Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером и с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части и способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (H01L51)
H Электричество(232322)
H01L51 Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (способы или устройства для обработки неорганических полупроводниковых тел, включающей в себя образование или обработку органических слоев на них H01L21, H01L21/312,H01L21/47)(141)
H01L51/10 - Конструктивные элементы приборов(4)
H01L51/20 - Приборы(2)
H01L51/30 - Выбор материалов(13)
Экран дисплея и электронное устройство // 2792829
Изобретение относится к области технологии дисплеев. Экран дисплея содержит подложку, герметизирующий слой и дисплейный слой, расположенный между этими подложкой и герметизирующим слоем.
Изобретение может быть использовано при изготовлении солнечных батарей. Сопряженный полимер на основе замещенного флуорена, бензотиадиазола и тиофена имеет следующее строение: ,где n=5-200.
Изобретение может быть использовано при изготовлении солнечных батарей. Сопряженный полимер на основе замещенного бензодитиофена, 5,6-дифторбензо[с][1,2,5]тиадиазола и тиофена имеет следующее строение:где n=5-200.
Изобретение может быть использовано при изготовлении солнечных батарей. Сопряженный полимер на основе замещенного бензодитиофена, бензотиадиазола и тиофена имеет следующее строение:где n=5-200.
Ректенна // 2786634
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в системах беспроводной передачи энергии на расстояние для повышения эффективности ректенн в микроволновом диапазоне, ТГц и видимом диапазоне.
Изобретение относится к области солнечной энергетики, а именно к фотоэлектрическим преобразователям на основе полупроводниковых материалов перовскитного типа. Фотовольтаическое устройство содержит следующие слои: 0 - подложка и/или барьерный слой, защищающий остальные слои от механических воздействий, влияния влаги и кислорода воздуха; 1 - полупрозрачный дырочно-собирающий электрод; 2 - дырочно-селективный слой; 3 - фотоактивный перовскитный слой; 4 - электрон-селективный слой; 5 - электрон-собирающий электрод; 6 - подложка и/или барьерный слой, защищающий остальные слои от механических воздействий, влияния влаги и кислорода воздуха.
Синий светодиод на основе галогенидных перовскит-полимерных материалов и способ его изготовления // 2780950
Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов, а именно к светоизлучающим устройствам на основе перовскита, и может быть использовано для создания светоизлучающих устройств, генерирующих излучение в синем диапазоне длин волн, для применения в RGB-дисплеях, приборах освещения и индикации.
Изобретение может быть использовано для формирования однородного слоя углеродных нанотрубок (УНТ) на подложках различных материалов, в том числе поверх тонких полимерных слоев; может быть использовано в качестве верхнего или нижнего электрода (в том числе прозрачного) при формировании структур оптоэлектроники и солнечных элементов.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно, к технологии получения плёнок кристаллических материалов на основе комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой, которые могут быть использованы для производства полупроводниковых (солнечные элементы) и оптоэлектронных (светоизлучающих) устройств.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно к способу получения плёнки органо-неорганического комплексного галогенида с перовскитоподобной структурой. Указанная пленка может быть использована для производства полупроводниковых устройств.
Изобретение относится к изготовлению на основе графеноподобных структур, в частности структур из одно- или многослойного графена, или оксида графена, или их модификаций, в полимере гибких и прозрачных компонентов электроники и микроэлектроники: печатных плат, интегральных микросхем, компонентов радиоэлектроники, например радиочастотных идентифицирующих микросхем, гибких прозрачных антенн и других электронных компонентов.
Изобретение относится к технологии полупроводниковых тонкопленочных гибридных фотопреобразователей и может быть использовано при создании солнечных элементов и батареи на основе галогенидных перовскитов.
Изобретение относится к тонкопленочной инкапсулирующей структуре и дисплейной панели. Тонкопленочная инкапсулирующая структура содержит: первый неорганический инкапсулирующий слой, используемый для покрытия инкапсулируемого устройства; органический инкапсулирующий слой, сформированный на одной стороне первого неорганического инкапсулирующего слоя; второй неорганический инкапсулирующий слой, сформированный на стороне органического инкапсулирующего слоя, обращенной от первого неорганического инкапсулирующего слоя; и по меньшей мере один первый неорганический корректирующий слой, сформированный на стороне первого неорганического инкапсулирующего слоя, обращенной от инкапсулируемого устройства; уровень содержания кислорода в указанном по меньшей мере одном первом неорганическом корректирующем слое больше уровня содержания кислорода в первом неорганическом инкапсулирующем слое и/или втором неорганическом инкапсулирующем слое.
