Для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки (H01L21/322)
H01L21/322 Для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки(32)
Изобретение относится к нанотехнологиям, а конкретно к технологиям изготовления одноэлектронных транзисторов, которые могут быть использованы для конструирования новых вычислительных, коммуникационных и сенсорных устройств.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 ч.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. Способ изготовления полупроводниковой структуры предусматривает проведение на обратной стороне пластины диффузии фосфора при 1100°С в течение часа с последующим нанесением на обратную сторону пластины пленок нитрида кремния толщиной 200 нм со скоростью 10 нм/мин с помощью ВЧ-катодного распыления при температуре 300°С и последующей термообработкой при температуре 1000-1200°С в течение часа в атмосфере азота с добавкой 1% кислорода.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры подложку кремния с тыльной стороны подвергают обработке ионами Sb+ энергией 30 кэВ, дозой 3,5*1015 см-2 при температуре 300°С, с последующей термообработкой при температуре 800°C в течение 4-6 часов.
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращенных методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечки и устойчивых к тиристорному эффекту.
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращиваемых методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов.
Изобретение относится к способу изготовления оптических приборов, в частности полупроводниковых оптоэлектронных приборов, таких как лазерные диоды, оптические модуляторы, оптические усилители, оптические коммутаторы и оптические детекторы.
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для очистки полупроводниковых структур от ростовых и технологических микродефектов. .
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на диэлектрике", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов.
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для создания структур "кремний на изоляторе", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к действию дестабилизирующих факторов.
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния, предназначенных для создания дискретных приборов и интегральных микросхем.
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов.
Изобретение относится к области микроэлектронной и наноэлектронной технологии производства электронных компонентов, интегральных схем и устройств функциональной электроники. .
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния с геттерирующими слоями. .
Изобретение относится к области изготовления интегральных схем. .
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для подготовки кремниевых пластин-подложек в производстве дискретных приборов и интегральных схем. .
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, а именно к технологии изготовления кремниевых пластин-подложек с низким содержанием структурных дефектов и фоновых примесей. .
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологическом процессе изготовления полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение стабильного качества кремниевых пластин. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для улучшения совершенства структуры монокристаллического кремния, в частности структуры стандартных кремниевых пластин, используемых в производстве для создания полупроводниковых приборов.