Элементы с непосредственной зарядкой бета-излучением (G21H1/02)
G Физика(403185)
G21 Ядерная физика, ядерная техника(6400)
G21H Получение энергии от радиоактивных источников; применение излучения радиоактивных источников; использование космического излучения (измерение ядерного или рентгеновского излучения G01T; термоядерные реакторы G21B; ядерные реакторы G21C; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному облучению H01L31)
(144)
G21H1/02 Элементы с непосредственной зарядкой бета-излучением(1)
Изобретение относится к области изготовления бета-вольтаических батарей. Способ включает изготовление преобразователей энергии путём формирования на одной из сторон алмазной подложки жертвенного и остаточного слоев, синтеза поверх остаточного слоя эпитаксиального слоя алмаза, удаления жертвенного слоя и отделения эпитаксиального слоя алмаза с остаточным слоем от основной части подложки.
Заявленная группа изобретений относится к области радиоизотопных генераторов электрического тока, а именно к конструкции и способу изготовления атомных батарей. Автономный источник питания (АИП) суперконденсаторного типа на основе бета-излучающих радионуклидов (стронция-90, или никеля-63, или технеция-99) включает защитный корпус, первый электрод с углеродсодержащим материалом, содержащим бета-излучающие радионуклиды, и второй металлический электрод.
Изобретение относится к полупроводниковым структурам карбида кремния. Карбид кремния: материал для радиоизотопного источника энергии, содержащий в своем составе монокристаллическую фазу полупроводниковой структуры карбида кремния в виде пленки, имеющей n- и р-тип проводимости для разделения электронно-дырочных пар, включает в молекулярной структуре карбида кремния элементы: изотоп углерода С12 и дополнительно С14 для преобразования его энергии излучения в электрическую энергию, при этом концентрация радиоизотопа С14 в одном из слоев n- или р-типа проводимости составляет от 5⋅1017 до 1020 см-3.
Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63 // 2715735
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых бета-вольтаических преобразователей на основе радионуклида никель-63 для использования в автономных источниках электрического питания. Способ изготовления полупроводниковых бета-вольтаических ячеек на основе радионуклида никель-63, заключающийся в нагревании металлического никеля, содержащего радионуклид 63Ni, до температуры его испарения в вакуумной камере, трехступенчатой селективной фотоионизации атомов целевого изотопа 63Ni путем одновременного импульсного облучения атомов пространственно совмещенными лазерными пучками с длиной волны с последующим осаждением фотоионов 63Ni электрическим полем на поверхность полупроводникового чипа, при этом полупроводниковый чип закрепляют в вакуумной камере на поверхности прогреваемого коллектора и нагревают до температуры 800÷1500 К, при этом увеличивая плотность пленки металлического никеля за счет кристаллизации 63Ni, с последующим охлаждением коллектора с чипом до комнатной температуры в вакууме.
Изобретение относится к устройству прямого преобразовании энергии радиохимического бета-распада изотопа в разность потенциалов и предназначено для использования в автономных системах как источник постоянного электрического тока.
Изобретение относится к средству производства низковольтного электричества. Предусмотрено прохождение ядерных частиц через по меньшей мере один слой активированного сцинтиллятора с получением электромагнитного излучения и преобразования в электрическую энергию за счет внутреннего фотоэффекта посредством передачи излучения до полупроводникового элемента.
Электрод суперконденсатора // 2670281
Изобретение относится к электронной технике, в частности к суперконденсаторам. Изобретение может быть использовано в энергетике, при создании высокоэффективных генераторов и накопителей электрической энергии, в автономных мобильных миниатюрных слаботочных источниках питания, применяемых в системах микроэлектроники.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам изготовления суперконденсаторов. Способ изготовления электрода суперконденсатора заключается в нанесении на проводящую подложку буферного слоя, каталитического слоя, затем диэлектрического слоя, вскрытии в диэлектрическом слое матрицы окон до каталитического слоя с поперечным размером 40-60 мкм, осаждении в окнах массивов вертикально ориентированных углеродных нанотрубок, функционализации поверхности углеродных нанотрубок кислородсодержащими группами, формировании слоя полианилина, содержащего изотоп С-14, на вертикально ориентированных углеродных нанотрубках электрохимическим осаждением, отжиге.
Изобретение относится к технике безотходной ядерной технологии. Компактный бетавольтаический источник тока длительного пользования с бета-эмиттером, представляющий собой сборку «сэндвичевой» структуры в виде стопки чередующихся между собой единичных или комплектных микроисточников тока, где каждый из микроисточников тока содержит кремнийсодержащую n+ легированную пластинку с р+ эпитаксиальным слоем, и источник бета-частиц в виде содержащего радиоизотоп никеля-63 металлического электропроводного слоя, контактирующего с одной или с двух сторон с полупроводниковым преобразователем, и систему токосъемных электродов для подключения к нагрузке, при этом в качестве полупроводникового преобразователя энергии бета-частиц в электрическую энергию - матрицу монокристаллического р-кремния, а в качестве источника бета-частиц - соразмерную с пластинкой полупроводника токопроводящую металлическую пластинку, в качестве системы токосъемных электродов - комбинацию системы внутренних встроенных с обеих сторон кремниевой пластинки по всей площади поверх слоя нитрида кремния серебряных линейных электродов.
Изобретение относится к устройствам для получения электроэнергии за счет радиоактивного распада атомов. .
