Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2] (H01L21)
H Электричество(232322)
H01L21 Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L31- H01L49, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C, C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2](4072)
H01L21/02 - Изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей (отличающиеся использованием органических материалов H01L51/40)(110)
H01L21/027 - Образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам H01L21/18 или H01L21/34[5](25)
H01L21/033 - С неорганическими слоями(2)
H01L21/08 - Подготовка пластины основания(5)
H01L21/10 - Предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации(12)
H01L21/103 - Придание селену или теллуру электропроводности(3)
H01L21/12 - Наложение электродов на поверхность селена или теллура, после наложения селена или теллура на пластину основания(3)
H01L21/14 - Обработка законченного прибора, например путем электроформования с целью образования потенциального барьера(1)
H01L21/20 - Нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание(274)
H01L21/203 - Физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием(41)
H01L21/208 - Жидкостным напылением(48)
H01L21/223 - Диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую(8)
H01L21/225 - Диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя(43)
H01L21/24 - Сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой(19)
H01L21/26 - Воздействие волновым излучением или излучением частиц (тепловое излучение H01L21/324)(336)
H01L21/263 - С высокой энергией ( H01L21/261 имеет преимущество)(72)
H01L21/265 - С внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J37/30)(135)
H01L21/266 - С использованием масок(1)
H01L21/268 - С использованием электромагнитного излучения, например лазерного(82)
H01L21/28 - Изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L21/20-H01L21/268(196)
H01L21/285 - Из газа или пара, например способом конденсации(16)
H01L21/288 - Из жидкости, например способом электролитического осаждения(14)
H01L21/30 - Обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L21/20- H01L21/26 (изготовление электродов на полупроводниковых телах H01L21/28)(472)
H01L21/301 - Для подразделения полупроводниковой подложки на отдельные части, например образование перегородок (резка H01L21/304)(1)
H01L21/302 - Для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка(72)
H01L21/304 - Механическая обработка, например шлифование, полирование, резка(60)
H01L21/306 - Обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L21/3105)(281)
H01L21/3063 - Электролитическое травление(15)
H01L21/3065 - Плазменное травление; ионное травление(52)
H01L21/308 - С использованием масок ( H01L21/3063,H01L21/3065 имеют преимущество)(47)
H01L21/31 - С целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (для получения электродных слоев H01L21/28, герметизирующих слоев H01L21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев(233)
H01L21/3105 - Последующая обработка(11)
H01L21/311 - Травление(9)
H01L21/312 - Из органических веществ, например слоев фоторезиста ( H01L21/3105,H01L21/32 имеют преимущество)(71)
H01L21/314 - Из неорганических веществ ( H01L21/3105, H01L21/32 имеют преимущество)(8)
H01L21/316 - Из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов(94)
H01L21/318 - Из нитридов(18)
H01L21/32 - С использованием масок(126)
H01L21/3205 - Осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои (устройства для проведения электрического тока внутри прибора H01L23/52); последующая обработка этих слоев (изготовление электродов H01L21/28)(5)
H01L21/321 - Последующая обработка(5)
H01L21/3213 - Физическое или химическое травление слоев, например для образования формы слоя из предварительно нанесенного слоя, образующего фактор экстенсивности(2)
H01L21/322 - Для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки(32)
H01L21/324 - Термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание ( H01L21/20-H01L21/288 и H01L21/302- H01L21/322 имеют преимущество)(52)
H01L21/326 - Применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования ( H01L21/20-H01L21/288 и H01L21/302-H01L21/324 имеют преимущество)(8)
H01L21/328 - Многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров(5)
H01L21/329 - Приборов, имеющих один или два электрода, например диодов(18)
H01L21/33 - Приборов, имеющих три или более электродов(132)
H01L21/331 - Транзисторов(37)
H01L21/332 - Тиристоров(6)
H01L21/334 - Многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов(1)
H01L21/335 - Полевых транзисторов(26)
H01L21/336 - С изолированным затвором(42)
H01L21/337 - С управляющим p-n-переходом(1)
H01L21/338 - С затвором в виде барьера шотки(15)
H01L21/34 - Изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L21/06,H01L21/16 и H01L21/18[2](13)
H01L21/36 - Нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание(43)
H01L21/363 - С использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления(15)
H01L21/365 - С использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение(7)
H01L21/368 - С использованием жидкостного осаждения(8)
