Обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (H01L21/306)

Отслеживание патентов класса H01L21/306
H01L21/306              Обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L21/3105)(281)

Способ локального травления двуокиси кремния // 2651639
Изобретение относится к микроэлектронике, способам контроля и анализа структуры интегральных схем, к процессам жидкостного травления.

Способ изготовления чувствительных элементов газовых датчиков // 2650793
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, и может быть использовано в технологии изготовления интегральных чувствительных элементов газовых датчиков с диэлектрическими мембранами.

Способ очистки подложек из ситалла в струе высокочастотной плазмы пониженного давления // 2649695
Изобретение относится к способу очистки подложек из ситалла. Способ включает химическую очистку и промывку в деионизованной воде.

Способ удаления фоторезистивных пленок с поверхности оптических стекол // 2643172
Изобретение относится к технологии изготовления изделий оптической техники, конкретно к способу удаления фоторезистивных пленок с поверхности оптических стекол, служащих в качестве основной маски при формировании микроэлементов на их поверхности.

Состав полирующего травителя для химико-механической полировки теллурида кадмия-цинка // 2627711
Изобретение относится к обработке поверхности теллурида кадмия-цинка химико-механическим полирующим травлением.
Способ формирования нитей кремния металл-стимулированным травлением с использованием серебра // 2624839
Использование: для создания металлстимулированным травлением полупроводниковых структур с развитой поверхностью.
Электролит для анодного окисления полупроводниковых соединений на основе aiiibv // 2621879
Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти применение при формировании оксидных слоев в технологии МДП-приборов.

Способ изготовления элементов с наноструктурами для локальных зондовых систем // 2619811
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления функциональных элементов наноэлектроники.

Состав селективного травителя для теллурида кадмия-ртути // 2619423
Изобретение относится к области обработки поверхности теллурида кадмия-ртути ориентации (310) химическим селективным травлением.

Установка для отмывки пластин // 2618492
Изобретение относится к оборудованию для производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для операции обезжиривания и отмывки пластин.

Способ подготовки кристаллической или поликристаллической подложки под металлизацию // 2617461
Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к технологии производства печатных плат. Сущность способа подготовки кристаллической или поликристаллической подложки под металлизацию заключается в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку стандартным образом шлифуют, на подложку наносят фоторезист, который затем засвечивают и травят, фоторезист покрывают маской и активным металлом для снятия заряда, создают внедренные дислокации, для чего выбранный металл обрабатывают потоком ионов от ионного ускорителя и после активации подложки маску и активный металл смывают жидким веществом, не реагирующим с активирующим металлом.

Состав селективного травителя для химических процессов утонения кремниевых пластин // 2615596
Изобретение относится к составам селективных полирующих травителей, используемых в процессах химического утонения эпитаксиальных кремниевых пластин при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Устройство крепления, позиционирования и маскирования кристаллов в технологии химического утонения кремния // 2612296
Изобретение используется в технологии химического утонения кремния при производстве формирователей видеосигналов для приборов с зарядовой связью, освещаемых с обратной стороны.

Способ определения температуры пористого слоя по изменениям показателя преломления при адсорбции // 2602421
Изобретение относится к области измерений температуры тонких поверхностных слоев, в частности пористого диэлектрического слоя в химической промышленности (катализ), при изготовлении оптических и химических сенсоров, а так же в процессе криогенного травления диэлектриков в технологии микроэлектроники.

Способ изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа // 2597657
Изобретение относится к изготовлению средств выявления примесей газов и определения концентрации газов в воздушной среде.

Устройство химико-динамического травления германиевых подложек // 2589517
Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к устройствам химико-динамического травления.

Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой диэлектрической постоянной // 2589482
Изобретение направлено на новую полирующую композицию, которая особенно хорошо подходит для полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой или ультранизкой диэлектрической постоянной.

Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов // 2586266
Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов.

Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры // 2576412
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры, имеющей, по меньшей мере, последовательность слоев GaAs/AlGaAs с заданными характеристиками, включает расположение полупроводниковой гетероструктуры на подложкодержателе в реакторе системы реактивного ионного травления с обеспечением контактирования слоя арсенида галлия с плазмой технологических газов, подачу в реактор технологических газов и последующее селективное реактивное ионное травление при заданных параметрах технологического режима. В способе используют полупроводниковую гетероструктуру, имеющую слой AlGaAs толщиной не менее 10 нм, с содержанием химических элементов AlxGa1-xAs при x, равном либо большем 0,22, в качестве технологических газов используют смесь трихлорида бора и гексафторида серы при соотношении (2:1)-(9:1) соответственно, селективное реактивное ионное травление осуществляют при давлении в реакторе 2-7 Па, мощности, подаваемой в разряд 15-50 Вт, температуре подложкодержателя 21-23°С, общем расходе технологических газов 15-25 мл/мин. Технический результат - повышение выхода годных путем повышения селективности, контролируемости, воспроизводимости, анизотропии и снижения неравномерности, плотности дефектов и загрязнений на поверхности полупроводниковой гетероструктуры.

