Нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание (H01L21/36)
H Электричество(232322)
H01L21/36 Нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание(43)
Слой топологического изолятора pb1-хsnхte:in на кристаллической подложке и способ его изготовления // 2783365
Изобретение относится к области трехмерных кристаллических топологических изоляторов. Слой топологического изолятора Pb1-xSnxTe:In на кристаллической подложке состоит из последовательно эпитаксиально выращенных на кристаллической подложке первого слоя Pb1-xSnxTe:In, где х=0,2-0.3 толщиной 0,5-1 мкм с концентрацией индия 0,2-2% и второго слоя Pb1-xSnxTe:In, где х≥0,3 толщиной 10-20 нм с концентрацией индия 0.1-1,5%.
Способ получения монокристаллического sic // 2736814
Использование: для получения монокристаллов SiC. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает сублимацию источника карбида кремния на пластину затравочного монокристалла SiC в присутствии расположенной параллельно ей во внутреннем объеме ростового тигля пленки из карбида тугоплавкого металла, созданной до проведения сублимации, сублимацию проводят в ростовом тигле, выполненном составным из двух герметично соединенных частей, верхняя часть которого, выполненная с меньшим диаметром внутренней полости D1, предназначена для размещения пластины затравочного монокристалла SiC и слитка монокристаллического SiC, а нижняя, с большим диаметром внутренней полости D2, - для размещения источника карбида кремния и пленки из карбида тугоплавкого металла, при этом в нижней части составного тигля на расстоянии Н от поверхности соединения частей составного тигля размещают пластину из пористого графита со средним размером пор Р, на которую со стороны, обращенной к пластине затравочного монокристалла SiC и соосно ей, предварительно создана пленка из карбида тугоплавкого металла диаметром D3≥D1+2Н и толщиной Н3≤Р.
Использование: для получения электротехнических тонких пленок. Сущность изобретения заключается в том, что предлагается способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, в частности базового слоя, при котором обеспечивают электропроводные и/или полупроводниковые неорганические агломераты в дисперсии на поверхности и отверждают их с образованием слоя, при этом отверждение проводят при комнатной температуре, отверждение ускоряют посредством приведения в контакт по меньшей мере с одним реагентом, по меньшей мере один наносимый базовый слой представляет собой слой, содержащий агломераты по меньшей мере одного образующего цепи элемента, причем образующий цепи элемент состоит из углерода, при этом базовый слой в виде преимущественно водной углеродсодержащей суспензии, содержащей по меньшей мере микроразмерный графит с аморфным углеродным компонентом и необязательно до 49% добавок из сажи, активированного угля, смолы, токопроводящей сажи, печной сажи, газовой сажи, ламповой сажи, сажи ESD, смешивают с порошком по меньшей мере одного металла, который представляет собой порошок растворимого в основаниях металла с размером частиц не более чем микрометрового диапазона, предпочтительно по меньшей мере одного металла из группы, состоящей из кремния, алюминия, галлия, индия, магния, кальция, бария, железа, кобальта, никеля, меди, цинка, более предпочтительно кремния, алюминия и железа, pH суспензии доводят до значения, необходимого для протекания реакции, составляющего более 7, и при этом ее наносят в качестве восстановительного слоя и подвергают предварительному отверждению по меньшей мере с получением стабилизированной краевой оболочки, причем суспензию, наносимую тонким слоем, отверждают по меньшей мере посредством воздействия сопутствующего УФ-излучения.
Изобретение относится к области формирования микроструктур для использования в различных оптоэлектронных устройствах, а более конкретно к области формирования лазерных микрорезонаторов, обладающих одночастотным спектром излучения.
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С.
Недостаток традиционных напечатанных пленочных PV-элементов заключается в том, что получение этих элементов часто требует дорогих этапов вакуумной подготовки и термического закаливания или запекания, причем тонкие легированные вакуумные пленки чрезвычайно подвержены коррозии и загрязнению.
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.
Изобретение относится к реакторам осаждения с плазменным источником. Установка для плазменного атомно-слоевого осаждения содержит газовую линию от источника химически неактивного газа к расширительному устройству для подачи радикалов, открывающемуся в реакционную камеру, удаленный плазменный источник, систему управления потоком газа из источника химически неактивного газа через удаленный плазменный источник к расширительному устройству для подачи радикалов в течение всего периода плазменного атомно-слоевого осаждения, реактор плазменного атомно-слоевого осаждения, выполненный с возможностью осаждения материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций.
Изобретение относится к области технологии получения монокристаллических пленок кубического нитрида бора c-BN на подложках из полупроводникового кремния и может быть использован, в частности, для создания нового поколения оптоэлектронных приборов, излучающих и принимающих в диапазоне длин волн от УФ до ИК, для радиоэлектронной, атомной и космической промышленности.
Изобретение относится к технологии точного приборостроения и может быть использовано для изготовления волноводных трактов постоянного и/или переменного сечения миллиметрового диапазона, применяемых в СВЧ приборах.
Изобретение относится к металлооксидным тонким пленкам, используемым при изготовлении полевого транзистора. Жидкость для нанесения покрытия с образованием металлооксидной тонкой пленки включает неорганическое соединение индия, по меньшей мере одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка, простой гликолевый эфир и диол, причем диол выбран из по меньшей мере одного из диэтиленгликоля, 1,2-пропандиола и 1,3-бутандиола.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру роста 5 и каналы для подачи и вывода расплавов.
Изобретение относится к технике, используемой для нагревания полупроводниковой подложки при выращивании тонких эпитаксильных пленок методом молекулярно-пучковой эпитаксии. .
Способ выращивания слоев оксида цинка // 2384914
Изобретение относится к оптоэлектронике, электронике, солнечной энергетике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем. .
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно фоточувствительных пленок селенида свинца, используемых для изготовления фотодетекторов ИК-излучения в диапазоне длин волн 1-5 мкм.
Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к способам получения эпитаксиальных оксидных пленок, и может быть применено в области микроэлектроники, акусто- и оптоэлектроники, а также в производстве полупроводниковых приборов.
Способ получения эпитаксиальных пленок // 2330350
Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к способам получения эпитаксиальных пленок, и может быть применено в области микроэлектроники, акусто- и оптоэлектроники, а также в производстве полупроводниковых приборов.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. .
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. .
Изобретение относится к технологии эпитаксиального выращивания тонких пленок из газовой фазы. .
Способ создания нанотрубок // 2238239
Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах.
Изобретение относится к области электронного материаловедения. .
Способ формирования диоксида кремния // 2191848
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем. .
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов, точнее к способам эпитаксиального наращивания, а именно получения слоя полупроводника III-нитрида (GaN, A1N, InN) на чужеродной подложке путем газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений (МОС), и может найти применение при создании полупроводниковых лазеров, светодиодов, ультрафиолетовых фотоприемников, высокотемпературных диодов, транзисторов и т.
Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп // 2151457
Изобретение относится к области технической физики. .
Полупроводниковый источник света // 1774400
Способ радиационной обработки транзисторов // 1424634
Способ получения изображения // 775761
Фотошаблон // 508974
Эталонный фотошаблон // 508973
Способ выращивания пленок // 466816
Реактор для эпитаксиального наращивания // 339245
Способ получения р - «-переходов // 196177