H01L21/383 - Диффузия в твердую фазу из газовой фазы, или обратная диффузия(2)
H01L21/385 - Диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою(4)
H01L21/40 - Сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой(14)
H01L21/42 - Воздействие излучением(26)
H01L21/423 - Высокой энергией(3)
H01L21/44 - Изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в H01L21/36-H01L21/428(22)
H01L21/443 - Из газа или пара, например конденсацией(3)
H01L21/445 - Из жидкости, например электролитическим осаждением(2)
H01L21/447 - С использованием давления, например соединение с помощью теплового сжатия ( H01L21/607 имеет преимущество)(2)
H01L21/46 - Обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в H01L21/36-H01L21/428 (изготовление электродов на них H01L21/44)(52)
H01L21/461 - Для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой(11)
H01L21/465 - Обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для формования диэлектрического слоя H01L21/469)(21)
H01L21/467 - С использованием масок(3)
H01L21/469 - Для образования на них диэлектрических слоев, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (слоев, образующих электроды H01L21/44, герметизирующих слоев H01L21/56); последующая обработка этих слоев(2)
H01L21/47 - Из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L21/475,H01L21/4757 имеют преимущество)(39)
H01L21/477 - Термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием ( H01L21/36-H01L21/449 и H01L21/461-H01L21/475 имеют преимущество)(16)
H01L21/479 - Обработка с использованием электрического тока или электрических полей, например для электроформования ( H01L21/36-H01L21/449 и H01L21/461- H01L21/477 имеют преимущество)(9)
H01L21/48 - Изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L21/06-H01L21/326 (корпуса, герметизирующие оболочки, заполнение, монтаж как таковые H01L23)(27)
H01L21/50 - Сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L21/06- H01L21/326(30)
H01L21/52 - Монтаж полупроводниковой подложки в корпусе(22)
H01L21/54 - Заполнение корпуса, например газом(1)
H01L21/56 - Герметизация, например пленками или покрытиями(18)
H01L21/58 - Крепление полупроводникового прибора на опоре(34)
H01L21/60 - Присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора(51)
H01L21/603 - С использованием давления, например соединение тепловым сжатием ( H01L21/607 имеет преимущество)(6)
H01L21/64 - Изготовление или обработка неполупроводниковых приборов на твердом теле, кроме приборов, предусмотренных в группах H01L31-H01L49(5)
H01L21/66 - Испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R31/26)(812)
H01L21/68 - Аппаратура для крепления или установки компонентов во время изготовления, например зажимные приспособления, шаблоны, калибры(111)
H01L21/74 - Получение скрытых подложек с большим содержанием примесей, например скрытых коллекторных слоев, внутренних соединений(1)
H01L21/76 - Получение изоляционных областей между компонентами(81)
H01L21/761 - P-n переходов(3)
H01L21/762 - Диэлектрических областей(13)
H01L21/763 - Поликристаллических полупроводниковых областей(1)
H01L21/764 - Воздушных зазоров(2)
H01L21/768 - С применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора(12)
H01L21/78 - С последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов, H01L21/304)(52)
H01L21/782 - Для получения приборов, каждый из которых состоит из отдельного электрического элемента ( H01L21/82 имеет преимущество)(4)
H01L21/784 - На подложке из полупроводникового материала(3)
H01L21/82 - Для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов(111)
H01L21/822 - Полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии ( H01L21/8258 имеет преимущество)(12)
H01L21/8222 - Технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах(6)
H01L21/8228 - Комплементарные приборы, например комплементарные транзисторы(1)
H01L21/8229 - Структуры памяти(4)
H01L21/8232 - Технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах (8)
H01L21/8236 - Комбинация обеднения или обогащения транзисторов(1)
H01L21/8238 - На комплементарных полевых транзисторах, например кмоп-структуры(15)
H01L21/8239 - Структуры памяти(2)
H01L21/8246 - Структуры памяти только считывающие (пзу)(3)
H01L21/8247 - Электрически программируемые (спзу)(4)
H01L21/8248 - Комбинация технологий изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и полевых транзисторах(8)
H01L21/8258 - На подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках H01L21/822,H01L21/8252, H01L21/8254 или H01L21/8256(3)
H01L21/98 - Сборка прибора, состоящего из твердотельных элементов, сформированных на общей подложке; сборка интегральных схем ( H01L21/50 имеет преимущество; блоки приборов H01L25)(34)
Способ защиты кристаллов на основе стекла // 2792924
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла, с целью защиты поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Способ формирования пленки Ti-Ge на поверхности кремниевой пластины включает размещение кремниевой пластины в установке вакуумного напыления и напыления Ti-Ge в едином технологическом цикле, пленку напыляют толщиной 1,5±0,5 мкм и время напыления составляет 4±2 мин.
