С использованием транзисторов с переменным порогом, например лавинно-инжекционного моп-транзистора с плавающим затвором (G11C16/04)
G Физика(403185)
G11 Накопление информации(18772)
G11C Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17)
(8290)
G11C16/04 С использованием транзисторов с переменным порогом, например лавинно-инжекционного моп-транзистора с плавающим затвором(23)
Мемристорный элемент памяти // 2602765
Изобретение относится к микроэлектронике. Мемристорный элемент памяти содержит подложку с расположенным на ее рабочей поверхности проводящим электродом.
Ячейка памяти для быстродействующего эсппзу с управляемым потенциалом подзатворной области // 2465659
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства // 2357324
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, флэш-памяти, в портативных электронных устройствах, таких как цифровые видеокамеры и фотоаппараты, плееры, электронные карточки (смарт-карты).
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2249262
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и полупроводниковому элементу памяти. .
Полупроводниковое запоминающее устройство с энергонезависимыми ячейками памяти на двух транзисторах // 2213380
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству. .
Изобретение относится к устройствам и структурам интегральной микроэлектроники, в частности к интегральным ячейкам статической памяти и оперативным запоминающим устройствам БИС и ЭВМ. .
Изобретение относится к постоянному запоминающему устройству и способу его управления. .
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2169951
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с множеством запоминающих ячеек и применяется преимущественно в картах со встроенной микросхемой, таких как карты-удостоверения, кредитные карты, расчетные карты и др.
Изобретение относится к программируемым постоянным запоминающим устройствам типа электрически стираемого ПЗУ (ЭСППЗУ). .
Изобретение относится к энергонезависимым полупроводниковым запоминающим устройствам. .
Изобретение относится к энергонезависимой памяти и способам ее программирования. .
Изобретение относится к способам программирования запоминающего устройства и позволяет обеспечить одновременный контроль пороговых уровней при выполнении двухуровневого или многоуровневого программирования.
Запоминающее устройство типа "очереди // 1532977
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для сопряжения вычислительных устройств с разным быстродействием. .
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано при создании линий задержки , функционально законченных интегральных схем на приборах с зарядовой связью (ПЗС).
Регистр сдвига // 1136217
Ячейка памяти для регистра сдвига // 851495
Долговременный запоминающий элемент // 680054
Долговременный запоминающий элемент // 680053
Инжекционный запоминающий элемент // 680051
Ячейка памяти // 565327
