Из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L21/312)
H Электричество(232322)
H01L21/312 Из органических веществ, например слоев фоторезиста ( H01L21/3105,H01L21/32 имеют преимущество)(71)
Состав для удаления полиимидного материала // 2711532
Изобретение относится к приборостроению, в частности к составам для удаления с изделий имидизированного полиимидного лака. Состав для травления полиимидного материала содержит органический амин, состоит из диметилсульфоксида (ДМСО), диметилформамида (ДМФА).
Использование: для формирования фоторезистивных пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования фоторезистивной пленки толщиной от 0,8 до 20 мкм из раствора на поверхности подложки включает нанесение фоторезистивного материала из раствора методом аэрозольного итеррационного распыления в потоке газа, обеспечивают сушку формируемой пленки фоторезиста за счет увеличенной скорости испарения растворителя, на подложку в виде отдельных микрокапель, не образующих сплошного слоя в отдельной итерации, при этом подложка может содержать элементы с перепадом высоты, превышающим толщину фоторезистивной пленки, при этом для приготовления раствора фоторезистивного материала используют растворитель, имеющий температуру кипения в диапазоне от 180 до 215°С, представляющий собой один из растворителей или их смесь - циклогексанметанол, 2-циклогексилэтанол - в объемном отношении от не менее 2:1 до 5:1 к основным компонентам материала сформированной фоторезистивной пленки.
Изобретение может быть использовано для формирования фоторезистивных пленок, однородных по толщине и пригодных для проведения операций фотолитографии для формирования интегральных микросхем, МЭМС и СВЧ-структур на подложках, в том числе со сложным рельефом, где перепад высот существенно больше толщины формируемой пленки фоторезиста.
Способ взрывной фотолитографии // 2610843
Изобретение относится к взрывной фотолитографической технологии и может быть использовано, когда получение рабочего рисунка из активного материала (металла или полупроводника) методами избирательного химического или плазмохимического травления через фоторезистную маску затруднено или нецелесообразно в связи с повышенной химической стойкостью к травлению активного материала.
Способ консервации твердотельной поверхности и консервирующее твердотельную поверхность покрытие // 2601745
Изобретение относится к технологии изготовления приборов микро- и наноэлектроники. Предложен способ консервации твердотельной поверхности, включающий последовательно осуществляемые стадию предварительной подготовки поверхности к консервации и стадию нанесения консервирующего покрытия.
Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции.
Группа изобретений относится к способам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов на твердом теле с использованием светочувствительных составов, например фоторезистов, содержащих диазосоединения в качестве светочувствительных веществ, а именно к способам формирования фоторезистной маски позитивного типа, которые могут найти применение в области микроэлектроники для получения изделий при помощи технологических способов, включающих стадию фотолитографии.
Изобретение относится к оборудованию для электронной промышленности, а именно к оборудованию для нанесения фоторезиста на подложки методом центрифугирования. Технический результат - уменьшение времени изготовления и увеличение выхода годных изделий - достигается тем, что устройство для нанесения фоторезиста содержит защитный корпус с крышкой, держатель подложек, гайки, вал центрифуги.
Устройство для нанесения фоторезиста // 2402102
Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано при нанесении фоторезиста на полупроводниковые пластины, а также другие подложки в процессе выполнения операций фотолитографии.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам нанесения фоторезиста на кремниевую подложку для проведения технологических процессов фотолитографии.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев.
Изобретение относится к технологии тонкопленочных приборов. .
Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат.
Изобретение относится к полупроводниковому производству, в частности к процессам фотолитографии при нанесении фоторезиста на пластины, а также может использоваться при получении других полимерных покрытий центрифугированием.
Изобретение относится к устройствам нанесения покрытий посредством центрифугирования и может быть использовано, в частности, для создания светочувствительного слоя на полупроводниковых пластинах и фотошаблонах.
Способ формирования фоторезистивной маски // 2195047
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в литографических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и печатных плат. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. .
Способ получения покрытий из фоторезиста // 2136077
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. .
Способ нанесения покрытий центрифугированием // 2094903
Изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано при получении тонких покрытий на пластинах. .
Способ изготовления тест-рентгеношаблонов // 2055418
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при разработке и изготовлении тест-рентгеношаблонов для производства СБИС и некоторых микроэлектронных приборов. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пъезоэлектрических подложках при изготовлении волноводов, микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.д.
Способ фотолитографии // 2036536
Способ формирования микроизображений // 2032249
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, а именно к способу очистки поверхности полупроводниковых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов, и может быть использовано в других областях промышленности, где применяют детали высокой степени чистоты из различных материалов, например в оптической, пищевой промышленности, телерадиоэлектронике, лазерной технике.
Способ планаризации интегральных схем // 2024992
Изобретение относится к области производства БИС, а более конкретно - к плазменной технологии планаризации диэлектриков на основе кремния (двуокись кремния, ФСС, БСС, БФСС, SiO2CVD, Si3N4) и может быть использовано для планаризации рельефа боковой диэлектрической изоляции (изопланар) и межслойных диэлектриков в многослойной металлизации.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. .
Способ получения пленки полианилина // 1811328
Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика на полупроводниковые подложки. .
Изобретение относится к электронной технике, более конкретно к технологии производства интегральных схем (ИС), и может быть использовано для повышения воспроизводимости (или стабилизации) технологических процессов, связанных с взаимодействием излучения с М-слойной (М 1, 2,) структурой тонкопленочных покрытий.
Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика на полупроводниковые подложки. .
Способ изготовления шаблона // 1788532
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых интеградьных микросхем с помощью фотолитографии. .
Способ формирования рисунка // 1662361
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при создании устройств на основе сверхпроводящих материалов. .
Состав для удаления позитивного фоторезиста // 1653442
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении задубленного слоя фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин и фотошаблонных заготовок.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для нанесения фоторезиста на пластины и фотошаблоны при фотолитографии. .
Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности к рентгенолитографии, и предназначено для использования в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком на подложке и экспонирования.
Изобретение относится к производству изделий микроэлектроники и может быть использовано для получения тонкопленочных покрытий на пластинах, например, при изготовлении фотошаблонов. .
Способ изготовления хромовых шаблонов // 1577555
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. .
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. .
Изобретение относится к гетероциклическим соединениям, в частности к 9-диэтипамино-3-метакрилоилокси-5Н- бензо а феноксазин-5-дицианметилену, который может использоваться в качестве термонапьшяемого фоторезиста для сухой литографий.
