Запоминающие устройства статического типа (G11C)

Отслеживание патентов класса G11C
G   Физика(387616)
G11C              Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17)(8271)

Способ и устройство повторной передачи данных по протоколу пользовательских дейтаграмм // 2610697
Изобретение относится к области цифровых систем связи, а именно к методам повторной передачи данных по протоколу пользовательских дейтаграмм (UDP).

Сбоеустойчивое запоминающее устройство // 2610264
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для повышения достоверности функционирования работы, устройств хранения и передачи информации.

Способ получения материала фазовой памяти // 2610058
Изобретение относится к получению халькогенидных ⋅полупроводниковых сплавов, используемых в устройствах энергонезависимой фазовой памяти.

Способ и устройство сохранения данных // 2608958
Изобретение относится к области сохранения данных и, в частности, к способу и устройству сохранения данных. Технический результат заключается в уменьшении длительности задержки сохранения данных.

Запись данных в энергонезависимое запоминающее устройство смарт-карты // 2607622
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в записи данных большого размера в смарт-карту.

Способ стирания информации, хранящейся в энергонезависимой перезаписываемой памяти, носитель хранения и компьютер моторного транспортного средства // 2607240
Группа изобретений относится к области хранения информации и может быть использована для стирания информации, хранящейся в энергонезависимой перезаписываемой памяти электронного компьютера.

Архитектура расширения оптической памяти // 2603553
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении полосы пропускания запоминающего устройства.

Способ изготовления активного слоя для резистивной памяти // 2603160
Изобретение может быть использовано при изготовлении элементов памяти для вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов и карточек.

Мемристорный элемент памяти // 2602765
Изобретение относится к микроэлектронике. Мемристорный элемент памяти содержит подложку с расположенным на ее рабочей поверхности проводящим электродом.

Кремниевый мультиплексор // 2602373
Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для считывания электрических сигналов в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников, в частности в фотоприемниках на микроболометрах.

Программируемое логическое устройство // 2601145
Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для вычисления логических функций в самосинхронных программируемых логических интегральных схемах.

Способ управления техническим ресурсом энергонезависимой памяти // 2600525
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении общего технического ресурса памяти.

Ячейка магнитной памяти с произвольным доступом с улучшенным рассеиванием переключающего поля // 2599956
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в понижении потребления электроэнергии и улучшении рассеивания переключающего поля.

Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой // 2599948
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении низкого потребления питания и увеличенной скорости при записи и чтении ячейки памяти.

Ячейка mram и способ для записи в ячейку mram с использованием термической операции записи с пониженным током поля // 2599941
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении пониженного тока поля.

Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram) с самоадресацией, содержащая ферримагнитные слои // 2599939
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении записи и считывания ячейки MRAM с использованием слабого поля записи/считывания.

Контроллер памяти и способ работы такого контроллера памяти // 2597520
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в сбалансированности между переупорядочением транзакций для сокращения времен доступа к запоминающему устройству.

Магнитный записывающий элемент // 2595588
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении операций записи без наложения внешнего магнитного поля.

Способ обработки, хранения и передачи команд телекодового управления // 2592456
Изобретение относится к области обработки, хранения и передачи команд телекодового управления в комплексах оконечной связи.

Самоотносимая ячейка mram с оптимизированной надежностью // 2591643
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении эффективности нагрева магнитного туннельного перехода при минимизации рисков пробоя и старения туннельных барьерных слоев.

Элемент магнитной памяти // 2585578
Группа изобретений относится к магнитозаписываемому элементу и магнитозаписываемому устройству. Магнитозаписываемый элемент содержит набор слоев.

Троичный реверсивный регистр сдвига // 2585263
Изобретение относится к устройствам цифровой вычислительной техники, в частности к недвоичной схемотехнике.

Элемент и схема хранения магнитного состояния // 2584460
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании элемента хранения состояния спина.

Способ и многофункциональное ассоциативное матричное устройство для обработки строковых данных и решения задач распознавания образов // 2582053
Группа изобретений относится к области вычислительной техники, может быть использована в специализированных устройствах аппаратной поддержки типовых операций задач распознавания образов, в аппаратной поддержке в высокопроизводительных системах и устройствах параллельной обработки символьной информации, в аппаратных средствах поддержки вывода в информационно-поисковых и экспертных системах, осуществляющих обработку строк (строковых данных), и позволяет реализовать операции поиска по образцу и модификации строки на основе ассоциативной памяти.

Записываемый магнитный элемент // 2580378
Изобретение относится к записываемому магнитному элементу. Элемент содержит пакет слоев с магнитным слоем записи из по меньшей мере одного магнитного материала, обладающего направлением намагниченности, которое перпендикулярно его плоскости, расположенным между первым и вторым наружными слоями, выполненными из первого и второго немагнитных материалов.

Блок памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу // 2580072
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в блоках статических КМОП ОЗУ.

Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу // 2580071
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в блоках многопортовых статических КМОП ОЗУ.

Устройство выборки и хранения // 2580039
Изобретение относится к автоматике и измерительной технике и может быть использовано в аналого-цифровых системах обработки сигналов.

Отказоустойчивое оперативное запоминающее устройство // 2579954
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в сокращении информационной и аппаратурной избыточности за счет использования линейного кода.

