Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти и элементы памяти для них (G11C11)

G   Физика(403185)
G11C     Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17) (8290)
G11C11                 Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них (G11C14- G11C21 имеют преимущество)(3053)
G11C11/08 - Многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти ( G11C11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C11/06)(162)
G11C11/10 - Многоосевых(15)
G11C11/14 - Тонкопленочных(737)
G11C11/24 - С использованием конденсаторов ( G11C11/22 имеет преимущество; использование сочетания полупроводниковых приборов и конденсаторов G11C11/34, например G11C11/40)(23)
G11C11/30 - Вакуумных ламп ( G11C11/23 имеет преимущество)(6)
G11C11/39 - Тиристоров(20)
G11C11/40 - Транзисторов(553)
G11C11/408 - Адресные схемы(1)

Управляющий автомат с контролем состояний // 2793301
Настоящее изобретение относится к вычислительной технике и дискретной автоматике и может быть использовано для создания информационно-управляющих подсистем мехатроники и робототехники, летательных аппаратов, измерительных систем, систем оборонного комплекса и других средств автоматизации технологических процессов и производств.

Схема передачи, схема интерфейса и запоминающее устройство // 2789365
Изобретение относится к области запоминающих устройств статического типа. Технический результат заключается в снижении энергопотребления схемы.

Способ оценки сечений одиночных радиационных сбоев в микросхемах запоминающих устройств при воздействии потоков нейтронов // 2788478
Изобретение относится к способам оценки сечений радиационно-индуцированных сбоев в микросхемах статической памяти при воздействии потоков нейтронов произвольного спектра до 14 МэВ и может быть использовано в рамках мероприятий по обеспечению сбоеустойчивости аппаратуры, определенной к эксплуатации в условиях воздействий нейтронных потоков с произвольным спектрально-энергетическим составом в диапазоне до 14 МэВ путем расчетно-экспериментальной оценки на основе пересчета экспериментальных сечений сбоев, полученных с помощью доступных источников нейтронов, на сечение сбоев в прогнозируемых условиях при эксплуатации.

Ячейка памяти статического оперативного запоминающего устройства с радиоактивным источником питания // 2777553
Изобретение относится к наноэлектронике и служит для создания энергонезависимого статического оперативного запоминающего устройства с произвольной выборкой информации. Техническим результатом является уменьшение энергопотребления и повышение степени интеграции.

Самоконтролируемый автомат // 2775173
Изобретение относится к вычислительной технике и дискретной автоматике и может быть применено в информационно-измерительных системах, в мехатронике и робототехнике, для управления токсичными, пожаро- и взрывоопасными производствами, транспортными системами и другими средствами автоматизации технологических процессов.

Конвертор спинового тока в зарядовый ток на основе гетероструктуры из перовскитов переходных металлов // 2774958
Изобретение относится к приборам спинтроники и может быть использовано в информационных системах и радиотехнических устройствах СВЧ-диапазона. Конвертор спинового тока в зарядовый ток содержит образованную на кристаллической подложке гетероструктуру на основе тонких пленок перовскитов переходных металлов, включающую ферромагнитный слой стронций допированного манганита Lа0.7Sr0.3МnО3 и детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrO3, и пленочные металлические электроды, связанные с электрической схемой управления и регистрации напряжения, при этом согласно изобретению гетероструктура имеет планарную геометрию, при этом кристаллическая подложка выполнена из галлата неодима NdGaO3, кристаллографическая плоскость (110) которого совпадает с направлением вектора намагниченности сформированного на подложке слоя манганита Lа0.7Sr0.3МnО3, а детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrО3 нанесен поверх упомянутого слоя манганита, причем пленочные металлические электроды размещены в одной плоскости и расположены на свободной поверхности детектирующего слоя.

Способ формирования сверхпомехоустойчивого бистабильного термомагнитного запоминающего элемента для записи и хранения информации // 2771596
Изобретение может быть использовано в устройствах для записи и хранения информации. Cпособ формирования сверхпомехоустойчивого бистабильного термомагнитного запоминающего элемента для записи и хранения информации включает формирование запоминающего элемента из монокристалла варвикита, в котором запись информации осуществляют путем установления температуры монокристалла варвикита выше температуры магнитного фазового перехода, приложения вдоль оси легкого намагничивания монокристалла варвикита слабого магнитного поля и перевод монокристалла из парамагнитного в магнитоупорядоченное состояние путем охлаждения в этом поле до криогенной температуры: температуры жидкого водорода или жидкого гелия, а хранение информации в запоминающем элементе осуществляют при криогенной температуре в отсутствие магнитного поля.

Накопитель магнитный с разделёнными областями // 2757659
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности хранения информации.

Способ и система чтения состояния ячейки магниторезистивной памяти с переносом спина stt-mram // 2746237
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении вероятности возмущения чтением.

Способ синтеза шпинели ganb4se8 // 2745973
Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNb4Se8 из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле.

