С использованием масок (H01L21/467)

H01L21/467              С использованием масок(3)

Формирование маски для травления алмазных пленок // 2557360
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что маска из диэлектрика или металла изготавливается до роста алмазной пленки на подложке с ровной поверхностью, обеспечивающей субмикронные размеры маски, с последующим формированием на маске алмазной пленки и вскрытием окна со стороны подложки, что обеспечивает доступ со стороны подложки реагентов для травления алмазной пленки через маску.

Способ локального травления подложек из твердых растворов теллурида свинца-теллурида олова // 1814451
Изобретение относится к области оптоэлектроники, может быть использовано в технологии изготовления лазеров и фотоприемных устройств ИК-диапазона. .
 
.
Наверх