Последующая обработка (H01L21/321)
H Электричество(232322)
H01L21/321 Последующая обработка(5)
Модуль проточной ячейки включает первую и вторую структурированные пластины, имеющие модифицированную поверхность, и разделительный слой. Первая структурированная пластина с модифицированной поверхностью включает первые углубления, разделенные первыми промежуточными участками, и первая функционализированная молекула присоединена к первому силану или производному силана в по меньшей мере некоторых первых углублениях, и первый праймер привит к первой функционализированной молекуле в по меньшей мере некоторых первых углублениях.
Изобретение относится к способу изготовления рентгенолитографического шаблона, т.е. маски для рентгеновской литографии, рентгенолитографической маски, рентгеновского шаблона, для формирования резистивной маски или скрытого изображения в рентгеночувствительных материалах способом трафаретной рентгеновской литографии.
Способ формирования шариковых выводов на алюминиевой металлизации контактных площадок кристалла // 2671383
Использование: для изготовления интегральных схем (ИС), гибридных интегральных схем (ГИС), микросборок и модулей. Сущность изобретения заключается в том, что на контактных площадках кристалла формируют шариковые выводы из платиновой проволоки термозвуковым методом сварки, а после планаризации шариковых выводов на них наносят шарик припоя для последующей пайки кристалла на корпус/подложку по технологии «flip-chip».
Изобретение относится к композиции для химико-механической полировки. Описана композиция для химико-механичекой полировки, содержащая(А) одно или более соединений формулы (1)где пары пунктирных линий в формуле (1) либо каждая обозначает двойную связь, либо обозначает одинарную связь, где (i) когда каждая пара пунктирных линий в формуле (1) обозначает двойную связь, один из R1 и R2 представляет собой водород и другой из R1 и R2 выбирается из группы, включающей хлор, бром, алкил, содержащий от трех до шести атомов углерода, бензоил и -COOR3, где R3 выбирается из группы, включающей алкилы, содержащие от трех до шести атомов углерода, или R3 представляет собой заместитель, содержащий структурную единицу, выбранную из группы, включающей -(СН2-СН2-O)n-Н и -(CH2-CH2-O)n-CH3, где n, в каждом случае, представляет собой целое число в интервале от 1 до 15, или R1 и R2 оба независимо выбираются из группы, включающей бром и хлор, и (ii) когда каждая пара пунктирных линий в формуле (1) обозначает одинарную связь, R1 и R2 представляют собой водород, или один из R1 и R2 представляет собой водород, и другой из R1 и R2 выбирается из группы, включающей хлор, бром, алкил, содержащий от трех до шести атомов углерода, бензоил и -COOR3, где R3 выбирается из группы, включающей алкилы, содержащие от трех до шести атомов углерода, или R3 представляет собой заместитель, содержащий структурную единицу, выбранную из группы, включающей -(СН2-СН2-O)n-Н и -(СН2-СН2-O)n-СН3, где n, в каждом случае, представляет собой целое число в интервале от 1 до 15, или R1 и R2 оба независимо выбираются из группы, включающей бром и хлор, причем общее количество одного или нескольких соединений формулы (1) лежит в диапазоне от 0,0001 до 1 мас.% на основе общей массы соответствующей композиции для химико-механической полировки,(В) неорганические частицы, органические частицы, или их композит, или смесь, которые находятся в форме кокона, где общее количество катионов, выбранных из группы, включающей магний и кальций, составляет менее 1 части на миллион на основе общей массы соответствующей композиции.
Способ сухой электронно-лучевой литографии // 2629135
Использование: для формирования резистных масок. Сущность изобретения заключается в том, что наносят слой резиста, в качестве которого выбирают низкомолекулярный полистирол, на подложку методом термического вакуумного напыления, при этом температура подложки во время напыления не более 30°C; формируют на подложке скрытое изображение путем локального экспонирования высокоэнергетичным пучком электронов с дозой засветки 2000-20000 мкКл/см2; проявляют резист при подогреве подложки в вакууме до температуры 600-800 К и при давлении не более 10-1 мбар и плазменное травление для переноса рисунка резистной маски в подложку для формирования микро- и наноструктуры на подложке.
Изобретение относится к аналитической химии, в частности к методам создания стандартных образцов химического состава наноматериалов. .
Изобретение относится к композиции для удаления так называемых "отложений на стенках" с металлических поверхностей, в особенности с алюминия или алюминийсодержащих поверхностей, в частности в процессе производства полупроводниковых элементов.
