Из жидкости, например способом электролитического осаждения (H01L21/288)

H01L21/288              Из жидкости, например способом электролитического осаждения(14)

Способ формирования на поверхности кремниевых полупроводниковых структур слоя золота, электрохимически осажденного из электролитов с ph=6-7 // 2778998
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к области технологий получения контактов золото-кремний с помощью электрохимических методов осаждения металла.

Способ изготовления гетероструктуры на основе массива наностержней оксида цинка с тонкой сплошной оболочкой из сульфида олова // 2723912
Изобретение относится к оптоэлектронным приборам, в частности к нанотехнологии мультиспектральных фотодетекторов (МСФД), а также пленочных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе гетерострур с p-n-переходом, содержащих массив наностержней оксида цинка n-типа проводимости (n-(MHC-ZnO)) с экстратонкой полупроводниковой оболочкой (ЭТПО) p-типа проводимости.

Способ металлизации сквозных отверстий в полуизолирующих полупроводниковых подложках // 2708677
Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем с использованием трехмерной 3D-интеграции посредством электрического соединения их металлических конструктивных элементов сквозными металлизированными отверстиями с обратными металлизированными сторонами полуизолирующих полупроводниковых подложек.

Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения // 2666180
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к изготовлению контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения. Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия включает: локальную металлизацию поверхности n-GaAs электрохимическим осаждением рутения из сульфаматного электролита рутенирования на основе гидроксихлорида рутения, содержащего г/л: Ru(OH)Cl3 (в пересчете на металл) - 2,5-5, NH2SO3H - 25-50, при температуре 20-65°C, катодной плотности тока 1,0-5,0 А/дм2, без или с наложением ультразвукового поля.

Составы для получения содержащих оксид индия слоев, способы получения указанных слоев и их применение // 2659030
Настоящее изобретение относится к жидкому составу для получения содержащих оксид индия слоев. Состав получают путем растворения по меньшей мере одного соединения алкоксида индия, которое может быть получено при помощи реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, с вторичным амином формулы R'2NH, где R'=C1-C10-алкил в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 к тригалогениду индия в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=C1-C10-алкил, по меньшей мере в одном растворителе, выбранном из группы, состоящей из первичных, вторичных, третичных и ароматических спиртов.

Способ получения соединений алкоксида индия, соединения алкоксида индия, получаемые согласно способу, и их применение // 2656103
Изобретение относится к соединению алкоксида индия, которое получено путем реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, со вторичным амином формулы R'2NH, где R'=С1С10-алкил, в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 по отношению к тригалогениду индия, в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=С1С10-алкил.

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора // 2631405
Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более.

Способ электрической пассивации поверхности монокристаллического кремния // 2562991
Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции.

Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности // 2539895
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Композиция содержит по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп, с по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида.

Способ формирования медных дорожек на диэлектрических подложках // 2295171
Изобретение относится к технологии формирования медных дорожек на диэлектрических подложках. .
Состав для электрохимического нанесения хромовых покрытий на кремнийсодержащие материалы // 2062525
Изобретение относится к области электрохимиии, в частности к получению хромовых покрытий на полупроводниковых материалах, в частности на кремнии -n и -p типа и силицидах 3d-переходных металлов. .

Способ получения электропроводящего полимерного покрытия на подложке // 2035803
Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика или полупроводника на полупроводниковые подложки. .

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2031479
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов Шоттки. .

 // 429483

 // 156250
 
.
Наверх