Устройство для переключения мемристора // 2744246
Изобретение относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использовано для стабильного переключения такого мемристора за счет автоматической подстройки формы и длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние.

Способ управления работой мемристора и устройство для его осуществления // 2737794
Группа изобретений относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использована для управления стабильной работой такого мемристора за счет автоматической подстройки длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние.

Радиационно-стойкое статическое оперативное запоминающее устройство (озу) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2725328
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении устойчивости к одиночным сбоям.

Ячейка магнитной памяти с произвольным доступом // 2704732
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении степени надежности хранения информации в ячейке MRAM.

Запоминающее устройство с изменением сопротивления // 2702271
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в предотвращении ошибок считывания и записи.

Порт чтения // 2693331
Изобретение относится к устройствам цифровой вычислительной техники и может быть использовано в качестве базового элемента при построении многопортовых запоминающих устройств. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей порта за счет его использования при построении многопортовых запоминающих устройств.

Радиационно-стойкий элемент памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2692307
Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого элемента памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с повышенной стойкостью к внешним радиационным факторам.

Способ управления электропитанием, устройство для разветвителя питания и разветвитель питания // 2688759
Изобретение относится к способу управления электропитанием, устройству для разветвителя питания и разветвителю питания. Технический результат - изобретение обеспечивает гибкое управление состоянием питания розетки разветвителя питания, так что может быть предотвращена избыточная зарядка электронного устройства, а также может быть предотвращена подача электроэнергии в электронное устройство, не требующее подачи электроэнергии, что не только обеспечивает экономию электроэнергии, но также предохраняет электронное устройство.

Ячейка оперативного запоминающего устройства // 2688242
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении диапазона выходного напряжения ячейки до уровня питающего напряжения при сохранении повышенной сбоеустойчивости.

Устройство памяти и система памяти // 2682843
Изобретение относится к области вычислительной техники. Техническим результатом является повышение надежности хранения данных при сохранении высокого быстродействия системы памяти.

Полупроводниковое запоминающее устройство // 2681344
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении скорости считывания данных.

Устройство записи информации для магниторезистивной оперативной памяти // 2677564
Изобретение относится к области спинтроники и компьютерных технологий и предназначено для использования в оперативных запоминающих устройствах. Технический результат заключается в увеличении быстродействия устройства.

Радиационно-стойкий элемент памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2674935
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого элемента памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах, выполненных по технологии объемного кремния, с повышенной стойкостью к внешним радиационным факторам.

Радиационно-стойкая библиотека элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2674415
Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является создание радиационно-стойкой библиотеки элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник (КМОП) транзисторах с меньшей площадью элементов на кристалле по вертикали пропорционально шагу топологической сетки, повышенным быстродействием и повышенным выходом годных элементов на кристалле за счет расположения р+ охраны вдоль внешней границы стоков/истоков транзисторов n-типа с разными потенциалами, при этом заполнения р+ охраной всей свободной площади подложки, а также за счет соединения поликремнием затворов транзисторов.

Сегнетоэлектрический элемент памяти и сумматор // 2668716
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании надежного сегнетоэлектрического элемента памяти с дискретным набором возможных состояний числом больше двух.

Способ и система для обновления динамического оперативного запоминающего устройства (dram) и устройство // 2665883
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении возможности для информации обновления быть конфигурируемой для каждой единицы обновления в динамическом оперативном запоминающем устройстве (DRAM).

Многопортовая ячейка оперативного запоминающего устройства // 2665248
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении диапазона выходного напряжения ячейки до уровня питающего напряжения при сохранении повышенной сбоеустойчивости, увеличении нагрузочной способности ячейки и напряжения выходного сигнала.

Магниторезистивное запоминающее устройство // 2653131
Согласно одному варианту осуществления магниторезистивное запоминающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и запоминающие элементы, имеющие переключаемое сопротивление.

Электронно-лучевое запоминающее устройство // 2652590
Изобретение относится к области вакуумной эмиссионной электроники и вычислительной техники и предназначено для записи, хранения и считывания информации. По принципу действия устройство относится к эмиссионной электронике, а по результатам действия - к постоянным запоминающим устройствам.

Комбинированный элемент магниторезистивной памяти (варианты), способы считывания информации с элемента (варианты), способы записи информации на элемент (варианты) // 2648948
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении сохранности информации в элементах на битовых ячейках магниторезистивной памяти (MRAM).

Обновление данных, сохраненных в перекрестной энергонезависимой памяти // 2644120
Группа изобретений относится к запоминающим устройствам и может быть использована для обновления ячеек памяти. Техническим результатом является повышение надежности перекрестной энергонезависимой памяти.

Обучение чтению контроллера памяти // 2643664
Группа изобретений относится к вычислительной технике и может быть использована для обучения чтению контроллера памяти. Техническим результатом является повышение эффективности обучения чтению.

