Осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов (H01L21/441)
H Электричество(232322)
H01L21/441 Осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов(6)
Способ изготовления индиевых микроконтактов с помощью позитивного обращаемого фоторезиста // 2522769
Использование: для получения индиевых микроконтактов и соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения заключается в том, что на полупроводниковую пластину с металлическими площадками для формирования индиевых микроконтактов наносят слой позитивного обращаемого фоторезиста, который после экспонирования через фотошаблон с рисунком микроконтактов подвергается специальной термической обработке (обращение изображения) с последующим сплошным экспонированием и проявлением; на полученную фоторезистивную маску с отрицательным профилем напыляют слой индия; затем растворяют слой фоторезиста с одновременным отслаиванием слоя индия в зазорах между микроконтактами (процесс «взрыва»), оставляя последний на металлических площадках.
Изобретение относится к наноструктурам с высокими термоэлектрическими свойствами. Предложена одномерная (1D) или двумерная (2D) наноструктура, являющаяся нанопроволокой из кремния, полученной методом безэлектролизного травления или выращенной методом VLS (пар-жидкость-кристалл).
Способ изготовления индиевых столбиков // 2468469
Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией. .
Способ изготовления индиевых столбиков // 2419178
Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией для микросборок интегральных схем и фотодиодных матриц. .
Способ изготовления индиевых столбиков // 2371808
Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков для микросборок интегральных схем или ИК-фотодиодных матриц методом перевернутого кристалла. .
Изобретение относится к микроэлектронике , в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с многоуровневой металлизацией. .
