Монтаж полупроводниковой подложки в корпусе (H01L21/52)

H01L21/52              Монтаж полупроводниковой подложки в корпусе(22)

Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность // 2714538
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов, интегральных и гибридных микросхем. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность включает нанесение на обратную сторону полупроводниковых кристаллов контактного слоя и последующую контактно-реактивную пайку полупроводниковых кристаллов на покрытую золотом поверхность корпуса на эвтектический сплав.

Способ монтажа полупроводниковых элементов // 2703932
Изобретение относится к области электроники и может применяться при монтаже электрических схем, содержащих полупроводниковые элементы, требующие эффективного охлаждения. Техническим результатом изобретения является повышение удобства сборки схем с высокой плотностью заполнения элементами при сохранении высокой эффективности охлаждения полупроводниковых элементов.

Способ монтажа кремниевых кристаллов на покрытую золотом поверхность // 2570226
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем.

Способ сушки покрытия из серебросодержащей пасты // 2564518
Изобретение относится к способу сушки покрытия из серебросодержащей пасты, используемой для получения неразъемного соединения при изготовлении силовых полупроводниковых приборов по технологии КНМ «кремний на молибдене».
Термостойкие адгезивы для соединения кристаллов и металлов с полиимидным основанием // 2534122
Изобретение относится к термостойким адгезивам для соединения кристаллов и металлов с полиимидным основанием. Адгезивы (составы) содержат в качестве полимерного связующего новый преполимер - поли(о-гидроксиамид) - продукт реакции поликонденсации 3,3′-дигидрокси-4,4′-диаминодифенилметана и 1,3-бис-(аминопропил)-тетраметилдисилоксана с изофталоилхлоридом.

Способ корпусирования электронных компонентов // 2503086
Изобретение относится к области производства изделий электроники и электротехники. Решается задача корпусирования электронных компонентов без применения опрессовки и дорогостоящей оснастки, что особенно важно при индивидуальном производстве единичных изделий электронной техники.

Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса // 2480860
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий, имеющих большую площадь кристаллов. .

Способ пайки кристаллов на основе карбида кремния // 2460168
Изобретение относится к технологии приборов силовой электроники на основе карбида кремния. .

Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу // 2379785
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. .
Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу с образованием эвтектики al-zn // 2375786
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. .
Способ получения контактных соединений диодных лазеров и линеек // 2364985
Изобретение относится к квантовой электронике, полупроводниковой и оптоэлектронной технологии, в частности технологии изготовления когерентных излучателей для систем накачки мощных твердотельных лазеров, создания медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования и других целей.
Способ монтажа кремниевых кристаллов на покрытую золотом поверхность // 2347297
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем.

Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса // 2336594
Изобретение относится к области изготовления БИС и СБИС, имеющих большую площадь кристаллов, путем бесфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формир-газе и др. .

Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу // 2313156
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. .
Способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу // 2278444
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец.
Способ монтажа полупроводниковых кристаллов больших размеров в корпуса // 2212730
Изобретение относится к области изготовления мощных полупроводниковых приборов и БИС путем безфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формиргазе и др. .

Способ сборки полупроводниковых приборов // 2171520
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки на воздухе без применения защитных сред. .
 
.
Наверх