Из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L21/47)

H01 Основные элементы электрического оборудования(70435)

H01L21/47 Из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L21/475,H01L21/4757 имеют преимущество)(39)

Изобретение относится к способу формирования стека слоев, образующего собой электрическую схему и содержащего ряд уровней неорганических межсоединений. Технический результат - снижение степени разрушения рисунка нижнего слоя межсоединений при травлении слоев вышележащего уровня межсоединений кислотным травителем после этапа нанесения нижележащего диэлектрического слоя за счет применения в качестве диэлектрического слоя несшитого органического полимерного материала.

Способ получения пористого слоя оксида алюминия на изолирующей подложке // 2489768

Изобретение относится к области получения структур, используемых, например, для изготовления полевых транзисторов и элементов памяти, необходимых для применения в микроэлектронике, системотехнике. .

Способ термической обработки монокристаллической подложки znte и монокристаллическая подложка znte // 2411311

Способ изготовления подложки для толстопленочной втсп-схемы // 2262152

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы. .

Способ и устройство для термической обработки полупроводниковых соединений ii-vi и полупроводники, подвергшиеся термической обработке с помощью этого способа // 2238603

Способ пассивации поверхности теллурида кадмия-ртути // 2156519

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при разработке фотоприемников ИК диапазона на основе твердых растворов CdxHg1-xTe.

Электромагнит для создания структурированного магнитного поля, устройство для отжига кристаллов берилла и способ его работы // 2145453

Изобретение относится к термообработке кристаллов и может быть использовано в ювелирной промышленности. .

Способ изготовления n - p-переходов в монокристаллах cdx hg1-xte // 2062527

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении n p-переходов для производства фотоприемников (ФП) инфракрасного (ИК) излучения. .

Способ создания варизонных структур на основе твердых растворов &&& // 2022402

Способ формирования проводящих участков на подложке арсенида галлия // 1742903

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при отжиге имплантированного арсенида галлия. .

Устройство для нанесения мономолекулярных пленок на подложку // 1679915

Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса a3b5 и устройство для его осуществления // 1304673

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и позволяет улучшить электрофизические параметры обрабатываемых структур, их воспроизводимость, а также повысить технологичность способа за счет того, что термообработку полупроводниковых соединений А3 B5 проводят в проточной неокислящей атмосфере до 450-550o в открытом контейнере, а дальнейшую термообработку - в герметичном контейнере в присутствии равновесных паров летучего компонента В5.

Способ отжига ионно-легированных полупроводников // 1028202