Изобретение относится к области солнечной энергетики, а именно к фотоэлектрическим преобразователям на основе полупроводниковых материалов перовскитного типа. В общем случае, изобретение относится к фотовольтаическим устройствам - солнечным батареям и фотодетекторам.
Изобретение относится к химической технологии получения особо чистых органических полупроводников и касается разработки способа глубокой очистки металлоорганических комплексов, образованных 8-гидрокисхинолином c металлами, с общей формулой MeQy, которые применяются в качестве органических полупроводниковых материалов, например, в технологии OLED.
Предложена фотовольтаическая панель (1), содержащая последовательно расположенные первый электропроводящий слой (10), фотовольтаический слой (20) перовскитного фотовольтаического материала, второй электропроводящий слой (30) и защитное покрытие (40), которое по меньшей мере образует барьер против влаги.
Подложка дисплея и способ ее изготовления // 2759445
Изобретения относятся к области технологии отображения, в частности к подложке дисплея и способу ее изготовления. Подложка дисплея содержит подложку; первый электрод, расположенный на подложке; и выпуклость, расположенную на первом электроде, при этом соотношение между размером поперечного сечения выпуклости в плоскости, параллельной подложке, и расстоянием от указанного поперечного сечения до поверхности первого электрода имеет отрицательный коэффициент корреляции, при этом выпуклость включает в себя первую часть и вторую часть, покрывающую первую часть, в которой ортогональная проекция первой части на подложку находится в пределах ортогональной проекции первого электрода на подложку, вторая часть контактирует с первым электродом, поверхность второй части, удаленная от подложки, соответствует поверхности первой части, удаленной от подложки, и первая часть состоит из диэлектрического материала, а вторая часть состоит из электропроводящего материала.
Органический светоизлучающий диод // 2752951
Настоящее изобретение относится к производным 2,1,3-бензохалькогенадиазолов общей формулыгде X=О или S, в качестве органических красителей для использования в светоизлучающем слое органического светоизлучающего диода.
Изобретение относится к преобразованию электромагнитного излучения в электрическую энергию в широком спектре диапазонов длин волн от СВЧ до ультрафиолетового диапазона и может быть использовано для изготовления фотоэлектрических батарей электрохимического типа, на основе которых могут быть разработаны автономные источники питания электрической энергии на различные диапазоны мощностей.
Подложка матрицы и устройство отображения // 2745826
Подложка матрицы содержит множество пиксельных блоков, причем каждый пиксельный блок содержит светоизлучающий блок и слой ограничения пикселя, расположенный вокруг светоизлучающего блока; при этом в по меньшей мере одном из пиксельных блоков канавка для разделения световых волн обеспечена в слое ограничения пикселя, блокирующий световые волны слой обеспечен в канавке для разделения световых волн.
Изобретение относится к технологиям отображения. Органическое светоизлучающее устройство содержит первый электрод; органический слой на первом электроде, содержащий органический светоизлучающий слой; второй электрод на стороне органического слоя, дистальной по отношению к первому электроду; электрохромный слой между первым электродом и органическим слоем; и третий электрод между электрохромным слоем и органическим слоем.
Изобретение относится к технологии получения перовскитных структур для тонкопленочных оптоэлектронных устройств в технологических процессах производства светодиодов, солнечных элементов и фотодетекторов со спектральным диапазоном от 400 до 780 нм, запрещенной зоной от 3,1 до 1,57 эВ.
Заявленная группа изобретений относится к изготовлению гибких слоистых материалов, содержащих органические и неорганические слои, к защитным пленкам, содержащим указанные материалы, применению упомянутых защитных пленок и к электронным устройствам, содержащим указанную защитную пленку.