Платиновая резистивная паста // 2792330
Изобретение относится к области электротехники, а именно к платиновой резистивной пасте, которая может использоваться в процессах формирования пленочных элементов микроэлектронных устройств, в частности для изготовления полупроводниковых газовых сенсоров.
Цель изобретения состоит в получении углеродной алмазоподобной пленки с достаточной концентрацией графитоподобных кластеров, формирующих цепочечные структуры проводящих каналов и определение порогового эффекта переключения типа носителя заряда в проводящем канале углеродной алмазоподобной пленке.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов. Способ изготовления полупроводниковых приборов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и контактов к ним.
Способ формирования полевых транзисторов // 2791268
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с силицидом молибдена с пониженным значением контактного сопротивления.
Изобретение относится к области твердотельной СВЧ микроэлектроники и может быть использовано при создании транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем на подложках карбида кремния. Способ формирования сквозных металлизированных отверстий в подложке карбида кремния включает следующие операции.
Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки // 2790944
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки включает носитель, расположенный на подвижной опорной плите, с возможностью перемещения по направляющим полозьям, содержит верхнюю часть с конструктивными элементами, расположенными параллельно пропилам на полупроводниковой пластине, нижнюю опорную часть, а также наковальню, выполненными с возможностью изгибающего воздействия на полупроводниковую пластину посредством пневматического давления.
Способ формирования омических контактов к кремнию на основе двухслойной системы металлизации ti/au // 2790272
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для формирования омических контактов в кремниевых приборах, например, приборов, к которым относятся фоточувствительные элементы, работающие в фотовольтаическом режиме, ограничительные диоды, выпрямители, солнечные элементы и др.
Изобретение относится к механической обработке пластин из полупроводниковых материалов и может быть использовано при изготовлении диодов, транзисторов и микросхем. Механическая обработка пластин проводится для их утонения, чтобы уменьшить их тепловое и электрическое сопротивление.
Способ предназначен для определения эффективного времени жизни (τeff) неравновесных носителей заряда в локальных участках солнечного элемента (СЭ) и последующей оценки его качества, а также обнаружения его дефектов с целью их последующего устранения.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов (фотоприемники ультрафиолетового диапазона, светоизлучающие диоды, датчики температуры и давления).
Изобретение относится к области микроэлектронной техники, предлагаемый способ характеризуется тем, что жесткую маску с окнами, соответствующими топографическому рисунку наносимого металлического слоя, выполняют из кремниевой пластины диаметром, совпадающим с диаметром крышки, выполняемой из германия и имеющей на одной стороне просветляющее покрытие, а на другой - металлический слой в виде ранее напыленного топологического рисунка.
Способ создания моп-структур // 2789188
Областью применения предлагаемого изобретения является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а именно производство радиационно-стойких МОП-структур. Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение радиационной стойкости МОП-структур при воздействии гамма-излучения.
Изобретение относится к области использования материалов в виде многослойных реакционных энергетических фольг с эффектом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС). Цель изобретения - разработка способа электрического инициирования СВС реакции путем пропускания тока через присоединенные к поверхности многослойной реакционной энергетической фольги контакты.
Устройство для аналого-цифрового преобразования фототока в цифровой код относится к области интегральной микроэлектроники и предназначено для систем обработки оптической информации, в частности, при преобразовании сигнала в ячейках считывания фоточувствительных матриц.
Группа изобретений относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использована при создании функциональных элементов полупроводниковых приборов. Функциональный элемент полупроводникового прибора представляет собой подложку из кремния со сформированной приповерхностной двухслойной карбидокремниевой структурой толщиной (0,5-5) мкм.
