Транзисторов (H01L21/331)
H Электричество(232322)
H01L21/331 Транзисторов(37)
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости формируют скрытый n+ слой по стандартной технологии, затем последовательно наращивают эпитаксиальный слой р-типа проводимости толщиной 3,5 мкм с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, который служит продолжением подложки, затем формируют эпитаксиальный слой n-- типа проводимости толщиной 7,1 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3 и верхний эпитаксиальный слой n- типа проводимости толщиной 4,4 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с высоким коэффициентом усиления. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости наращивают эпитаксиальный слой n-типа проводимости.
Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с гетероструктурой с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводникового прибора гетеропереход база-коллектор формируют выращиванием n-слоя Si толщиной 400 нм при температуре 1000°С со скоростью роста 2,5 нм/с, с концентрацией мышьяка As (3-5)*1016 см-3, с последующим выращиванием p-слоя SiGe толщиной 50 нм со скоростью роста 0,5 нм/с при температуре 625°С, с концентрацией бора В (2-4)*1016 см-3, давлении 3*10-7 Па.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводникового прибора, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования области эмиттера на подложке кремния разложением моносилана при температуре 650°С осаждают слой поликристаллического кремния толщиной 0,2 мкм со скоростью 10 нм/мин, с последующей термообработкой при температуре 1000-1100°С в течение 30 минут в потоке N2O-N2.
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор, выполненный на основе гетероэпитаксиальных структур SiGe, включает подложку из высокоомного кремния с кристаллографической ориентацией (111), буферный слой из нелегированного кремния, субколлекторный слой из сильнолегированного кремния n-типа проводимости, поверх которого сформирован коллектор из кремния n-типа проводимости, тонкая база из SiGe р-типа проводимости, эмиттер из кремния n-типа проводимости, контактные слои на основе кремния n-типа проводимости и омические контакты.
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором на основе кремния.
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Способ изготовления биполярного транзистора // 2351036
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления биполярных транзисторов. .
Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления // 2279733
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области создания интегральных схем (ИС) с использованием биполярных транзисторов. .
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники. .
Способ изготовления биполярного транзистора // 2262774
Способ изготовления биполярного транзистора // 2110868
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах с использованием методов самосовмещенной технологии (ССТ). .
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для изготовления биполярных планарных транзисторов как в дискретном, так и в интегральном исполнении. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления СИ на биполярных вертикальных PNP транзисторах. .
Способ изготовления биполярного транзистора // 2099814
Изобретение относится к полупроводниковому производству, а именно к способам изготовления мощного кремниевого транзистора с пониженной степенью легирования эмиттерной области. .
Изобретение относится к полупроводниковому производству, а именно к способу изготовления мощного кремниевого транзистора с высоким коэффициентом усиления по току и низким уровнем шума. .
Изобретение относится к области полупроводникового производства, а именно к способу изготовления мощного кремниевого транзистора с пониженной степенью легирования эмиттерной области. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов. .
Способ изготовления интегральных схем // 1489496
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и применимо в технологии изготовления дискретных транзисторных структур и интегральных схем. .
Способ изготовления транзисторных структур // 1369592
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении биполярных приборов и интегральных микросхем на их основе. .
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления кремниевых n-p-n-транзисторов, и может быть использовано в производстве мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов и биполярных интегральных микросхем.
Способ изготовления биполярных транзисторов // 1010994
Способ изготовления свч-транзисторов // 897048
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления транзисторных структур с полным эмиттером. .