Изобретение относится к способу получения изогнутого многослойного стекла (1) со встроенным изогнутым когерентным отображающим устройством (30), причем многослойное стекло (1) имеет первый изогнутый стеклянный слой (10) и второй изогнутый стеклянный слой (20), причем отображающее устройство (30) имеет слой (31) отображающего устройства и слой (32) электронной схемы, причем слой (31) отображающего устройства имеет первую толщину (d1) слоя, и слой электронной схемы имеет вторую толщину (d2) слоя, причем между слоем (32) электронной схемы и вторым стеклянным слоем (20) размещается первая промежуточная пленка (40), которая имеет такую же площадь, как слой (32) электронной схемы, и имеет третью толщину (d3) слоя, и причем смежно со слоем (32) электронной схемы и первой промежуточной пленкой (40) размещается вторая промежуточная пленка (50), которая имеет толщину слоя как сумму второй толщины (d2) слоя и третьей толщины (d3) слоя, и причем смежно со слоем (31) отображающего устройства размещается третья промежуточная пленка (60), которая имеет толщину слоя, приблизительно соответствующую первой толщине (d1) слоя, причем многослойное стекло (1), кроме того, имеет первый связующий слой (70) между первым стеклянным слоем (10) и третьей промежуточной пленкой (60) и между первым стеклянным слоем (10) и слоем (31) отображающего устройства, и второй связующий слой (80) между вторым стеклянным слоем (20) и первой промежуточной пленкой (40) и между вторым стеклянным слоем (20) и второй промежуточной пленкой (50), при этом способ включает стадии: получения (100) первого изогнутого стеклянного слоя (10) и второго изогнутого стеклянного слоя (20); получения (200) неизогнутого когерентного отображающего устройства (30); размещения (300) полученного отображающего устройства (30) между изогнутыми стеклянными слоями (10, 20) так, что третья промежуточная пленка (60) размещается смежно со слоем (31) отображающего устройства, и так, что вторая промежуточная пленка (50) размещается смежно со слоем (32) электронной схемы и первой промежуточной пленкой (40), причем поверх слоя (31) отображающего устройства размещается первый связующий слой (70), и причем под первой промежуточной пленкой (40) размещается второй связующий слой (80); нагревания (400) конструкции по меньшей мере в области отображающего устройства (30) при температуре 50–100°С так, что под действием нагревания слой (31) отображающего устройства, как и слой (32) электронной схемы, изгибаются и согласуются с кривизной первого стеклянного слоя и, соответственно, второго стеклянного слоя; соединения (500) размещенных изогнутых слоев с использованием автоклава.
Настоящее изобретение относится к композициям, применяемым для образования перовскитовых пленок. Композиция для получения перовскитов содержит один или более предшественников перовскита, растворенных в смеси растворителей, которая содержит один или более полярных апротонных растворителей, каждый из которых выбран таким образом, что они могут при отсутствии других компонентов растворять указанные один или более предшественников перовскита, один или более линейных спиртов общей формулы CnH2n+1OH, где n составляет от 1 до 12, и необязательно одну или более кислот, при этом полярный апротонный растворитель или смесь полярных апротонных растворителей составляет от 50 до 95 об. % смеси растворителей, остальное - один или более линейных спиртов и одна или более кислот, если они присутствуют.
Изобретение относится к пиксельному компоненту дисплея и принадлежит к области технологий интеллектуального терминала. Пиксельный компонент дисплея используется в экране дисплея, и пиксельный компонент дисплея содержит светоизлучающий блок и анод.
Органический светоизлучающий диод // 2729424
Изобретение относится к производным [1,2,5]халькогенадиазоло[3,4-с]пиридинов общей формулы (1), в которой X = S или Se. Изобретение также относится к органическому светоизлучающему диоду, содержащему несущую основу, выполненную в виде подложки с размещенным на ней прозрачным слоем анода, на котором расположен дырочный блокирующий слой, затем расположен дырочный проводящий слой, на котором расположен светоизлучающий слой органического вещества, выполненный из соединения общей формулы (1) и органического транспортного материала, затем последовательно расположены электропроводящий слой и слой, улучшающий инжекцию электронов, поверх которого расположен катод.
Изобретение относится к устройствам отображения. Технический результат заключается в исключении явления цветового сдвига, сформированного при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.
Изобретение относится к подложке дисплея и способу ее производства. Подложка дисплея содержит основание, включающее в себя отображающую область и неотображающую область, расположенную вокруг отображающей области; по меньшей мере один выступ, расположенный на основании в неотображающей области; и герметизирующий слой, расположенный на основании.