Изобретение относится к способам применения электрических приборов и нанокомпозитным материалам на основе диэлектриков и металлов для оптоэлектроники, мемристорной электроники, оптическим компьютерам (в т.ч.
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам изготовления гибридных интегральных схем, например генераторного модуля СВЧ-диапазона. Cпособ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной печатной платы, с одним сквозным отверстием, изготовление заданного топологического рисунка металлизационного покрытия на лицевой стороне каждого диэлектрического слоя и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне, нижнего слоя многослойной печатной платы, формирование сквозного отверстия в многослойной печатной плате посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий, последующее их соединение, размещение и закрепление навесного компонента на лицевой поверхности верхнего диэлектрического слоя многослойной платы, электрическое соединение, контакта каждого навесного компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы, совмещение диэлектрических слоев проводят по штифтам и базовым отверстиям, а соединение слоев платы проводят препрегом, при формировании заданного топологического рисунка металлизационного покрытия на верхнем диэлектрическом слое, на его обратной стороне изготавливают экранную заземляющую металлизацию, часть отверстий в многослойной плате выполняют металлизированными, компоненты схемы: коаксиальный диэлектрический резонатор, генераторный и управляющий компоненты, образующие генератор, управляемый напряжением, располагают на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя, при формировании верхнего диэлектрического слоя, под топологическим рисунком металлизации с генераторным, управляющим компонентами и коаксиальным диэлектрическим резонатором, составляющую СВЧ-часть схемы генератора, с обратной стороны верхнего слоя многослойной платы удаляют экранную заземляющую металлизацию, изготавливают диэлектрический резонатор, с выходом коаксиального вывода на торцевой поверхности и металлизацией на боковой поверхности, часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, имеющего в своем составе емкостные связи, располагают на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора, обращенной к активным генераторному и управляющему компонентам, и электрически соединяют с проводниками топологического рисунка, причем емкостные связи выполняют в виде зазоров, формируют проводники топологического рисунка проводников и соединяемые с ними проводники на торцевой поверхности диэлектрического резонатора таким образом, чтобы они совпадали между собой по месту расположения, причем соединение проводников осуществляют путем присоединения верхних концов соединительных проводников к нижним концам проводников топологического рисунка на торце диэлектрического резонатора, коаксиальный диэлектрический резонатор устанавливают металлизацией боковой поверхности непосредственно на металлизированную площадку, резонатор закрепляют и электрически соединяют с металлизированной площадкой топологического рисунка верхнего слоя многослойной платы; а металлизированную площадку топологического рисунка, с закрепленным диэлектрическим резонатором, соединяют с экранной заземляющей металлизацией обратной стороны нижнего слоя многослойной печатной платы через металлизированные отверстия, многослойную плату устанавливают и закрепляют на дне металлического корпуса с крышкой, а герметизацию корпуса осуществляют присоединением крышки.
