Обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в H01L21/36-H01L21/428 (H01L21/46)
H Электричество(232322)
H01L21/46 Обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в H01L21/36-H01L21/428 (изготовление электродов на них H01L21/44)(52)
Формирование рисунка стека // 2775057
Изобретение относится к способу формирования стека слоев, образующего собой электрическую схему и содержащего ряд уровней неорганических межсоединений. Технический результат - снижение степени разрушения рисунка нижнего слоя межсоединений при травлении слоев вышележащего уровня межсоединений кислотным травителем после этапа нанесения нижележащего диэлектрического слоя за счет применения в качестве диэлектрического слоя несшитого органического полимерного материала.
Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию // 2724291
Изобретение относится к подготовке поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкопленочную металлизацию. Техническим результатом изобретения является качественное формирование на подложках из керамики на основе нитрида алюминия систем металлизации, резисторов и т.п.
Изобретение может быть использовано в электронной технике и радиопромышленности, в частности, при производстве мощных СВЧ приборов и модулей силовой электроники. Техническим результатом изобретения является качественная очистка поверхности подложек из алюмонитридной керамики, с отверстиями, сформированными лазерной резкой.
Селективный травитель для титаната бария // 2674118
Изобретение относится к составам для жидкостного травления сегнетоэлектрических пленок, в частности пленки титаната бария, над пленкой платины на кремниевой подложке. Селективный травитель сегнетоэлектрика титаната бария включает фтористоводородную кислоту (10-50 об.%), серную кислоту (25-50 об.%), соляную кислоту (10-35 об.%), фторсодержащие ПАВ (0,01-0,5 об.%), деионизованную воду (остальное).
Изобретение относится к композиции химического механического полирования для обработки наружной сапфировой поверхности и способу полирования сапфировой подложки. Предлагается способ полирования наружной сапфировой подложки с использованием полирующей суспензии, содержащей в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности и где коллоидный диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм.
Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (СМР) и ее применению при полировании подложек полупроводниковой промышленности. Композиция содержит частицы оксида церия, белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы, и водную среду.
Использование: для получения структур (деталей) аксиальной конфигурации. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает использование нескольких полупроводниковых подложек, на всех поверхностях которых создают электропроводящий слой, собирают подложки в виде пакета, а электрический разряд инициируют в режиме образования расплава, перед инициированием разряда в пакете формируют по крайней мере одно сквозное отверстие, обладающее заданной формой, геометрическими размерами и аксиальной симметрией и ось которого ориентирована строго параллельно профилирующему электроду, а последующее инициирование электрического разряда в режиме образования расплава осуществляют в условиях перемещения профилирующего электрода вокруг отверстия по заданной траектории, повторяющей его контур.
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что маска из диэлектрика или металла изготавливается до роста алмазной пленки на подложке с ровной поверхностью, обеспечивающей субмикронные размеры маски, с последующим формированием на маске алмазной пленки и вскрытием окна со стороны подложки, что обеспечивает доступ со стороны подложки реагентов для травления алмазной пленки через маску.
Способ получения монокристаллического sic // 2454491
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. .
Изобретение относится к области очистки сапфировых подложек для гетероэпитаксии нитридов III группы, которые в дальнейшем применяются для изготовления различных оптоэлектронных элементов и устройств. .
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии, и может использоваться для анализа микроструктуры керамики: выявления границ зерен, анализа распределения зерен по размерам.
Полировальный состав для полупроводников типа а2ivi и способ полирования полупроводников типа а2ivi // 2170991
Изобретение относится к материаловедению полупроводников. .
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, преимущественно к технологии обработки теллурида кадмия и ртути, и может быть использовано в полупроводниковой технике. .
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе CdHgTe, в частности к улучшению параметров приборов, их однородности по пластине и стабильности во времени и может найти применение для создания матриц, например, n-p-переходов или других полупроводниковых приборов.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при изготовлении фотоприемников ИК-диапазона на основе твердых растворов.
Способ снятия пластмассовых покрытий // 2010393
Изобретение относится к твердотельной электронике и может быть использовано для предэпитаксиальной обработки подложек из дифторида бария BaF2 при изготовлении фотоприемных устройств. .
Способ локального травления подложек из твердых растворов теллурида свинца-теллурида олова // 1814451
Изобретение относится к области оптоэлектроники, может быть использовано в технологии изготовления лазеров и фотоприемных устройств ИК-диапазона. .
Изобретение относится к разрезанию неметаллических, преимущественно полупроводниковых и диэлектрических, материалов на тонкие пластины, используемые в качестве подложек интегральных схем. .
Способ изготовления дифракционной решетки // 1629930
Состав для полирования силленитов // 1565298
Способ изготовления диодных матриц // 1277842
Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов и может быть использовано при изготовлении сфер небольшого диаметра из монокристаллических феррогранатов. .
Селективный травитель для дийодида ртути // 928946
Полирующий травитель для иодида ртути // 816331
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии полупроводниковых приборов, в частности к защитным теплостойким покрытиям и может быть использовано в полупроводниковых термопечатающих приборах.
Травитель // 570936
Травитель // 568986
Полирующий состав // 561233
Анизотропный травитель // 557434
Травитель // 546043
Травитель для пленок окислов сурьмы // 441615
Травитель для пленок окиси железа // 427427
