Из газа или пара, например конденсацией (H01L21/443)

H Электричество(232322)

H01 Основные элементы электрического оборудования(70435)

H01L21/443 Из газа или пара, например конденсацией(3)

Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп // 2151457

Изобретение относится к области технической физики. .

// 409631

Способ изготовления полупроводниковых диодов с барьером шоттки // 306650

.

Наверх