Легированный титанат // 2726713
Использование: для создания обеспечивающих перенос электронов слоев. Сущность изобретения заключается в том, что неводная композиция для образования наночастиц на основе легированного TiO2 содержит: полярный растворитель, содержащий органическое соединение, в химической структуре которого присутствует один или более атомов кислорода, галогенид титана(IV) и предшественник легирующего вещества, выбранный из галогенидов переходных металлов и галогенидов лантаноидов.
Изобретение относится к электролюминесцентной панели отображения и устройству отображения. Технический результат заключается в обеспечении высокого разрешения панели отображения.
Настоящее изобретение относится к области изготовления гибких слоистых материалов, содержащих органические и неорганические слои, защитных пленок, содержащих упомянутые слоистые материалы, для герметизации, упаковки, или пассивации и к электронным устройствам, содержащим защитные пленки.
Изобретение относится к транзисторным устройствам. Технический результат заключается в ослаблении емкостной связи между проводником затвора и проводниками истока и/или стока.
Способ изготовления токоотводящей сетки для фотоэлементов включает этапы а) обеспечение пакета (1) непрерывных слоев на подложке (8), причем пакет (1) слоев содержит верхний проводящий слой (2) и нижний проводящий слой (3) с расположенным между ними фотоактивным слоем (4); b) селективное удаление верхнего проводящего слоя (2) и фотоактивного слоя (4) для получения первого отверстия (10) контакта, простирающегося через верхний проводящий слой (2) и фотоактивный слой (4), открывающего нижний проводящий слой (3); с) печатание тела (5-1) переднего контакта на верхнем проводящем слое (2) и тела (5) заднего контакта в первом отверстии (10) контакта на нижнем проводящем слое (3) и образование первого электроизоляционного зазора, окружающего тело (5) заднего контакта, между верхним проводящим слоем (2) и телом (5) заднего контакта.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно к технологии получения тонких пленок или контактных микропечатных планарных структур галогенидных полупроводников состава АВХ3, в том числе с органическими катионами, которые могут быть использованы в качестве светопоглощающего слоя в твердотельных, в том числе тонкопленочных, гибких или тандемных солнечных элементах или для создания светоизлучающих устройств.
Изобретение относится к области измерительной техники и касается инфракрасного детектора ИК-диапазона. Инфракрасный детектор включает в себя активный слой, содержащий коллоидные квантовые точки и плазмонные наноантенны, расположенные между встречно-штыревыми электродами.
Использование: для усиления электролюминесценции полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что слой оксида цинка, легированного ионами алюминия в концентрации 1,5-3,5 молярных процента с толщиной от 100 до 200 нм и слои наночастиц с размерами 38-42 нм с максимальной концентрацией 1,25⋅1016 на см3, наночастицы являются наночастицами золота, а их центры находятся на расстоянии 70-120 нм друг от друга с образованием трехмерной решетки.
Прозрачный проводящий оксид // 2701467
Использование: для усиления электролюминесценции полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что слой оксида цинка с максимальной толщиной 200 нм, легированный ионами алюминия в концентрации от 3 до 4 молярных процентов и со слоями наночастиц серебра с максимальной концентрацией 1,25⋅1016 на см3, центры наночастиц находятся на расстоянии 110-130 нм друг от друга и образуют трехмерную решетку, наночастицы имеют размеры 38-42 нм, причем длина волны усиления зависит от молярной концентрации алюминия n в соотношении длина волны в нанометрах λ=530+40⋅(n-3).
Использование: для изготовления батареи взаимосвязанных солнечных элементов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления батареи взаимосвязанных солнечных элементов включает: обеспечение на подложке пакета непрерывных слоев заданной толщины, причем пакет слоев включает верхний и нижний проводящие слои с расположенными между ними фотоактивным слоем и полупроводящим слоем с электронной проводимостью; селективное удаление верхнего проводящего слоя и фотоактивного слоя для получения контактного канала, открывающего полупроводящий слой с электронной проводимостью; селективный нагрев пакета слоев на первую глубину (d1) для получения первой подвергнутой нагреву зоны на первом межцентровом расстоянии (s1) от контактного канала, при этом первая подвергнутая нагреву зона преобразуется в по существу изолирующую область с по существу первой глубиной (d1) в пакете слоев, предоставляя тем самым локально повышенное удельное электрическое сопротивление пакету слоев.
