С использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение (H01L21/365)
H Электричество(232322)
H01L21/365 С использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение(7)
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С.
Изобретение относится к реакторам осаждения с плазменным источником. Установка для плазменного атомно-слоевого осаждения содержит газовую линию от источника химически неактивного газа к расширительному устройству для подачи радикалов, открывающемуся в реакционную камеру, удаленный плазменный источник, систему управления потоком газа из источника химически неактивного газа через удаленный плазменный источник к расширительному устройству для подачи радикалов в течение всего периода плазменного атомно-слоевого осаждения, реактор плазменного атомно-слоевого осаждения, выполненный с возможностью осаждения материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций.
Изобретение относится к технологии эпитаксиального выращивания тонких пленок из газовой фазы. .
Способ формирования диоксида кремния // 2191848
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем. .
