Тиристоров (H01L21/332)
H Электричество(232322)
H01L21/332 Тиристоров(6)
Способ изготовления полупроводникового компонента с интегрированным поперечным сопротивлением // 2548589
Способ изготовления полупроводникового компонента, имеющего по меньшей мере одно интегрированное поперечное сопротивление, включает подготовку полупроводниковой подложки из легированного полупроводникового материала первого типа проводимости с легированной базовой зоной второго типа проводимости, маскирование поверхности полупроводниковой подложки, для того чтобы по меньшей мере частично вскрыть область сопротивления базовой зоны, осаждение на вскрытую область сопротивления легирующей примеси так что на вскрытой области сопротивления формируется тонкий покровный слой первого типа проводимости, имеющий высокую концентрацию легирующей примеси, разгонку осажденной легирующей примеси в области сопротивления таким образом, что из тонкого покровного слоя формируется более толстый слой, имеющий меньшую концентрацию легирующей примеси.
Способ изготовления тиристоров // 2106038
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров. .
Способ изготовления тиристоров // 1082229
