Механическая обработка, например шлифование, полирование, резка (H01L21/304)

Отслеживание патентов класса H01L21/304
H01L21/304              Механическая обработка, например шлифование, полирование, резка(60)

Устройство для полировки изделий // 2632045
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано для полирования изделий, например подложек.
Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок // 2631875
Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (СМР) и ее применению при полировании подложек полупроводниковой промышленности.
Полирующий состав // 2620836
Изобретение относится к полирующим составам и может быть использовано при полировке подложек из твердых и хрупких материалов.

Композиция для химико-механического полирования, содержащая поливинилфосфоновую кислоту и ее производные // 2598046
Изобретение главным образом относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и ее применению в полирующих субстратах полупроводниковой промышленности.
Полирующая композиция // 2591152
Изобретение относится к полирующей композиции, применяющейся для полировки объекта, который необходимо отполировать, состоящего из твердого и хрупкого материала, обладающего твердостью по Викерсу, равной 1500 Hv или более.

Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки на основе оксидкремниевого диэлектрика и на основе поликремния // 2588620
Изобретение относится к новым водным полирующим композициям, которые особенно подходят для полирования полупроводниковых подложек, содержащих пленки на основе оксидкремниевого диэлектрика и поликремния, необязательно содержащих пленки на основе нитрида кремния.
Способ финишного химико-механического полирования пластин inas // 2582904
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для финишного химико-механического полирования (ХМП) полупроводниковых структур арсенида индия InAs.

Композиция для химико-механической полировки (хмп ), содержащая неорганические частицы и полимерные частицы // 2579597
Изобретение относится к композиции для химико-механической полировки, применяемой при изготовлении интегральных схем и микроэлектромеханических устройств.

Устройство для односторонней шлифовки плоских поверхностей // 2545851
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано для шлифования и полирования плоских поверхностей, в том числе полупроводниковых пластин.

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия // 2545295
Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия.

Способ обработки поверхности твердого тела // 2494852
Изобретение относится к области обработки поверхности твердых тел, преимущественно для подготовки поверхности пластин, и может быть использовано в микроэлектронике, например, при обработке подложек сверхтвердых материалов для проведения процесса эпитаксии.

Устройство для одностороннего утонения пластин // 2478463
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано при производстве изделий микро- и оптоэлектроники для односторонней обработки, преимущественно шлифованием и полированием, пластин стекла, керамики, сапфира, кварца, кремния, арсенида и других материалов.

Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты) // 2459691
Изобретение относится к двум вариантам способа отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла. .

Способ химико-динамической полировки // 2447196
Изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений.
Способ изготовления нанополированных пластин из карбида кремния // 2345442
Изобретение относится к полупроводниковой технике. .
Способ получения фотошаблонных заготовок // 2329565
Изобретение относится к электронной промышленности. .

Способ изготовления монокристаллических кремниевых пластин // 2308556
Изобретение относится к обработке выращенных методом Чохральского монокристаллов кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин - элементов солнечных батарей и интегральных схем.

Диск из алмазосодержащего материала для обработки материалов электронной техники и изделий из них // 2308118
Изобретение относится к электронной технике, а именно к механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе полупроводниковых и ферритовых материалов.

Способ химико-механического полирования // 2305621
Изобретение относится к области полупроводниковых технологий и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых пластин, включающем механическую обработку и химическое травление.

Способ полирования полупроводниковых материалов // 2295798
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов для обработки обратной стороны структур с готовыми чипами, а также при изготовлении исходных пластин-подложек кремния, германия и др.

Устройство и способ разделения материалов // 2271927
Изобретение относится к устройству и способу разделения материалов, в частности монокристаллов. .

Способ получения фотошаблонных заготовок // 2260873
Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для послойного формирования рисунка микроизображения интегральных схем (ИС) с последующим переносом его на полупроводниковую пластину.

Способ изготовления полупроводниковых структур // 2258978
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, имеющих толщину подложек на уровне 6-50 мкм.

Способ и устройство для резки монокристаллов, а также устройство для юстировки и способ тестирования для определения ориентации кристалла // 2251598
Изобретение относится к способу и устройству для разделения монокристаллов, а также устройству для юстировки и способу тестирования для определения ориентации монокристалла, предназначенным для осуществления такого способа.

Способ получения пластин для солнечных элементов из мультикристаллического кремния // 2231867
Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, в частности к получению пластин из мультикристаллического кремния для изготовления солнечных элементов (СЭ).

Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин // 2224330
Изобретение относится к микроэлектронике. .

Способ позиционирования пластин из полупроводниковых материалов в координатной системе отсчета установки для абразивной резки пластин на "чип"ы // 2220474
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологиях изготовления как дискретных полупроводниковых приборов, так и интегральных микросхем в процессе позиционирования исходных полупроводниковых пластин-подложек (например, на основе монокристаллического кремния) перед операцией их разделения на отдельные структуры ("ЧИП"ы).

Способ резки объемных монокристаллов карбида кремния // 2202135
Изобретение относится к технологии электронного приборостроения. .
Абразив из оксида церия и способ полирования подложек // 2178599
Изобретение относится к абразиву из оксида церия и способу полирования подложек. .
Способ резки полупроводниковых монокристаллов на пластины // 2137251
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полированных пластин из полупроводниковых материалов.

Способ разделения монокристаллических слитков на пластины // 2032248
Изобретение относится к области механической обработки монокристаллических материалов, а именно к резке слитков на пластины, и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении полупроводниковых подложек.

Способ полирования полупроводниковых пластин // 2007784
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве полированных пластин кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов.

Устройство для доводки полупроводниковых пластин // 1829770
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а точнее, к односторонней шлифовке полупроводниковых пластин.

Способ утонения пластин с кристаллами полупроводниковых приборов и интегральных схем // 1787295
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем и может быть использовано в электронной промышленности для утонения полупроводниковых кристаллов без повреждения годных активных и пассивных элементов.
Способ утонения полупроводниковых структур // 1766212
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве высокочастотных интегральных схем и приборов на стадии утонения подложки с нерабочей стороны до толщины 30 мкм и более.
Способ изготовления полупроводниковых структур // 1738035
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при механическом утонении полупроводниковых структур при производстве полупроводниковых приборов.
Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины // 1340492
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии.
 
2548330.
Наверх