Механическая обработка, например шлифование, полирование, резка (H01L21/304)

H01L21/304              Механическая обработка, например шлифование, полирование, резка(60)

Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки // 2790944
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Устройство для разделения металлизированной полупроводниковой пластины после дисковой резки включает носитель, расположенный на подвижной опорной плите, с возможностью перемещения по направляющим полозьям, содержит верхнюю часть с конструктивными элементами, расположенными параллельно пропилам на полупроводниковой пластине, нижнюю опорную часть, а также наковальню, выполненными с возможностью изгибающего воздействия на полупроводниковую пластину посредством пневматического давления.

Устройство для планаризации // 2693512
Изобретение относится к устройству для планаризации способом химической обработки с применением катализатора. Изобретение обеспечивает высокоточную планаризацию без повреждения заготовки с использованием компактного устройства за счет эффективного подавления вибраций во время работы устройства.

Полировальная композиция // 2646938
Представлена полировальная композиция, с помощью которой можно полировать сапфировую подложку, имеющую неполярную плоскость или полуполярную плоскость, с высокой скоростью полирования. Изобретение представляет полировальную композицию, используемую в варианте применения для полирования сапфировой подложки, имеющей неполярную плоскость или полуполярную плоскость, причем полировальная композиция содержит частицы коллоидного кремнезема и воду, в которой значение, полученное делением удельной площади поверхности (единица: м2/г) частиц коллоидного кремнезема на среднечисленный диаметр частиц (единица: нм) коллоидного кремнезема, то есть удельная площадь поверхности/среднечисленный диаметр частиц, составляет 0,5 или более и 3,0 или менее.

Устройство для полировки изделий // 2632045
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано для полирования изделий, например подложек. Устройство содержит полировочную пластину, имеющую верхнюю поверхность с полировочной тканью и установленную с возможностью вращения в горизонтальной плоскости.

Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок // 2631875
Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (СМР) и ее применению при полировании подложек полупроводниковой промышленности. Композиция содержит частицы оксида церия, белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы, и водную среду.
Полирующий состав // 2620836
Изобретение относится к полирующим составам и может быть использовано при полировке подложек из твердых и хрупких материалов. Полирующий состав содержит, по меньшей мере, воду и диоксид кремния.

Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала si1-x gex в присутствии хмп (химико-механической полировальной) композиции, включающей специальное органическое соединение // 2605941
Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и к ее применению для полирования подложек для полупроводниковой промышленности. Способ изготовления полупроводниковых устройств включает химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала Si1-xGex, в котором 0,1≤x<1, в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП), включающей: (A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или их композит, (B) по меньшей мере один тип окислительного реагента, (C) по меньшей мере один тип органического соединения, выбранного из группы, состоящей из альфа-аминокислоты или ее соли, органического соединения, включающего от двух до пяти карбоксигрупп (-СООН), или его соли, моно-, ди-, триалканоламина или его соли, простого аминоэфира, включающего дополнительную аминогруппу, гидроксигруппу, алкоксигруппу, карбоксильный фрагмент, или его соли, органического соединения, включающего от двух до четырех гидроксигрупп (-ОН), или его соли, гетероциклического соединения, включающего 5- или 6-членное кольцо, содержащее от 1 до 3 атомов азота в качестве атомов-элементов кольца, или его соли, N,N,N′,N′-тетракис(2-гидроксипропил)этилендиамина, 4-(2-гидроксиэтил)морфолина, пентаметилдиэтилентриамина, соли или аддукта триэтаноламина (2,2′,2″-нитрилотрис(этанола)) и 4-[(2-этилгексил)амино]-4-оксоизокротоновой кислоты и 2,2′-диморфолинодиэтилового эфира, и (D) водную среду, в котором значение рН ХМП композиции находится в диапазоне от 2,5 до 5,5.

Композиция для химико-механического полирования, содержащая поливинилфосфоновую кислоту и ее производные // 2598046
Изобретение главным образом относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и ее применению в полирующих субстратах полупроводниковой промышленности. Композиция содержит (A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь, или их композит, (B) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, (C) водную среду и (D) сахарный спирт в качестве подавителя SiN.
Полирующая композиция // 2591152
Изобретение относится к полирующей композиции, применяющейся для полировки объекта, который необходимо отполировать, состоящего из твердого и хрупкого материала, обладающего твердостью по Викерсу, равной 1500 Hv или более.

Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки на основе оксидкремниевого диэлектрика и на основе поликремния // 2588620
Изобретение относится к новым водным полирующим композициям, которые особенно подходят для полирования полупроводниковых подложек, содержащих пленки на основе оксидкремниевого диэлектрика и поликремния, необязательно содержащих пленки на основе нитрида кремния.
Способ финишного химико-механического полирования пластин inas // 2582904
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для финишного химико-механического полирования (ХМП) полупроводниковых структур арсенида индия InAs. Технический результат заключается в улучшении качества полирования, упрощении процесса ХМП, уменьшении количества дефектов при полировании, увеличении количества выхода годных чипов.