Пленочная магнитная структура для электрически управляемых устройств свч // 2575123
Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для использования в качестве активного элемента в таких устройствах волноводного тракта, как управляемые магнитным полем полосовые фильтры, фазовращатели и амплитудные модуляторы.

Расширяемая файловая система // 2574824
Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к носителям информации. Технический результат - обеспечение формата расширяемой файловой системы для портативных носителей информации.

Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства с малым энергопотреблением // 2573757
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении величины спин-поляризованного записывающего тока при магнитосопротивлении 100% или больше.

Магнитный туннельный переход, содержащий поляризующий слой // 2573756
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокого туннельного магнитосопротивления, равного или большего 150%.

Многобитовая ячейка с синтетическим запоминающим слоем // 2573457
Изобретение относится к области электроники, а именно к способу записи и считывания более чем двух битов данных для ячейки магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM).

Ячейка статической оперативной памяти // 2573226
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении отказоустойчивости относительно необратимых отказов транзисторов.

Магнитоэлектрическое запоминающее устройство // 2573207
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении возможности устранить энергетический барьер между двумя стабильными состояниями во время переключения.

Многоуровневый магнитный элемент // 2573205
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении срока службы магнитного элемента за счет снижения тока нагрева, требуемого для нагрева магнитного элемента.

Магниторезистивная ячейка памяти и способ ее использования // 2573200
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении технологии изготовления магниторезистивной ячейки памяти.

Ячейка магнитной оперативной памяти с двойным переходом для применений троичной ассоциативной памяти // 2572464
Использование: для использования в качестве троичной ассоциативной памяти. Сущность изобретения заключается в том, что ячейка магнитной оперативной памяти (MRAM) включает в себя первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика, имеющим свободную намагниченность, и первым слоем твердого ферромагнетика, имеющим первую намагниченность хранения; второй туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и вторым слоем твердого ферромагнетика, имеющим вторую намагниченность хранения; причем первая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при первом высоком заранее определенном температурном пороге, и вторая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при втором заранее определенном высоком температурном пороге; при этом первый высокий заранее определенный температурный порог выше второго заранее определенного высокого температурного порога.

Способ и ассоциативное матричное устройство для обработки строковых данных // 2569567
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении быстродействия работы устройства для обработки строковых данных.

Термический магнитный элемент памяти с произвольным доступом с увеличенной долговечностью // 2565161
Настоящее изобретение предлагает магнитный элемент (1) памяти, пригодный для операции записи с термическим переключением, содержащий линию (4) тока в электрическом сообщении с одним концом магнитного туннельного перехода (2), где магнитный туннельный переход (2) содержит: первый ферромагнитный слой (21), имеющий фиксированную намагниченность; второй ферромагнитный слой (23), имеющий намагниченность, которая может быть свободно выстроена при заданном высоком температурном пороге; и туннельный барьер (22), обеспеченный между первым и вторым ферромагнитными слоями (21, 23); где линия (4) тока приспособлена для пропускания нагревающего тока (31) сквозь магнитный туннельный переход (2) во время операции записи; где упомянутый магнитный туннельный переход (2) дополнительно содержит, по меньшей мере, один нагревающий элемент (25, 26), приспособленный генерировать тепло, когда нагревающий ток (31) проходит сквозь магнитный туннельный переход (2); и термический барьер (30) последовательно с упомянутым, по меньшей мере, одним нагревающим элементом (25, 26), где упомянутый термический барьер (30) приспособлен ограничивать тепло, генерируемое упомянутым, по меньшей мере, одним нагревающим элементом (25, 26) в пределах магнитного туннельного перехода (2).

Способ управления фискальной памятью, монтажная схема фискального управления и фискальный принтер // 2563156
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокоскоростного считывания фискальной информации из памяти при соблюдении финансового регламента.

Способ изготовления статического оперативного запоминающего устройства и статическое оперативное запоминающее устройство (озу) // 2559768
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении помехоустойчивости ОЗУ путем уменьшения емкостей паразитных конденсаторов между элементами устройства.

Двухтактный динамический регистр сдвига // 2556437
Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для построения двухтактных динамических регистров сдвига в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников, в частности в фотоприемниках на микроболометрах.

Многоразрядная ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства с улучшенным полем считываемости // 2556325
Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (МОЗУ), содержит магнитный туннельный переход, содержащий туннельный барьерный слой между первым магнитным слоем, имеющим первое направление намагниченности, и вторым магнитным слоем, имеющим второе направление намагниченности, который является регулируемым от первого направления до второго направления таким образом, чтобы изменять сопротивление перехода магнитного туннельного перехода от первого до второго уровня сопротивления перехода.

Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу // 2554849
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении сбоеустойчивости к воздействию одиночных ядерных частиц без избыточного увеличения площади, занимаемой одной ячейкой памяти на кристалле в составе интегрального КМОП ОЗУ.

Магнитное устройство с оптимизированным ограничением тепла // 2553410
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потерь тепла в магнитном туннельном переходе.

Формирование необратимого состояния в одноразрядной ячейке, имеющей первый магнитный туннельный переход и второй магнитный туннельный переход // 2553087
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокоскоростного программирования одноразрядной ячейки.

Двухтактный сдвигающий регистр // 2549136
Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для построения двухтактных сдвигающих регистров в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников, в частности в фотоприемниках на микроболометрах.

Способ и устройство стирания записанной информации // 2549111
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении надежности при бесконтактном способе стирания информации.
 
2548490.
Наверх