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ изготовления мощного полевого транзистора СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия согласно изобретению включает формирование на лицевой поверхности подложки полупроводниковой гетероструктуры на основе нитрида галлия в виде последовательности слоев, формирование заданной топологии элементов активной области полевого транзистора на слоях полупроводниковой гетероструктуры, предусматривающей формирование канала в виде двумерного электронного газа вблизи гетерограницы слоев узкозонного и широкозонного материалов полупроводниковой гетероструктуры, омических контактов электродов истока и стока, щели под электрод затвора, самого электрода затвора типа барьера Шоттки, формирование пассивирующего покрытия из диэлектрического материала, при этом формирование полупроводниковой гетероструктуры на подложке и последовательности технологических операций технологического процесса изготовления в целом осуществляют в два этапа, на первом этапе осуществляют формирование прямой последовательности слоев полупроводниковой гетероструктуры – буферного слоя GaN толщиной (2,0-3,0)×10-6 м, слоя AlN толщиной (0,5-0,7)×10-9 м, барьерного слоя AlxGa1-xN, где х равно 0,24-0,26, толщиной менее 25,0×10-9 м, дополнительного пассивирующего покрытия Si3N4 на лицевой поверхности барьерного слоя AlxGa1-xN толщиной (5,0-10,0)×10-9 м, при этом вышеупомянутые слои формируют в едином технологическом процессе, формирование топологии элементов активной области полевого транзистора на лицевой поверхности барьерного слоя AlxGa1-xN, при одновременном определении расположения активной области щели под электрод затвора, посредством метода реактивного ионного травления в индуктивно-связанной плазме смеси газов – Cl2 и BCl3, при их соотношении 1:9 соответственно, давлении 3,1-3,3 Па, на втором этапе осуществляют формирование контактного слоя полупроводниковой гетероструктуры, в виде GaN, в области расположения электродов истока и стока соответственно на глубине, равной сумме толщин упомянутых слоев полупроводниковой гетероструктуры, сформированных на первом этапе, от лицевой поверхности барьерного слоя AlxGa1-xN и до (1,9-2,9)×10-6 м от обратной поверхности буферного слоя GaN, при одновременном легировании контактного слоя GaN донорной примесью кремния Si с концентрацией легирующей примеси 1019-1020 см-3, формирование меза-изоляции активной области полевого транзистора посредством метода реактивного ионного травления в индуктивно-связанной плазме смеси газов – Cl2 и BCl3, при их соотношении 1:9 соответственно, давлении 3,1-3,3 Па, омических контактов электродов истока и стока на лицевой поверхности упомянутого контактного слоя в виде GaN, щели под электрод затвора согласно иной топологии элементов активной области полевого транзистора и самого электрода затвора, пассивирующего покрытия одновременно на всей лицевой поверхности активной области полевого транзистора толщиной (50-100)×10-9 м, с обеспечением защиты электродов истока, стока, канала и электрода затвора.
Способ изготовления sers-активной подложки // 2787341
Изобретение относится к области технологии создания наноструктурированных материалов для сверхчувствительной диагностики состава и строения органических веществ методом SERS-спектроскопии. Для изготовления SERS-активной подложки получают шаблон, представляющий собой полимерную пленку толщиной 10-20 мкм с массивом сквозных, по существу, одинаковых цилиндрических каналов диаметром 20-2000 нм, поверхностной плотностью 105-109 см-2.
Способ формирования полевых транзисторов // 2787299
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления оксинитрида кремния, устойчивого к дефектообразованию и воздействию горячих носителей.
Изобретение относится к области оптоэлектроники и к оптическим лазерным технологиям формирования топологических микроразмерных структур на подложках. Способ формирования периодического рисунка на поверхности аморфных тонких пленок фазопеременных халькогенидных материалов включает лазерное локальное облучение предварительно нанесенной пленки, при этом в результате однократного сканирования лазерным пучком формирование перезаписываемых двухфазных периодических структур происходит в доабляционном энергетическом режиме в процессе периодической локальной кристаллизации пленки фазопеременных халькогенидных материалов в поле импульсного линейно поляризованного лазерного излучения ультракороткой длительности с длиной волны 1030±10 нм, движущегося относительно поверхности пленки со скоростью сканирования от 1 до 200 мкм/с, причем лазерное облучение проводят импульсами с длительностью от 150 фс до 2 пс, частотой следования от 1 до 500 кГц и плотностью потока энергии от 3,0 до 3,6 мДж/см2.
Способ формирования силицида // 2786689
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования силицида включает электронно-лучевое нанесение палладия толщиной 50 нм в вакууме на кремниевую подложку и отжиг, при этом согласно изобретению нанесение осуществляют испарением, которое проводят в вакууме при давлении 1·10-5 Па с последующим воздействием пучка ионов Ar энергией 200 кэВ под углом 7° дозой 3·1016 см-2 и плотностью тока ионного пучка 1,5 мкА/см2 при температуре 50°С со скоростью роста 0,3 нм/с, а отжиг осуществляют при температуре 200°С в вакууме 1·10-3 Па в течение 10 мин.
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем (ИС), в частности для формирования активной базовой области. Целью изобретения является равномерность разброса значений поверхностного сопротивления по всей поверхности кремниевой пластины, уменьшение температуры и длительности процесса.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны перед напылением. Способ обработки поверхности пластин перед напылением титан-германий (Ti-Ge) включает обработку поверхности кремниевых пластин перед напылением на обратную сторону пластины, проводят обработку травлением, при этом в качестве травителя используют раствор, в состав которого входят: азотная кислота - HNO3, фтористоводородная кислота - HF, деионизованная вода - Н2О следующих соотношениях: HNO3:HF:H2O - 1:10:35, а время обработки поверхности кремниевых пластин при комнатной температуре не более 25±5 с.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Целью изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.
