Физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием (H01L21/203)

Отслеживание патентов класса H01L21/203
H01L21/203              Физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием(41)

Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами mn5ge3ox в матрице geo2 // 2655507
Изобретение относится к способу получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO при низких температурах.

Шаблон для эпитаксиального выращивания, способ его получения и нитридное полупроводниковое устройство // 2653118
Настоящее изобретение предусматривает способ получения шаблона для эпитаксиального выращивания. Способ содержит стадию поверхностной обработки, включающий диспергирование Ga-атомов на поверхности сапфировой подложки, и стадию эпитаксиального выращивания AlN-слоя на сапфировой подложке, где при распределении концентрации Ga в направлении глубины перпендикулярно поверхности сапфировой подложки во внутренней области AlN-слоя, исключая зону вблизи поверхности до глубины 100 нм от поверхности AlN-слоя, полученной вторичной ионно-массовой спектрометрией, положение в направлении глубины, где Ga - концентрация имеет максимальное значение, находится в области вблизи границы раздела, расположенной между границей раздела сапфировой подложки и положением, на 400 нм отстоящим от границы раздела к стороне AlN-слоя, и максимальное значение Ga-концентрации составляет 3×1017 атом/см3 или более и 2×1020 атом/см3 или менее.

Способ получения ферромагнитного композита alsb-mnsb // 2649047
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к созданию новых композиционных материалов, состоящих из полупроводника антимонида алюминия и ферромагнетика антимонида марганца, которые могут найти применение для создания магниточувствительных диодных структур, магнитных переключателей и сенсоров магнитных полей на основе ферромагнитного композита.

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии // 2642879
Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти // 2631071
Изобретение относится к способу получения тонких пленок, в частности к получению аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, и может быть использовано в качестве рабочего слоя в приборах записи информации.

Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремнии // 2615099
Изобретение относится к способу получения эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремниевой подложке и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых МОП транзисторов с барьером Шоттки (SB-MOSFET), а также для создания устройств спинтроники в качестве контакта-инжектора/детектора спин-поляризованных носителей.
Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти // 2609764
Изобретение относится к способу получения тонких аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти и может быть использовано в качестве рабочего слоя в устройстве энергонезависимой фазовой памяти для электронной техники.

Способ получения монокристаллического sic // 2603159
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем.

Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме // 2600505
Изобретение относится к сублимационному выращиванию эпитаксиальных массивов самоорганизованных монокристаллических наноостровков кремния на сапфировых подложках и может быть использовано в качестве нанотехнологического процесса, характеризующегося повышенной стабильностью формирования однородных по размерам наноостровков кремния с пониженной степью дефектности их структуры.

Способ осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидных растворов // 2587537
Изобретение относится к области технологий осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца на прозрачные диэлектрические поверхности и может быть использовано при получении новых устройств на основе наносистем для микро- и оптоэлектроники, солнечных батарей, светодиодных ламп и других областей полупроводниковой техники.

Способ выращивания кремний-германиевой гетероструктуры // 2585900
Изобретение относится к технологии эпитаксии кремний-германиевой гетероструктуры, основанной на сочетании сублимации кремния с поверхности источника кремния, разогретого электрическим током, и осаждения германия из германа в одной вакуумной камере, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур.

Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-sic на кремнии монокристаллическом // 2524509
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей.

Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности и реактор для осуществления способа // 2522812
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой карбида кремния на ее поверхности, осуществляется в газопроницаемой камере, размещенной в реакторе, в который подают смесь газов, включающую оксид углерода и кремнийсодержащий газ, при этом давление в реакторе 20-600 Па, температура 950-1400°C.

