Использование: для формирования в цифровом виде изображения микроструктуры фазового состава на поверхности реального физического объекта, исследуемого путем использования сканирующей микроскопии. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют эмиссию электронов с поверхности исследуемого объекта в растровом электронном микроскопе, их сбор и регистрацию для построения двухмерного изображения объекта в цифровой форме, повторное сканирование поверхности исследуемого объекта зондом измерительной головки сканирующего зондового микроскопа для построения трехмерного изображения объекта в цифровой форме, при этом повторное сканирование осуществляют зондом атомно-силового микроскопа, при этом осуществляют преобразование трехмерного изображения объекта в цифровой форме в двухмерное изображение в цифровой форме с применением данных, полученных при построении двухмерного изображения в цифровой форме с применением сбора и регистрации обратноотраженных электронов в растровом электронном микроскопе в режиме композиционного контраста.
Изобретения относятся к области определения однородности дисперсных материалов и могут найти применение в порошковой металлургии, в самораспространяющемся высокотемпературном синтезе, в материаловедении и аналитической химии.
Изобретение относится к области геологии и может быть использовано для моделирования многофазного потока текучей среды. Структура пор горных пород и других материалов может быть определена посредством микроскопии и подвержена цифровому моделированию для определения свойств потоков текучей среды, проходящих сквозь материал.
Использование: для определения содержания минералов. Сущность изобретения заключается в том, что точки данных SEM-EDS берутся и сравниваются с множеством известных точек данных.
Использование: для определения местонахождения форстерита в материале образца. Сущность изобретения заключается в том, что контролируется местонахождение форстерита в области, из которой испускается свет, возбуждаемый электронным пучком, когда содержащий форстерит материал облучается пучком электронов.
Изобретение относится к строительству, а именно к способу исследования процесса дисперсного армирования и микроармирования бетонов для повышения их трещиностойкости. Для этого изучают взаимодействие стекловолокна с цементным камнем в течение заданного времени.
Использование: для определения профиля поперечного распределения примеси германия в жиле и оболочке кремниевых стекловолокон. Сущность изобретения заключается в том, что изготавливают из эпоксидной смолы таблетку-держатель с образцами анализируемых стекловолокон и проводят последующий анализ образцов на растровом электронном микроскопе, при этом образцы анализируемых стекловолокон размещают вертикально в держателе-таблетке из эпоксидной смолы, после чего держатель-таблетку облучают рентгеновским излучением и загружают одновременно с держателем-таблеткой, содержащей эталонные образцы стекловолокон, в рабочую камеру растрового электронного микроскопа с оптическим каналом регистрации, далее визуально по виду и размерам концентрических кольцевых, различающихся по интенсивности свечения люминесцирующих участков на торцевых поверхностях тестируемых и эталонных стекловолокон визуально определяют профиль поперечного распределения примеси германия по поперечному сечению стекловолокна.
Изобретение относится к области электронного приборостроения, а более конкретно - к конструкции детекторов электронов, и может найти преимущественное использование в электронных микроскопах. .
Изобретение относится к области формирования в цифровом виде трехмерного изображения реального физического объекта, а именно к формированию топографического изображения объекта, исследуемого методами сканирующей микроскопии.
Изобретение относится к физическим методам анализа состава и структуры вещества, а именно к применению метода вторично-ионной масс-спектрометрии для анализа структурно-энергетического состояния поверхностного слоя вещества, и может быть использовано в структурообразовании и повышении износостойкости новых материалов при изготовлении деталей ответственного назначения.
Изобретение относится к области инструментального химического анализа, в частности к области аналитической химии. .
Изобретение относится к области исследований и анализа материалов путем определения их физических свойств, а именно для исследования параметров каналов нанометрических размеров в трековых мембранах, и может быть использовано при изготовлении объектов из трековых мембран для анализа с помощью просвечивающей электронной микроскопии.
