Для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой (H01L21/461)
H Электричество(232322)
H01L21/461 Для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой(11)
Селективный травитель для титаната бария // 2674118
Изобретение относится к составам для жидкостного травления сегнетоэлектрических пленок, в частности пленки титаната бария, над пленкой платины на кремниевой подложке. Селективный травитель сегнетоэлектрика титаната бария включает фтористоводородную кислоту (10-50 об.%), серную кислоту (25-50 об.%), соляную кислоту (10-35 об.%), фторсодержащие ПАВ (0,01-0,5 об.%), деионизованную воду (остальное).
Изобретение относится к композиции химического механического полирования для обработки наружной сапфировой поверхности и способу полирования сапфировой подложки. Предлагается способ полирования наружной сапфировой подложки с использованием полирующей суспензии, содержащей в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности и где коллоидный диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм.
Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (СМР) и ее применению при полировании подложек полупроводниковой промышленности. Композиция содержит частицы оксида церия, белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы, и водную среду.
Использование: для получения структур (деталей) аксиальной конфигурации. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает использование нескольких полупроводниковых подложек, на всех поверхностях которых создают электропроводящий слой, собирают подложки в виде пакета, а электрический разряд инициируют в режиме образования расплава, перед инициированием разряда в пакете формируют по крайней мере одно сквозное отверстие, обладающее заданной формой, геометрическими размерами и аксиальной симметрией и ось которого ориентирована строго параллельно профилирующему электроду, а последующее инициирование электрического разряда в режиме образования расплава осуществляют в условиях перемещения профилирующего электрода вокруг отверстия по заданной траектории, повторяющей его контур.
Способ получения монокристаллического sic // 2454491
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. .
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии, и может использоваться для анализа микроструктуры керамики: выявления границ зерен, анализа распределения зерен по размерам.
Изобретение относится к разрезанию неметаллических, преимущественно полупроводниковых и диэлектрических, материалов на тонкие пластины, используемые в качестве подложек интегральных схем. .
Полирующий травитель для иодида ртути // 816331
Травитель // 570936
Травитель // 568986
Травитель // 546043
