С использованием магниторезистивных приборов (G11B5/39)
G11B5/39 С использованием магниторезистивных приборов(17)
Использование: для получения микроволнового гигантского магниторезистивного эффекта в отражении от сверхрешетки типа (CoFe)/Cu. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют выращивание образца сверхрешетки на подложке из стекла Corning методом магнетронного напыления так, чтобы толщина слоя меди обеспечивала антипараллельное упорядочение спинов в соседних слоях CoFe, помещение образца в поперечное сечение прямоугольного волновода, полностью перекрывая это сечение, при этом магнитное поле прикладывают в плоскости сверхрешетки перпендикулярно направлению распространения волн, осуществление падения электромагнитных волн в диапазоне частот от 26 до 38 ГГц на образец, измерение коэффициента отражения микроволн R и его зависимости от магнитного поля с помощью панорамного измерителя амплитудно-частотных характеристик при комнатной температуре, расчет относительного изменения коэффициента отражения в магнитном поле по заданной математической формуле, при этом используют подложку, толщина которой кратна толщине четвертьволновой пластины, причем электромагнитная волна сначала падает на диэлектрическую подложку, затем на сверхрешетку по схеме - генератор-подложка-металл сверхрешетки.
Изобретение может быть использовано в производстве элементов микроэлектроники, сенсорной техники. Гольмий-марганцевый сульфид с гигантским магнитосопротивлением включает марганец и серу и дополнительно содержит гольмий при следующем соотношении компонентов, мас.%: гольмий 2,5-15, марганец 47,5-35, сера 50.
Изобретение относится к новым магнитным, теллурсодержащим халькогенидам марганца MnSe1-xTex, обладающим гигантским магнитосопротивлением (т.е. .
Изобретение относится к новым магнитным сульфидным соединениям кобальта и марганца, обладающих эффектом гигантского магнитосопротивления (т.е. .
Изобретение относится к разработке новых сульфидных соединений с особыми магнитоэлектрическими свойствами, которые могут быть использованы в микроэлектронике. .
Изобретение относится к разработке способов получения новых соединений марганца с гигантским магнитосопротивлением (с особыми магнитоэлектрическими свойствами), которые могут быть использованы для нужд микроэлектроники.
Изобретение относится к дисководу магнитного диска, имеющему по меньшей мере одну с опирающейся на воздушный зазор поверхностью (ОВЗП) магнитную головку, с выполненными за одно целое считывающей и записывающей частями.