Использование: для изготовления полупроводниковых приборов с использованием подложек или слоев фосфида индия, легированных цинком. Сущность изобретения заключается в том, что способ легирования цинком подложек или слоев фосфида индия включает использование в качестве источника легирующей примеси Zn твердотельного источника на основе цинксодержащего соединения, приведение источника легирующей примеси Zn в механический контакт с подложкой или слоем фосфида индия, подлежащего легированию, последующее осуществление нагрева и диффузии Zn в результате нагрева в подложку или слой фосфида индия с достижением требуемой степени легирования, при этом используют в качестве источника легирующей примеси Zn твердотельный источник на основе цинксодержащего соединения в виде пленки соединения Zn3P2 или монолитной пластины Zn3P2, для осуществления легирования источник легирующей примеси Zn сопрягают пленкой Zn3P2 или монолитной пластиной Zn3P2 с подложкой или пленкой фосфида индия, тем самым создают узкий зазор величиной, определяемой высотой естественных неровностей и отклонением от плоскостности контактирующих поверхностей - между рабочей поверхностью пленки Zn3P2 или монолитной пластины Zn3P2 и легируемой подложки или пленки фосфида индия, в котором в результате нагрева обуславливают термическую диссоциативную сублимацию соединения Zn3P2 с образованием паров фосфора и цинка, взаимодействие продуктов диссоциации Zn3P2 с подложкой или пленкой фосфида индия, приводящее к насыщению приповерхностных слоев фосфида индия атомами легирующей примеси и к последующей диффузии легирующей примеси в объем фосфида индия, а также приводящее к компенсации термохимической эрозии поверхности фосфида индия за счет взаимодействия поверхности фосфида индия с парами фосфора.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к приборам, изготавливаемым на основе эпитаксиальных структур кремния, и может быть использовано в приборах, работающих на сверхвысоких частотах.