Композиция для химико-механической полировки (хмп ), содержащая неорганические частицы и полимерные частицы // 2579597
Изобретение относится к композиции для химико-механической полировки, применяемой при изготовлении интегральных схем и микроэлектромеханических устройств. Композиция содержит (А) по меньшей мере один тип неорганических частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В), (Б) по меньшей мере один тип полимерных частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В), (В) жидкую среду, где дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) и дзета-потенциал полимерных частиц в жидкой среде (В) являются положительными.

Устройство для односторонней шлифовки плоских поверхностей // 2545851
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано для шлифования и полирования плоских поверхностей, в том числе полупроводниковых пластин. Устройство содержит основание, в котором жестко закреплен мотор-редуктор.

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия // 2545295
Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия. Способ включает обработку пластин вращающимся полировальником и полирующим составом, дополнительно содержащим в качестве комплексообразователя винную кислоту, в качестве смазывающей добавки этиленгликоль, при следующем содержании компонентов, об.

Способ обработки поверхности твердого тела // 2494852
Изобретение относится к области обработки поверхности твердых тел, преимущественно для подготовки поверхности пластин, и может быть использовано в микроэлектронике, например, при обработке подложек сверхтвердых материалов для проведения процесса эпитаксии.

Устройство для одностороннего утонения пластин // 2478463
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано при производстве изделий микро- и оптоэлектроники для односторонней обработки, преимущественно шлифованием и полированием, пластин стекла, керамики, сапфира, кварца, кремния, арсенида и других материалов.

Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты) // 2459691
Изобретение относится к двум вариантам способа отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла. .

Способ химико-динамической полировки // 2447196
Изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений. .
Способ изготовления нанополированных пластин из карбида кремния // 2345442
Изобретение относится к полупроводниковой технике. .
Способ получения фотошаблонных заготовок // 2329565
Изобретение относится к электронной промышленности. .

Способ изготовления монокристаллических кремниевых пластин // 2308556
Изобретение относится к обработке выращенных методом Чохральского монокристаллов кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин - элементов солнечных батарей и интегральных схем.

Диск из алмазосодержащего материала для обработки материалов электронной техники и изделий из них // 2308118
Изобретение относится к электронной технике, а именно к механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе полупроводниковых и ферритовых материалов. .

Способ химико-механического полирования // 2305621
Изобретение относится к области полупроводниковых технологий и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых пластин, включающем механическую обработку и химическое травление. .

Способ полирования полупроводниковых материалов // 2295798
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов для обработки обратной стороны структур с готовыми чипами, а также при изготовлении исходных пластин-подложек кремния, германия и др.

Устройство и способ разделения материалов // 2271927
Изобретение относится к устройству и способу разделения материалов, в частности монокристаллов. .

Способ получения фотошаблонных заготовок // 2260873
Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для послойного формирования рисунка микроизображения интегральных схем (ИС) с последующим переносом его на полупроводниковую пластину.

Способ изготовления полупроводниковых структур // 2258978
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, имеющих толщину подложек на уровне 6-50 мкм. .

Способ и устройство для резки монокристаллов, а также устройство для юстировки и способ тестирования для определения ориентации кристалла // 2251598
Изобретение относится к способу и устройству для разделения монокристаллов, а также устройству для юстировки и способу тестирования для определения ориентации монокристалла, предназначенным для осуществления такого способа.

Способ получения пластин для солнечных элементов из мультикристаллического кремния // 2231867
Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, в частности к получению пластин из мультикристаллического кремния для изготовления солнечных элементов (СЭ). .

Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин // 2224330
Изобретение относится к микроэлектронике. .

Способ позиционирования пластин из полупроводниковых материалов в координатной системе отсчета установки для абразивной резки пластин на "чип"ы // 2220474
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологиях изготовления как дискретных полупроводниковых приборов, так и интегральных микросхем в процессе позиционирования исходных полупроводниковых пластин-подложек (например, на основе монокристаллического кремния) перед операцией их разделения на отдельные структуры ("ЧИП"ы).

Способ резки объемных монокристаллов карбида кремния // 2202135
Изобретение относится к технологии электронного приборостроения. .
Абразив из оксида церия и способ полирования подложек // 2178599
Изобретение относится к абразиву из оксида церия и способу полирования подложек. .
Способ резки полупроводниковых монокристаллов на пластины // 2137251
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полированных пластин из полупроводниковых материалов. .

Способ разделения монокристаллических слитков на пластины // 2032248
Изобретение относится к области механической обработки монокристаллических материалов, а именно к резке слитков на пластины, и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении полупроводниковых подложек.

Способ полирования полупроводниковых пластин // 2007784
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве полированных пластин кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов. .

Устройство для доводки полупроводниковых пластин // 1829770
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а точнее, к односторонней шлифовке полупроводниковых пластин. .

Способ утонения пластин с кристаллами полупроводниковых приборов и интегральных схем // 1787295
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем и может быть использовано в электронной промышленности для утонения полупроводниковых кристаллов без повреждения годных активных и пассивных элементов.
 
.
Наверх