Логическая матрица на основе мемристорной коммутационной ячейки // 2643650
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов и устройств и направлено на создание устройства с высокой степенью интеграции элементов, выполняющего логические операции и содержащего матрицу высокоскоростных переключателей на основе электрически перепрограммируемых ячеек.

Полупроводниковое запоминающее устройство // 2643629
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении включения запоминающего устройства в состав системы без увеличения количества выводов или уменьшения скорости работы.

Полупроводниковое запоминающее устройство // 2642960
Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что полупроводниковое запоминающее устройство включает массив ячеек, включающий в себя множество элементов изменения сопротивления, сформированных над полупроводниковой подложкой, множество первых транзисторов ячеек, сформированных на полупроводниковой подложке и обеспеченных в ассоциации с элементами изменения сопротивления, множество первых затворных электродов, включенных в первые транзисторы ячеек и простирающихся в первом направлении, первые разрядные шины, электрически соединенные с элементами изменения сопротивления соответственно и простирающиеся во втором направлении, перпендикулярном к первому направлению, вторые разрядные шины, электрически соединенные с одним концом пути тока первых транзисторов ячеек соответственно и простирающиеся во втором направлении, и множество первых активных областей, в которых сформированы первые транзисторы ячеек и которые простираются в направлении, пересекающем первое направление под первым углом; и контроллер разрядных шин, включающий в себя множество вторых транзисторов ячеек, сформированных на полупроводниковой подложке, и каждый имеет путь тока с одним концом, электрически соединенным с первыми разрядными шинами или вторыми разрядными шинами, множество вторых затворных электродов, включенных во вторые транзисторы ячеек и простирающихся в первом направлении, и множество вторых активных областей, в которых сформированы вторые транзисторы ячеек и которые простираются в направлении, пересекающем первое направление под вторым углом.

Полупроводниковое запоминающее устройство // 2641478
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении количества сдвиговых регистров, используемых для запаздывания.

Способ увеличения полосы пропускания в стековых запоминающих устройствах // 2636670
Группа изобретений относится к запоминающим устройствам. Техническим результатом является увеличение скорости передачи данных и полосы пропускания системной памяти.

Полупроводниковое запоминающее устройство // 2634217
Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам. Техническим результатом является реализация запоминающего устройства, выполненного с возможностью высокоскоростной работы и обладающего большой емкостью.

Магнитная память и способ управления ею // 2628221
Группа изобретений относится к магнитной памяти и способу управления магнитной памятью. Магнитная память содержит массив ячеек, включающий в себя множество ячеек памяти, расположенных вдоль первого и второго направлений, при этом массив ячеек включает в себя первую область и вторую область вокруг первой области, и каждая ячейка памяти включает в себя элемент с магниторезистивным эффектом в качестве элемента памяти; и схему чтения, чтобы считывать данные из ячейки памяти, выбранной на основе сигнала адреса из числа ячеек памяти, при этом схема чтения выбирает один уровень определения из множества уровней определения на основе области из числа первой и второй областей, в которой расположена выбранная ячейка памяти и использует выбранный уровень определения, чтобы выполнять считывание данных из выбранной ячейки памяти.

Запоминающее устройство на основе изменения сопротивления // 2620502
Группа изобретений относится к запоминающим устройствам. Технический результат – сокращение времени записи/считывания.

Полупроводниковое запоминающее устройство // 2618368
Группа изобретений относится к полупроводниковым запоминающим устройствам. Техническим результатом является увеличение скорости работы запоминающего устройства.

Электронная система малой мощности, использующая энергонезависимую магнитную память // 2616171
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потребляемой мощности и времени для считывания и записи.

Способ получения материала фазовой памяти // 2610058
Изобретение относится к получению халькогенидных ⋅полупроводниковых сплавов, используемых в устройствах энергонезависимой фазовой памяти. Предложен способ получения материала фазовой памяти, включающий измельчение и смешивание исходных компонентов, выбираемых из следующей пропорции:: 66,7 мол.

Архитектура расширения оптической памяти // 2603553
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении полосы пропускания запоминающего устройства.

Ячейка магнитной памяти с произвольным доступом с улучшенным рассеиванием переключающего поля // 2599956
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в понижении потребления электроэнергии и улучшении рассеивания переключающего поля.

Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой // 2599948
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении низкого потребления питания и увеличенной скорости при записи и чтении ячейки памяти.

Ячейка mram и способ для записи в ячейку mram с использованием термической операции записи с пониженным током поля // 2599941
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении пониженного тока поля.

Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (mram) с самоадресацией, содержащая ферримагнитные слои // 2599939
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении записи и считывания ячейки MRAM с использованием слабого поля записи/считывания.

Магнитный записывающий элемент // 2595588
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении операций записи без наложения внешнего магнитного поля.

Самоотносимая ячейка mram с оптимизированной надежностью // 2591643
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении эффективности нагрева магнитного туннельного перехода при минимизации рисков пробоя и старения туннельных барьерных слоев.
 
.
Наверх