Граничные испытания, например путем изменения напряжения питания (G01R31/30)
G01R31/30 Граничные испытания, например путем изменения напряжения питания (граничные испытания вычислительных машин G06)(185)
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю полупроводниковых интегральных схем (ИС). Сущность: на каждую ИС из репрезентативных выборок из каждой сравниваемой партии воздействуют электростатическими разрядами (ЭСР) разной полярности напряжением, равным удвоенному от допустимого по ТУ для данного типа ИС значения до наступления отказа ИС.
Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано в наземных испытаниях элементов конструкций (ЭК), материалов и покрытий, а также радиоэлектронного оборудования (РЭО) в условиях воздействия факторов космического пространства (ФКП) на низкоорбитальные космические аппараты (НКА).
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем, и может быть использовано как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях.
Изобретение относится к испытаниям электронной компонентной базы на стойкость к воздействию заряженных частиц. Лазерный ускоритель заряженных частиц состоит из фемтосекундного высококонтрастного частотного лазера; системы контрастирования лазерного излучения; как минимум двух вакуумных мишенных камер, в каждой из которых реализуется своя схема облучения лазерной мишени; отклоняющего зеркала; мишенного узла, в каждой из вакуумных мишенных камер; оптической фокусирующей системы, состоящей из поворотного зеркала и параболического фокусирующего объектива; системы очистки твердотельных лазерных мишеней от загрязнений; не менее двух камер облучения, где реализуют юстировку испытываемых устройств по отношению к пучку заряженных частиц посредством системы позиционирования испытываемого устройства; системы питания и управления испытываемыми устройствами; магнитной системы отклонения заряженных частиц и системы транспортировки заряженных частиц, с помощью которых выделяют узкие полосы из спектра заряженных частиц, транспортируют их в камеру облучения и фокусируют на испытываемое устройство.
Использование: в области электротехники. Технический результат – повышение чувствительности и точности идентификации в режиме холостого хода неисправности в виде обрыва фазы системы пускового/резервного трансформатора, что повышает надежность работы системы пускового/резервного трансформатора на электростанции.
Изобретение относится к области электромагнитных испытаний для оценки соответствия крупногабаритных объектов, имеющих в своем составе протяженные кабельные линии, заданным требованиям по стойкости к воздействию электромагнитного импульса (ЭМИ) субнаносекундного временного диапазона.
Изобретение относится к области тестирования электроники, в частности, определения времени эксплуатации статической оперативной памяти и выявления контрафакта. Сущность: производят подсчет нестабильных бит путем записи при номинальном напряжении питания (Vп=Vном) во все биты СОЗУ значение 1 или 0.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для разбраковки интегральных схем (ИС) по критерию потенциальной надежности. Технический результат: повышение эффективности и достоверности разделения ИС на надежные и потенциально ненадежные.
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для защиты радиоэлектронной аппаратуры от сверхкоротких импульсов. В устройстве из проводящей пластины, на которой параллельно ей расположена подложка, на которой параллельно ей располагается проводник прямоугольного поперечного сечения, выполнены два выреза, которые параллельны и равны по длине проводнику, в устройство добавлены два резистора, соединяющие концы проводника, образованного в проводящей пластине между двумя вырезами, с проводящей пластиной, при этом значение длины линии, умноженное на значение разности максимальной погонной задержки мод линии и наибольшей из остальных, не меньше суммы длительностей фронта, плоской вершины и спада сверхкороткого импульса, подающегося между проводником и проводящей пластиной, выбор параметров резисторов зависит от их поперечного сечения и расстояния между проводниками, а также относительной диэлектрической проницаемости, обеспечивающих минимизацию амплитуды сигнала на выходе.
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для защиты радиоэлектронной аппаратуры от сверхкоротких импульсов. Техническим результатом является увеличенное ослабление СКИ, за счет его разложения на последовательность из девяти импульсов меньшей амплитуды: сначала на три импульса в первом витке, а затем каждого из них на три импульса во втором витке.
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для защиты радиоэлектронной аппаратуры от сверхкоротких импульсов, меньше чем длительность воздействующего импульса. Техническим результатом является увеличенное ослабление СКИ за счет его разложения на последовательность из девяти импульсов меньшей амплитуды: сначала на три импульса в первом витке, а затем каждого из них на три импульса во втором витке.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для обеспечения качества и надежности сверхбольших интегральных схем (СБИС). Сущность: измеряют критическое напряжение питания при нормальной и повышенной температуре.
Изобретение относится к повышению надежности и качества функционирования партии полупроводниковых монолитных и гибридных интегральных схем (ИС). Сущность: ИС подвергают искусственному старению, в результате которого происходит деградация параметров материалов и структуры ИС и изменение их информативных параметров.
Предлагаемое устройство относится к области контроля кабелей и предназначено для прозвонки и определения правильности монтажа кабелей, монтируемых на производстве или проложенных на объектах. Изобретение дополнено вторым n-канальным коммутатором, при этом к первым входам второго n-канального коммутатора подключены n контактов второго концевого устройства, ко второму его входу подключен третий выход узла выбора каналов, выход второго n-канального коммутатора подключен ко второму входу определителя номера жилы, а второй выход определителя номера жилы подключен к входу узла выбора каналов.
