С использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение (H01L21/428)
H Электричество(232322)
H01L21/428 С использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение(6)
Изобретение относится к области оптоэлектроники и к оптическим лазерным технологиям формирования топологических микроразмерных структур на подложках. Способ формирования периодического рисунка на поверхности аморфных тонких пленок фазопеременных халькогенидных материалов включает лазерное локальное облучение предварительно нанесенной пленки, при этом в результате однократного сканирования лазерным пучком формирование перезаписываемых двухфазных периодических структур происходит в доабляционном энергетическом режиме в процессе периодической локальной кристаллизации пленки фазопеременных халькогенидных материалов в поле импульсного линейно поляризованного лазерного излучения ультракороткой длительности с длиной волны 1030±10 нм, движущегося относительно поверхности пленки со скоростью сканирования от 1 до 200 мкм/с, причем лазерное облучение проводят импульсами с длительностью от 150 фс до 2 пс, частотой следования от 1 до 500 кГц и плотностью потока энергии от 3,0 до 3,6 мДж/см2.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига или легирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Способ лазерной обработки неметаллических материалов согласно изобретению заключается в предварительном подогреве материала до начальной температуры, определяемой из условия термопрочности, связывающего прочностные, теплофизические свойства материала, длительность лазерного импульса и температуру отжига, и воздействии на материал лазерного импульса с плотностью энергии, достаточной для достижения поверхностью материала температуры отжига (плавления).
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Cпособ лазерной обработки неметаллических пластин согласно изобретению включает предварительный нагрев пластин до температуры, определяемой из предложенного уравнения, исходя из условия термопрочности пластин, и облучение поверхности пластин непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, достаточной для достижения на поверхности температуры отжига.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. В способе лазерной обработки неметаллических пластин, заключающемся в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения с плотностью энергии, зависящей от температуры отжига, начальной температуры пластины, удельной теплоемкости и плотности материала пластины, а также показателя поглощения материала пластины на длине волны лазерного излучения, осуществляют предварительный нагрев пластины до определенной температуры.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Предложен способ лазерной обработки неметаллических пластин, заключающийся в облучении их поверхности непрерывным лазерным излучением с плотностью энергии, достаточной для достижения поверхностью пластины температуры отжига.
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Техническим результатом изобретения является исключение разрушения пластин термоупругими напряжениями в процессе обработки и повышение выхода годных пластин.
Изобретение может быть использовано для лазерного пробития сквозных отверстий в пластинах из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Способ обработки неметаллических пластин согласно изобретению заключается в облучении их поверхности лазерным импульсом с минимальной расходимостью.
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к получению наноструктур на поверхности полупроводника. Способ модификации полупроводниковой пленки согласно изобретению заключается в том, что воздействуют на полупроводниковую пленку непрерывным лазерным излучением с энергией кванта превосходящей ширину запрещенной зоны в диапазоне мощности от 5 до 10 Вт, при диаметре лазерного пучка на поверхности пленки от 30 до 100 мкм, так чтобы интенсивность воздействия не превышала 106 Вт/см2, при сканировании поверхности пленки со скоростью от 40 до 160 мкм/с.
Способ получения рельефа на поверхности // 2546719
Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике. Cпособ получения рельефа на поверхности светоизлучающих кристаллов полупроводниковых светодиодов локальными эрозионными воздействиями на поверхность, при этом в соответствии с изобретением, эрозия производится оптико-термическим действием импульсного лазерного излучения, проникающего в кристалл, с глубиной поглощения в кристалле, близкой к глубине эрозии, и длительностью лазерных импульсов, меньшей времени распространения тепловой волны нагревания кристалла на глубину эрозии, причем энергия импульса лазерного излучения не менее приводящей к процессу поверхностного испарения кристалла.
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы. .