Изобретение относится к средствам контроля параметров полупроводниковых материалов. Способ неразрушающего контроля характеристик легированных слоев полупроводниковых структур включает измерение поверхностного сопротивления легированного слоя четырехзондовым методом, определение ИК-спектров отражения от поверхности кремниевых пластин, нахождение минимума на спектральной зависимости коэффициента отражения, вычисление по эмпирическим формулам концентрации примеси на поверхности легированного слоя и расчет глубины залегания р-n перехода по предложенной согласно изобретению расчетной формуле.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ состоит в следующем: на кремниевых пластинах после создания тонкого затворного оксида по стандартной технологии поверх нее над канальной областью формируют слой нитрида кремния Si3N4 толщиной 40-80 нм при расходе газовой смеси SiH4-N2 35-40 см3/мин в реакторе, давлении газовой смеси 0,4 мм рт.ст., ВЧ-мощности 100 Вт, концентрации силана в смеси 1 мол.%, температуре подложки 400°С и скорости осаждения нитрида кремния Si3N4 0,3 нм/с.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Согласно изобретению предложен способ формирования полупроводниковых приборов, включающий формирование на кремниевой пластине тонкого затворного оксида толщиной 13 нм термическим окислением при 1000°С в течение 40 мин в сухом О2 с добавкой 3% HCl, отжиг в аргоне 15 мин, нанесение поверх слоя оксида кремния над канальной областью слоя поликремния толщиной 300 нм пиролитическим разложением силана SiH4 при температуре 670°С в аргоне, после чего поликремний легируют ионами бора с дозой 1013 см-2 энергией 90 кэВ и полученную полупроводниковую структуру отжигают под действием сканирующего аргонного лазера мощностью 10-15 Вт.
Способ изготовления микрогироскопа // 2784820
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении микрогироскопов. Способ изготовления микрогироскопа включает изготовление структурных элементов - крышки с откачной трубкой и газопоглощающим элементом, основания корпуса, и чувствительного элемента, установку чувствительного элемента на основание корпуса.
Изобретение относится к способу лазерной обработки неметаллических пластин и может быть использовано для скрайбирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. На поверхность пластины воздействуют последовательными тремя лазерными импульсами.
Изобретение относится к технологии получения пленок карбида вольфрама на кремниевой подложке. Технический результат - контроль толщины и однородности пленок карбида вольфрама на кремнии на нанометровом уровне посредством контролируемого МСО исходных полимеров.
Областью применения изобретения является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а именно производство кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Техническим результатом предлагаемого изобретения является понижение трудоемкости и повышение плотности упаковки.
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам изготовления гибридных интегральных схем, например, генераторного модуля СВЧ-диапазона. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности, улучшение электрических и массогабаритных характеристик гибридной интегральной схемы.
Слой топологического изолятора pb1-хsnхte:in на кристаллической подложке и способ его изготовления // 2783365
Изобретение относится к области трехмерных кристаллических топологических изоляторов. Слой топологического изолятора Pb1-xSnxTe:In на кристаллической подложке состоит из последовательно эпитаксиально выращенных на кристаллической подложке первого слоя Pb1-xSnxTe:In, где х=0,2-0.3 толщиной 0,5-1 мкм с концентрацией индия 0,2-2% и второго слоя Pb1-xSnxTe:In, где х≥0,3 толщиной 10-20 нм с концентрацией индия 0.1-1,5%.
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано в изделиях оптоэлектроники, работающих в ближней инфракрасной области спектра, лазерной и сенсорной технике.
Изобретение относится к способу получения триалкилиндия. Согласно предложенному способу триалкилиндий получают в реакционной смеси, которая содержит по меньшей мере один галогенид алкилиндия, триалкилалюминий, карбоксилат и растворитель, состоящий из углеводородов, при этом алкильные остатки независимо друг от друга выбраны из С1-С4алкила.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения легированных бором пленок алмаза на подложках из кремния. Технический результат заключается в создании способа выращивания пленок алмаза акцепторного типа проводимости со значением удельного электросопротивления, приемлемого для дальнейшего использования в технологии микроэлектроники.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к области технологий получения контактов золото-кремний с помощью электрохимических методов осаждения металла.
