Из неорганических веществ (H01L21/471)

H01L21/471              Из неорганических веществ (H01L21/475, H01L21/4757 имеют преимущество)(4)

Способ пассивации поверхности теллурида кадмия-ртути // 2156519
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при разработке фотоприемников ИК диапазона на основе твердых растворов CdxHg1-xTe.

 // 341116

 // 336898
 
.
Наверх