Изобретение относится технологии изготовления фотовольтаических преобразователей. Согласно изобретению предложен способ изготовления фотовольтаических (ФВЭ) элементов с использованием прекурсора для жидкофазного нанесения полупроводниковых слоев р-типа, включающий получение прекурсора [Сu(NН3)4](ОН)2 растворением Сu(ОН)2 в насыщенном растворе аммиака в этиленгликоле с концентрациями от 5 до 100 мг/мл, прогрев подложки, формирование слоя нестехиометрического оксида меди путем жидкофазного нанесения раствора методом вращения подложки (центрифугирования) на слой оксида индия, допированного фтором, на стекле в режиме вращения, от 2500 до 3500 об/мин в течение 30-90 секунд, с последующим отжигом при температуре 150-300°С в течение 1 часа, нанесение методом центрифугирования подложки слоя перовскита, нанесение аналогичным образом на слой перовскита полупроводящего органического слоя метилового эфира фенил-С61-масляной кислоты, а затем батокупроина, терморезистивное напыление проводящих контактов на основе серебра.
Изобретение относится к технологии полупроводниковых тонкопленочных гибридных фотопреобразователей. Гибридные, тонкопленочные фотопреобразователи с гетеропереходами и слоями, модифицированными максенами Ti3C2Tx, работающие в видимом спектре солнечного света, а также ближних УФ и ИК областей (300-780 нм).
Изобретение относится к способу изготовления многослойной подложки для светоизлучающего устройства. Способ содержит следующие этапы: (a) обеспечение стеклянной подложки, обладающей показателем преломления при 550 нм, составляющим 1,45-1,65, (b) нанесение покрытия в виде слоя оксида металла на одну сторону стеклянной подложки, причем оксид металла выбран из группы, состоящей из TiO2, Al2O3, ZrO2, Nb2O5, HfO2, Ta2O5, WO3, Ga2O3, In2O3 и SnO2 и их смесей, (c) нанесение покрытия в виде стеклофритты, обладающей показателем преломления при 550 нм от 1,70 до 2,20, на упомянутый слой оксида металла, причем упомянутая стеклофритта содержит, по меньшей мере, 30 мас.% и самое большее 75 мас.% Bi2O3, (d) отжиг полученной покрытой стеклянной подложки при температуре, составляющей 530-620°C.
Использование: для создания электропроводной основы для OLED. Сущность изобретения заключается в том, что электропроводная основа для OLED содержит: стеклянную подложку из органического или минерального стекла с показателем n1 преломления от 1,3 до 1,6, имеющую первую основную сторону, называемую первой поверхностью; и электрод, поддерживаемый стеклянной подложкой на той же стороне, что и первая поверхность, каковой электрод содержит слой, размещенный в виде сетки, называемой металлической сеткой, каковая сетка выполнена из металла(-ов), имеющего(-их) поверхностное сопротивление менее 20 Ом/квадрат, и имеет толщину е2 по меньшей мере 100 нм, причем сетка сформирована из нитей, причем нити имеют ширину А, меньшую или равную 50 мкм, и разделены межнитевым расстоянием В, меньшим или равным 5000 мкм, причем нити разделены множеством электрически изолирующих неэлектропроводных зон с показателем преломления выше 1,65, на той же стороне, что и первая поверхность (11), основа содержит: электрически изолирующий световыводящий слой под металлической сеткой; и электрически изолирующий слой, частично структурированный по его толщине, причем этот слой имеет заданный состав и показатель n3 преломления от 1,70 до 2,3 и размещен на световыводящем слое, каковой частично структурированный слой сформирован: областью, размещенной наиболее отдаленно от световыводящего слоя, структурированной полостями, содержащими металлическую сетку, причем эта область содержит неэлектропроводные зоны; и еще одной областью, называемой нижней областью, размещенной под металлической сеткой и на световыводящем слое, и тем, что сетка утоплена вглубь от поверхности, называемой верхней поверхностью неэлектропроводных зон, и промежуток Н между верхней поверхностью и поверхностью металлической сетки составляет более 100 нм, причем Н измеряется между серединой поверхности нитей и верхней поверхностью, и тем, что нити вдоль их длины имеют центральную зону между боковыми зонами, которые расположены заподлицо с верхней поверхностью.