Cпособ относится к области исследований радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники, в частности интегральных схем, к воздействию ионизирующих излучений. Способ оценки радиационной стойкости интегральных схем к воздействию отдельных заряженных частиц, основанный на локальном лазерном облучении, включает сканирование кристалла микросхемы пучком лазерного излучения диаметром в пределах от 30 до 100 мкм в плоскости приборного слоя кристалла, выявление наиболее чувствительных к одиночным радиационным эффектам (ОРЭ) областей, в которых определяют наиболее чувствительные узлы и снимают зависимость пороговой энергии лазерного излучения возникновения ОРЭ от диаметра пятна.
Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц различных энергий космического пространства (КП). В способе оценки стойкости элементов цифровой электроники к эффектам сбоев от воздействия единичных частиц КП определяется минимальное значение потока частиц, соответствующее отличному от нулевого значения сечению сбоев в области малых значений линейной передачи энергии (LET).
Изобретение относится к области исследования радиационной стойкости полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем, и в большей степени интегральных микросхем (ИМС) с последовательной и комбинационной обработкой логических сигналов.
Изобретение относится к области электронной техники. Способ контроля идентичности изделий в партии однотипных микросхем основан на контроле электромагнитного сигнала, причем на один из выводов каждой микросхемы из партии в качестве входного воздействия подается электрический сигнал изменяющейся частоты в диапазоне от 1 ГГц до 10 ГГц, снимаются частотные характеристики выходного контрольного электромагнитного сигнала с другого вывода микросхемы и частотные характеристики отраженного сигнала от упомянутых использующихся входного и выходного выводов, полученные частотные характеристики для различных микросхем сравниваются между собой, и на основании этого контроля делается заключение об идентичности микросхем в партии.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для повышения качества электротермотренировки интегральных микросхем. Технический результат: повышение надежности микросхем.
Предложен способ контроля технического состояния элементов высоковольтного оборудования (ЭО). В способе осуществляют регистрацию и анализ спектров собственного электромагнитного излучения (ЭМИ) ЭО, при котором производят мониторинг спектров ЭМИ.
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества чипов полупроводниковых фотопреобразователей, в частности солнечных элементов. .
Изобретение относится к способам дистанционного контроля технического состояния электроэнергетического (ЭЭ) оборудования, находящегося под напряжением. .
Изобретение относится к области испытания объектов электронной техники, в частности предназначено для отбраковки образцов интегральных микросхем с аномально низкой радиационной стойкостью и надежностью.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для выделения из партии интегральных схем (ИС) схемы повышенной надежности. .
Изобретение относится к электроизмерительной технике, в частности к устройствам для измерения параметров искровых разрядов в свечах зажигания, и может быть использовано для измерения остаточного напряжения на накопительном конденсаторе в емкостных системах зажигания газотурбинных двигателей.
Изобретение относится к средствам предотвращения несанкционированного контроля работы оборудования, а также деятельности и перемещений персонала и отдельных личностей, например, скрытыми видеокамерами. .
Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на надежность и может использоваться для ускоренных испытаний полупроводниковых фотоприемников, например фотодиодов для прогнозирования их надежности в процессе длительной эксплуатации.
Изобретение относится к контрольно-диагностической и испытательно-исследовательской технике и может быть использовано при создании диагностико-испытательного оборудования для испытаний и исследований современной радиоэлектронной аппаратуры.
Изобретение относится к области испытаний и контроля, в частности к измерению' и контролю мертвого времени канала измерения интенсивности ионизирующего излучения. .
Изобретение относится к электронной технике. .
Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано при производстве и контроле интегральных схем с диодной изоляцией в процессе испытаний на виброустойчивость и воздействие акустических шумов.
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для неразрушающего контроля качества объемных интегральных схем. .
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в составе автоматизированных измерительных комплексов для контроля параметров интегральных микросхем. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля и прогнозирования технического состояния усилителей мощности транзисторных связных передатчиков с амплитудой модуляцией.
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано при контроле качества изготовления сложных электронных блоков, преимущественно с печатным монтажом. .
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для диагностического контроля и отбраковки предрасположенных к коррозии интегральных микросхем. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике в микроэлектронике и предназначено для отбраковки запоминающих устройств, имеющих дефектные ячейки памяти. .
Изобретение относится к контрольно-испытательной технике и может быть использовано для функционального контроля больших интегральных схем, имеющих выходы с третьим состоянием. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. .
Изобретение относится к электронике и может быть использовано при настройке гибридных интегральных микросхем (ГИМС). .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано при производстве и контроле твердотельных интегральных схем с изолирующими диодами. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю в производстве интегральных микросхем. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля электрических /статических и динамических/ параметров и функционирования цифровых логических БИС, в частности схем с эмиттерно-связанной логикой.
Изобретение относится к контролю изделий электронной техники, в частности может быть использовано для выявления микросхем (МС) со скрытыми дефектами. .
Изобретение относится к технике контроля качества и надежности радиоэлементов, интегральных микросхем, электронных устройств и блоков и может быть использовано для контроля их статических параметров и функционального контроля.