Способ селенатно-тиосульфатной обработки поверхности арсенида галлия n-типа // 2572793
Изобретение относится к электрохимии полупроводников и технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что поверхность полупроводникового электрода - арсенида галлия n-типа - перед электрохимическим нанесением металла подвергают дополнительной к стандартной химической обработке в растворах халькогенсодержащих соединений с последующей промывкой поверхности в прокипяченной дистиллированной воде.
Метод обработки поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин для формирования активных областей // 2565380
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к обработке поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин от различных видов загрязнений для формирования активных областей.

Способ изготовления иглы кантилевера сканирующего зондового микроскопа // 2562164
Использование: для изготовления иглы кантилевера сканирующего зондового микроскопа. Сущность изобретения заключается в том, что для изготовления иглы кантилевера используют хрупкую прозрачную подложку, которую заполняют оптически прозрачной жидкостью и в горизонтальном положении укладывают в пластическую массу, которую периодически замораживают и размораживают.

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия // 2545295
Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия.

Композиции, содержащие фторзамещенные олефины // 2544689
Изобретение относится к композициям, способам и системам, используемым во многих областях, включая в частности системы теплопереноса, например системы охлаждения, пенообразователи, пенные композиции, пены и изделия, включающие пены или изготовленные из пены, способы получения пен, в том числе и однокомпонентных, аэрозоли, пропелленты, очищающие композиции.

Состав полирующего травителя для теллурида кадмия-ртути // 2542894
Изобретение относится к области обработки поверхности теллурида кадмия-ртути химическим полирующим травлением.

Способ плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла // 2541436
Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники и может быть использовано для плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла.

Устройство свч плазменной обработки // 2539872
Изобретение относится к СВЧ плазменным установкам для проведения процессов травления и осаждения слоев - металлов, полупроводников, диэлектриков при пониженном давлении и может быть использовано в технологических процессах создания полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции.

Устройство свч плазменной обработки пластин // 2539863
Изобретение относится к СВЧ плазменным устройствам для проведения процессов осаждения и травления слоев - металлов, полупроводников, диэлектриков и может быть использовано в технологических процессах создания полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции, работающих в экстремальных условиях.
Способ очистки кварцевой трубы // 2534446
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах.
Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин // 2534444
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления.
Способ очистки карбид-кремниевой трубы // 2534388
Изготовление относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Способ реактивного ионного травления слоя нитрида титана селективно к двуокиси кремния, поликремнию и вольфраму // 2533740
Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структуры интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления.

Способ и устройство для получения кромки полупроводниковых устройств // 2530454
Изобретение относится к способу и устройству получения кромки полупроводниковых устройств. В способе получения кромки полупроводникового устройства, включающем подготовку полупроводниковой подложки, которая имеет по меньшей мере две основные поверхности, каждая из которых имеет край, и по меньшей мере одну краевую область, которая прилегает по меньшей мере к одному из краев, нанесение химического травителя при одновременном вращении полупроводниковой подложки направленно по меньшей мере на одну краевую область полупроводниковой подложки так, что травление ограничено краевой областью, при этом начинают нанесение травителя на радиально внутреннюю часть, и зону обработки в процессе травления изменяют радиально наружу.

Устройство для плазмохимического травления // 2529633
Изобретение относится к устройствам для генерирования плазмы высокой плотности и может быть использовано для травления изделий микроэлектроники.

Устройство химико-динамического травления германиевых подложек // 2520955
Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для химико-динамического утонения германиевых подложек.

Канальная матрица и способ ее изготовления // 2516612
Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства управляемых микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики.

Способ и устройство отмывки и сушки подложек // 2510098
Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники.

Способ очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин // 2507630
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин от органических загрязнений и получению пористой поверхности кремния при изготовлении различных структур.

Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин // 2495512
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин кремния от механических и органических загрязнений, и может найти применение в микроэлектронике, радиотехнической, электротехнической и других отраслях промышленности.

Способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия // 2494493
Изобретение относится к технологии полупроводников, в частности к способам консервации поверхности полупроводниковых подложек.
Способ формирования полости в подложке из арсенида галлия // 2488189
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано, в частности, в технологии изготовления полупроводниковых СВЧ приборов.

Способ изготовления чипов наногетероструктуры и травитель // 2485628
Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей.

Способ плазмохимического травления материалов микроэлектроники // 2456702
Изобретение относится к технологии производства электронных компонентов для микро- и наносистемной техники. .

Устройство для локального плазмохимического травления подложек // 2451114
Изобретение относится к устройствам локального травления тонких пленок микроэлектроники. .

Состав газовой смеси для формирования нитрид танталового металлического затвора методом плазмохимического травления // 2450385
Изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии.

Способ изготовления универсальных датчиков состава газа // 2449412
Изобретение относится к изготовлению средств выявления примеси газов в воздушной среде и определения уровня концентрации газов в среде.

Способ локальной плазмохимической обработки материала через маску // 2439740
Изобретение относится к способам общего назначения для обработки материалов с помощью электрической энергии и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов.

Способ локального плазмохимического травления материалов // 2436185
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к технологии полупроводниковых приборов.
Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин // 2432638
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время жидкостной обработки.
 
.
Наверх