С использованием запоминающих элементов с более чем двумя состояниями устойчивости, определяемыми импульсами, например напряжения, тока или импульсными изменениями фазы или частоты (G11C11/56)

G   Физика(403185)
G11C     Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17) (8290)
G11C11/56                     С использованием запоминающих элементов с более чем двумя состояниями устойчивости, определяемыми импульсами, например напряжения, тока или импульсными изменениями фазы или частоты (счетные устройства, содержащие элементы такого типа со многими состояниями устойчивости, H03K25, H03K29)(23)

Способ и система чтения состояния ячейки магниторезистивной памяти с переносом спина stt-mram // 2746237
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении вероятности возмущения чтением.

Многоуровневый магнитный элемент // 2573205
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении срока службы магнитного элемента за счет снижения тока нагрева, требуемого для нагрева магнитного элемента.

Спектротрон-спусковое устройство с несколькими устойчивыми состояниями // 1508283
Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики. .

Спектротрон с внутренней обратной связью // 1508282
Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики с целью упрощения. .

 // 240015

 // 213427

 // 206153
 
.
Наверх