Высокомолекулярные соединения, разлагающиеся под действием света, например позитивные электронные резисты (G03F7/039)

G   Физика(403185)
G03F7/039                     Высокомолекулярные соединения, разлагающиеся под действием света, например позитивные электронные резисты ( G03F7/075 имеет преимущество; полихинондиазиды G03F7/023)(12)

Применение соединения полисахарида в литографии // 2738112
Изобретение относится к области микро- и нанотехнологии, в частности к применению полисахарида хитозана и его соединений в качестве резистов для электронно-лучевой литографии и фотолитографии для изготовления микро- и нано- электронных и оптических компонентов.

Фоторезистивная композиция высокочувствительного позитивного электронорезиста // 2692678
Изобретение относится к фоторезистивным композициям и может быть использовано в электроннолучевой литографии, в рентгеновской литографии при производстве интегральных схем с субмикронными размерами элементов.

Слоистый пластик с повышенной светочувствительностью для флексографических печатных плат с инфракрасным абляционным слоем // 2612846
Изобретение относится к области флексографии и касается светочувствительного слоистого пластика, предназначенного для изготовления флексографических печатных плат. Пластик состоит из опорного слоя, слоя светочувствительной смолы, инфракрасного абляционного слоя и защитной пленки.

Способ записи изображений // 2568143
Изобретение относится к области записи изображений. Способ заключается в том, что на стеклянной подложке формируют светочувствительный слой пленки из однослойных углеродных нанотрубок, содержащих инкапсулированные наночастицы железа.

Чувствительная к облучению композиция, изменяющая показатель преломления // 2281310
Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям, изменяющим показатель преломления, позволяющим получить новую модель распределения показателя преломления, в частности оптический материал, используемый в области оптоэлектроники и устройствах отображения информации.

Фоторезистная композиция и полимер // 2194295
Изобретение относится к радиационно-чувствительной фоторезистной композиции. .

Полиорганосиланы и двухслойная позитивная маска для фотолитографии на основе полиорганосилана // 2118964
Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10).

Позитивный фоторезист // 2100835
Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике. .

Композиция для получения позитивного электронно- и рентгенорезиста // 2044340
Изобретение относится к позитивным электронорезистам, которые используются в электроннолучевой литографии, а также в качестве рентгенорезистов в микроэлектронике при получении структур с субмикронными размерами элементов.

 // 212750
 
.
Наверх