Изобретение относится к производству гибкого протяженного электролюминесцентного источника света. Способ изготовления гибкого электролюминесцентного источника света включает последовательное нанесение на медную проволоку диэлектрического порошка в полимерном связующем, электролюминесцентного порошка в полимерном связующем и прозрачного электропроводящего полимера, отличающийся тем, что нанесение осуществляют следующим образом: с узла подачи проволоки (УПП) с, по меньшей мере, одной основной катушки подают в моющее устройство медную проволоку, а также в УПП устанавливают, по меньшей мере, одну дополнительную катушку с медной проволокой, при этом УПП оборудуют аппаратом холодной сварки, предназначенным для сварки проволоки в стык, при переходе от основной к дополнительной катушке, образующей, по меньшей мере, одну линию с медной проволокой; пропускают медную проволоку через узел гашения рывком, при этом одной линии с медной проволокой соответствует свой узел гашения рывков; поочередно пропускают непрерывно движущуюся, по меньшей мере, одну медную проволоку через ванны с растворами полимеров с наполнителями по направлению снизу вверх и покрывают соответствующим слоем полимера, на выходе из ванн проволоку пропускают через калибровочную фильеру, которая отсекает часть раствора и формирует на медной проволоке слой полимера заданной толщины; выходящую из ванны и прошедшую калибровочную фильеру медную проволоку с нанесенным слоем полимера заданной толщины подают в вертикальную колонну печей для сушки; на выходе из каждой вертикальной колонны печей проволоку с высушенным полимером охлаждают; после покрытия медной проволоки соответствующими полимерами и сушки полученный гибкий электролюминесцентный источник света (ГЭЛИС) подают в узел проверки диаметра ГЭЛИС и далее в узел протяжки ГЭЛИС, позволяющий протягивать ГЭЛИС с постоянной скоростью, и через узел аккумулирования ГЭЛИС подают в узел приема готового ГЭЛИС для намотки его на бобины.
Изобретение относится к новым кремнийорганическим монофункциональным дизамещенным производным бензотиенобитиофена, способу их получения и их применению в электронике. Предложено соединение общей формулы (I), где R1 означает С2-С13 алкил, R означает С3-С18 алкенил, X означает О или галоген, а у равен 1 или 2 при условии, что когда у равен 1, X означает галоген, а в случае, когда у равен 2, X означает О.
Изобретение может быть использовано для создания стабильных и эффективных источников энергии для современных маломощных сенсоров, датчиков и осветительных панелей. Изобретение относится к органическим соединениям, полупроводниковым материалам на основе этих соединений и перовскитным солнечным батареям на основе этих материалов.
Органический светоизлучающий диод содержит подложку и слой модификации поверхности, расположенный над подложкой и включающий в себя первую пленку по меньшей мере над частью подложки, имеющую первый коэффициент расширения, причем первая пленка содержит наночастицы, и вторую пленку по меньшей мере над частью первой пленки, имеющую второй коэффициент расширения и содержащую выступы и углубления, при этом первый коэффициент расширения больше, чем второй коэффициент расширения, причем первый коэффициент расширения больше 100.
Прозрачный электрод на подложке для осид // 2685086
Изобретение относится к прозрачному электроду на подложке для ОСИД, включающему в себя последовательно (i) прозрачную подложку из минерального стекла, (ii) рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% Bi2O3, (iii) барьерный слой из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Al2O3, TiO2, ZrO2 и HfO2, осажденный путем АСО, (iv) слой из прозрачного проводящего оксида (ППО).
Изобретение относится к рассеивающей подложке для устройства с органическим электролюминесцентным диодом. На одну из сторон стеклянного листа наносят стекловидный материал следующего состава, вес.%: Bi2O3 65-85, B2O3 5-12, SiO2 6-20, MgO+ZnO 2-9,5, Al2O3 0-7%, Li2O+Na2O+K2O 0-5, CaO 0,5-5, BaO 0-20, CaO+MgO 0,5-4.
Оптоэлектронное устройство (10) содержит первую подложку (12), имеющую первую поверхность (14) и вторую поверхность (16), оптоэлектронное покрытие (17), расположенное поверх второй поверхности (16) и содержащее подстилающий слой (18), расположенный поверх второй поверхности (16), первый проводящий слой (20), расположенный поверх подстилающего слоя (18), верхний слой (22), расположенный поверх первого проводящего слоя (20), полупроводниковый слой (24), расположенный поверх первого проводящего слоя (20), и второй проводящий слой (26), расположенный поверх полупроводникового слоя (24).