Изобретение относится к изготовлению на основе графеноподобных структур, в частности структур из одно- или многослойного графена, или оксида графена, или их модификаций, в полимере гибких и прозрачных компонентов электроники и микроэлектроники: печатных плат, интегральных микросхем, компонентов радиоэлектроники, например радиочастотных идентифицирующих микросхем, гибких прозрачных антенн и других электронных компонентов.
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к оборудованию для обеспечения контакта измерительного оборудования с исследуемым образцом при проведении измерений поверхностного и удельного сопротивления четырёхзондовым методом.
Изобретение относится к плазменной технике, а именно к источникам индуктивно-связанной плазмы. Технический результат – повышение коэффициента полезного действия (КПД) и снижение тепловых потерь газоразрядного устройства.
Способ получения монослойного силицена // 2777453
Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использовано для производства кремнийсодержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики.
Изобретение относится к наноэлектронике, а именно к способам изготовления элементов и структур приборов с квантовыми эффектами. Предлагается способ изготовления проводящей наноячейки с квантовыми точками, включающий нанесение на непроводящую подложку нанопленки металла ванадия, активированного алюминием в объемной доле 1-5%, в виде полоски-проводника наноразмерной ширины; поверх нее – защитной маски с нанощелью поперек полоски-проводника; плазмохимическое травление через нанощель маски тетрафторидом углерода в проточной среде очищенного аргона при охлаждении реактивной зоны в интервале температур не ниже точки росы в камере-реакторе; при этом скорость травления регулируется и подбирается экспериментально для обеспечения высокого аспектного числа наноячейки; адресное осаждение квантовых точек проводится электрофоретически из матрицы, выполненной в виде мономолекулярной пленки, нанесенной методом Ленгмюра-Блоджетт; при этом адресность расположения квантовых точек в нанозазоре между наноэлектродами наноячейки обеспечивается поочередной подачей постоянного или переменного напряжения между одним из наноэлектродов и электродом электрофоретического устройства.
Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых диодных структур с барьером Шоттки. Способ изготовления поверхностно-барьерного детектора на кремнии n-типа проводимости включает химическое травление кремниевой пластины, прогрев на воздухе после травления, защиту края перехода диэлектрическим покрытием, в качестве которого используют кремнийорганический компаунд марки КЭН-2 с добавлением пиридина в весовом соотношении 20-25:1 соответственно и микро- или нанопорошок графита в весовом соотношении 10-15:1 соответственно и термическое напыление выпрямляющего контакта.
Изобретение относится к технологии эпитаксии легированных слоёв германия, основанной на сочетании в одной вакуумной камере одновременных осаждения на легированной бором кремниевой подложке германия из германа и диффузии бора в растущий слой германия из приповерхностной области этой подложки, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур.
Формирование рисунка стека // 2775057
Изобретение относится к способу формирования стека слоев, образующего собой электрическую схему и содержащего ряд уровней неорганических межсоединений. Технический результат - снижение степени разрушения рисунка нижнего слоя межсоединений при травлении слоев вышележащего уровня межсоединений кислотным травителем после этапа нанесения нижележащего диэлектрического слоя за счет применения в качестве диэлектрического слоя несшитого органического полимерного материала.
Устройство для послойного синтеза покрытий из труднорастворимых соединений на поверхности подложек // 2774818
Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано при получении покрытий с наноразмерной толщиной на поверхности широкого круга подложек при создании различного типа функциональных наноматериалов, находящих применение в электрохимической энергетике, электронной и оптической промышленности, различного рода сенсоров для мониторинга окружающей среды.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига или легирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Способ лазерной обработки неметаллических материалов согласно изобретению заключается в предварительном подогреве материала до начальной температуры, определяемой из условия термопрочности, связывающего прочностные, теплофизические свойства материала, длительность лазерного импульса и температуру отжига, и воздействии на материал лазерного импульса с плотностью энергии, достаточной для достижения поверхностью материала температуры отжига (плавления).
