С использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления (H01L21/363)
H Электричество(232322)
H01L21/363 С использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления(15)
Изобретение относится к технологии точного приборостроения и может быть использовано для изготовления волноводных трактов постоянного и/или переменного сечения миллиметрового диапазона, применяемых в СВЧ приборах.
Способ выращивания слоев оксида цинка // 2384914
Изобретение относится к оптоэлектронике, электронике, солнечной энергетике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем. .
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. .
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. .
Способ создания нанотрубок // 2238239
Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах.
Изобретение относится к области электронного материаловедения. .
Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп // 2151457
Изобретение относится к области технической физики. .
Полупроводниковый источник света // 1774400
Способ радиационной обработки транзисторов // 1424634
Способ получения изображения // 775761
Фотошаблон // 508974
Эталонный фотошаблон // 508973