Изобретение относится к технике электронной микроскопии и может быть использовано в технологии полупроводников, Целью изобретения является повышение оперативности и качества электронномикроскопических исследований процессов молекулярно-дучевой эпитаксии непосредственно в приборе за счет обеспечения более чистых условий взаимодействия молекулярного пучка с образцами и вариации этих условий без нарушения вакуумных условий в зоне исследований.
Изобретение относится к методам исследования вещества с использованием электронных микроскопов. .
Изобретение относится к способам получения объектов для электронной микроскопии , в частности для изучения топографии поверхности разрушения. .
Изобретение относится к технологии приготовления тест-объектов (ТО) для электронной микроскопии. .
Изобретение относится к технике электронной микроскопии и может быть использовано при создании тест-объектов для настройки электронных микроскопов. .
Изобретение относится к инструментальному анализу материалов и может быть использовано для дефектоскопии поверхностей полимерных неорганических, металлических материалов. .
Изобретение относится к технологии приготовления тест-объектов в виде штриховой меры с дифракционных решеток (ДР) и может быть использовано для градуировки увеличения электронных микроскопов. .
Изобретение относится к области исследования методом просвечивающей электронной микроскопии порошковых материалов, в частности к способу изготовления образца из порошковых материалов для исследований тонкой структуры и фазового состава.
Изобретение относится к металлургии, в частности к методам анализа за состоянием вещества и материалов, к методам материаловедческих исследований конструкций и образцов после разрушения последних, и может быть использовано для определения температуры той зоны конструкции, в которой в момент разрушения распространялась магистральная трещина.
Изобретение относится к электронной микроскопии, в частности к технике препаривания и приготовления образцов мелкодисперсных частиц. .
Изобретение относится к электронной микроскопии и может быть использовано для формирования тестового изображения в растровом электронном микроскопе. .
Изобретение относится к рентгеновскому анализу состава вещества, особенно к микроанализу с возбуждением рентгеновского излучения определяемых элементов пучком ионов. .
Изобретение относится к устройствам для элементного и химического анализа состава твердых тел, в частности к ионным микрозондовым анализаторам, применяемым для измерения концентрационных профилей распределения примесей по глубине анализируемых образцов, а также для получения на экране электронно-лучевой трубки картины распределения различных элементов по поверхности образца.
Изобретение относится к рентгеноспектральному анализу, особенно к определению среднего диаметра микровключения в плоскости шлифа. .
Изобретение относится к технике приготовления образцов тонких пленок для электронно-микроскопических исследований, в частности пленок, напыленных на кремниевую подложку. .
Изобретение относится к технике препарирования образцов для электронной микроскопии и может быть использовано при исследованиях тонкой структуры металлов и сплавов. .
Изобретение относится к области физико-химического анализа состава поверхности твердых тел методами вторичной ионной и электронной эмиссии. .
Изобретение относится к электронной и ионной микроскопии. .
Изобретение относится к области электронной спектроскопии, а именно к способам исследования физических и химических свойств поверхности вещества при помощи вторично-электронных методов, и может быть использовано в электронной промышленности и научно-исследовательской практике.
Изобретение относится к области исследования материалов с помощью радиационных методов и может быть использовано для получения изображения доменносодержащих материалов. .
Изобретение относится к испытаниям материалов и конструкций на прочность , а именно к анализу процессов разрушения объектрв, содержащих трещины . .
Изобретение относится к медицине, биологии и ветеринарии,точнее к морфологии, предназначенной для исследования в световом микроскопе замороженных срезов органов и тканей человека и животных. .
Изобретение относится к области локального рентгеноспектральногр анализа образцов в электронном микроскопе с микроанализатором. .
Изобретение относится к способам определения типа дислокаций в монокристаллах и может быть использовано для исследования кристаллов со структурой сфалерита. .
Изобретение относится к анализу элементного состава с помощью электронно-зондового микроанализа. .