Способ напыления в вакууме структур для приборов электронной техники, способ регулирования концентрации легирующих примесей при выращивании таких структур и резистивный источник паров напыляемого материала и легирующей примеси для реализации указанного способа регулирования, а также основанный на использовании этого источника паров способ напыления в вакууме кремний-германиевых структур // 2511279
Изобретение относится к технологии полупроводниковых структур для приборов электронной техники. Изобретение обеспечивает возможность прецизионного варьирования в широких пределах концентрацией легирующей примеси в выращиваемой структуре путем изменения температуры и агрегатного состояния источника примеси из напыляемого легированного материала.

Способ получения массивов наноколец // 2495511
Изобретение относится к технологии получения массивов наноколец различных материалов, используемых в микро- и наноэлектронике.
Способ создания мелкоблочных пленок с совершенной структурой блоков // 2474005
Изобретение относится к материаловедению, а именно к технологии получения тонких пленок. .

Установка вакуумного напыления // 2473147
Изобретение относится к технике получения пленок молекулярно-лучевым осаждением и использованием резистивных источников напыляемого материала.

Способ получения монокристаллических пленок и слоев теллура // 2440640
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при производстве изделий микроэлектроники.
Способ формирования упорядоченных наноструктур на подложке // 2421394
Изобретение относится к области нанотехнологий и может быть использовано для изготовления упорядоченных наноструктур, используемых в микро- и наноэлектронике, оптике, нанофотонике, биологии и медицине.

Исследовательский комплекс для формирования и изучения наноструктур и способ формирования наноструктур // 2417156
Изобретение относится к области нанотехнологий и может быть использовано для формирования наноструктур из испаряемой микрокапли воздействием акустических полей.

Способ выращивания кремний-германиевых гетероструктур // 2407103
Изобретение относится к технологии эпитаксиального нанесения полупроводниковых материалов на подложку. .

Способ получения зондов с углеродными нанотрубками // 2369938
Изобретение относится к области вакуумной техники и технологии получения углеродных наноструктур, таких как углеродные нанонотрубки на кончике зондов, которые применяются в зондовой микроскопии для прецизионного сканирования.

Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 2308784
Изобретение относится к электронной технике, а именно к материалам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов широкого класса применения с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия.

Ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура // 2305723
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием.

Способ формирования наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния // 2210836
Изобретение относится к области наноэлектроники и может быть использовано для создания на основе структур с наноостровками (квантовыми точками) германия на кремнии полупроводниковых приборов со сверхвысоким быстродействием, а также некоторых оптоэлектронных устройств.

Установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках // 2158986
Изобретение относится к оборудованию для производства элементов полупроводниковой техники и, в частности, предназначено для создания полупроводниковых соединений азота с металлами группы A3.

Оптоэлектронный материал, устройство для его использования и способ изготовления оптоэлектронного материала // 2152106
Изобретение относится к оптоэлектронному материалу, устройству для его использования и способу изготовления оптоэлектронного материала.

Источник атомарного водорода для молекулярно-лучевой эпитаксии // 2148871
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) как для предэпитаксиальной подготовки подложек (очистка поверхности от кислорода, углерода и других загрязнений), так и в процессе выращивания тех или иных слоев.

Способ изготовления микромеханических приборов // 2137249
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии изготовления микромеханических приборов, в частности, микрогироскопов, микроакселерометров, микродатчиков давления, из кремнийсодержащих полупроводниковых структур.

Испарительный тигель // 2133308
Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах.
Способ получения гетероэпитаксиальных структур in sb/ga as // 2063094
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к способу эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Способ получения квантово-размерных полупроводниковых структур // 2053582
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии получения тонкопленочных эпитаксиальных структур для квантоворазмерных полупроводниковых приборов.

Способ определения скорости роста полупроводниковых пленок и устройство для его осуществления // 2011973
Изобретение относится к технологии выращивания тонких пленок и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для контроля скорости роста полупроводниковых пленок.

Способ ионной обработки изделий // 1632088
Изобретение относится к газоразрядной электронике и электровакуумной технике, а более конкретно - к способам ионной обработки материалов и может применяться для нанесения пленок и травления материалов в микроэлектронике, металлургии и т.
 
.
Наверх