Для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки (H01L21/322)

H01L21/322              Для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки(32)

Электронное устройство на основе одноэлектронного транзистора, реализующее отрицательное дифференциальное сопротивление // 2759243
Изобретение относится к нанотехнологиям, а конкретно к технологиям изготовления одноэлектронных транзисторов, которые могут быть использованы для конструирования новых вычислительных, коммуникационных и сенсорных устройств.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2680607
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 ч.

Способ изготовления полупроводниковых структур // 2680606
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. Способ изготовления полупроводниковой структуры предусматривает проведение на обратной стороне пластины диффузии фосфора при 1100°С в течение часа с последующим нанесением на обратную сторону пластины пленок нитрида кремния толщиной 200 нм со скоростью 10 нм/мин с помощью ВЧ-катодного распыления при температуре 300°С и последующей термообработкой при температуре 1000-1200°С в течение часа в атмосфере азота с добавкой 1% кислорода.

Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2646942
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры подложку кремния с тыльной стороны подвергают обработке ионами Sb+ энергией 30 кэВ, дозой 3,5*1015 см-2 при температуре 300°С, с последующей термообработкой при температуре 800°C в течение 4-6 часов.

Способ формирования эффективного внутреннего геттера в монокристаллических бездислокационных пластинах кремния // 2512258
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращенных методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов.
Способ изготовления полупроводниковой структуры // 2418343
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечки и устойчивых к тиристорному эффекту.
Способ упрочнения бездислокационных пластин кремния // 2344210
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращиваемых методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов.

Способ изготовления оптических приборов // 2291519
Изобретение относится к способу изготовления оптических приборов, в частности полупроводниковых оптоэлектронных приборов, таких как лазерные диоды, оптические модуляторы, оптические усилители, оптические коммутаторы и оптические детекторы.

Способ геттерирующей обработки полупроводниковых структур // 2281582
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для очистки полупроводниковых структур от ростовых и технологических микродефектов. .

Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин // 2224330
Изобретение относится к микроэлектронике. .

Способ обработки структур "кремний на диэлектрике" // 2193257
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на диэлектрике", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов.

Способ изготовления структур "кремний на изоляторе" // 2193256
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для создания структур "кремний на изоляторе", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к действию дестабилизирующих факторов.

Способ обработки кремниевых подложек // 2172537
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния, предназначенных для создания дискретных приборов и интегральных микросхем.

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов.
Способ устранения структурных дефектов в твердых телах // 2124784
Изобретение относится к области микроэлектронной и наноэлектронной технологии производства электронных компонентов, интегральных схем и устройств функциональной электроники. .

Способ подготовки кремниевых подложек // 2110115
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния с геттерирующими слоями. .

Способ изготовления интегральных схем // 2109371
Изобретение относится к области изготовления интегральных схем. .

Способ обработки пластин кремния // 2105381
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для подготовки кремниевых пластин-подложек в производстве дискретных приборов и интегральных схем. .

Способ обработки кремниевых подложек // 2098887
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, а именно к технологии изготовления кремниевых пластин-подложек с низким содержанием структурных дефектов и фоновых примесей. .

Способ формирования внутреннего геттера в пластинах кремния // 1635827
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологическом процессе изготовления полупроводниковых приборов. .
Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины // 1499627
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение стабильного качества кремниевых пластин. .
Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины // 1340492
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии.
Способ экстракции ростовых кластеров в монокристаллическом кремнии // 1083848
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для улучшения совершенства структуры монокристаллического кремния, в частности структуры стандартных кремниевых пластин, используемых в производстве для создания полупроводниковых приборов.
 
.
Наверх