Присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора (H01L21/60)
H Электричество(232322)
H01L21/60 Присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора(51)
Изобретение относится к области производства электроники последнего поколения, а именно к способам соединения МОП-компонентной базы на основе кристаллов типа А3В5 с помощью реакционных многослойных фольг.
Изобретение относится к многоуровневым полупроводниковым приборам. Полупроводниковый узел содержит первый блок кристалла и второй блок кристалла.
Изобретение относится к технологии многоуровневых полупроводниковых устройств. Способ изготовления многослойного полупроводникового устройства включает формирование кромок на первом и втором кристаллах, формирование слоев перераспределения, проходящих по меньшей мере по одному из соответствующих первого и второго кристаллов и соответствующим кромкам, укладывание второго кристалла поверх первого кристалла, просверливание одного или более переходных отверстий через кромки после укладки, которые взаимодействуют с первым и вторым кристаллами через кромки.
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при изготовлении печатных плат, применяемых при конструировании радиоэлектронной техники. Технический результат - повышение степени интеграции и снижение массогабаритных показателей ИМС.
Использование: для изготовления многоуровневой системы межсоединений кремниевой интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов, включающий формирование частиц нанометрового размера на поверхности, выращивание наноматериала на указанных частицах нанометрового размера, осаждение на подложку проводящего материала, формирование композитного материала из наноматериала и проводящего материала, формирование изолированных друг от друга межсоединений, перед формированием частиц нанометрового размера производится нанесение слоя сплава, который содержит компонент для формирования частиц нанометрового размера, представляющий собой элемент или комбинацию элементов из I и/или VIII группы, и компонент для формирования диффузионно-барьерного слоя, представляющий собой переходный металл или комбинацию переходных металлов из IV-VI групп Периодической таблицы элементов, и термическое воздействие на него.
Использование: для изготовления многоуровневой системы межсоединений кремниевой интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что формируют в изолирующем слое кремниевой структуры, в которой выполнены полупроводниковые приборы, углубления под будущие проводники-межсоединения, формируют частицы нанометрового размера, выращивают наноматериал на указанных частицах нанометрового размера, заполняют оставшееся пространства углублений проводящим материалом, формируют композитный материал из наноматериала и проводящего материала, планаризируют поверхности кремниевой структуры, сохраняя нанесенные материалы в углублениях, перед формированием частиц нанометрового размера производится нанесение на дно и стенки углублений слоя сплава, который содержит компонент для формирования частиц нанометрового размера, представляющий собой элемент или комбинацию элементов из I и/или VIII группы, и компонент для формирования диффузионно-барьерного слоя, представляющий собой переходный металл или комбинацию переходных металлов из IV-VI групп Периодической таблицы элементов, и термическое воздействие на него.
Изобретение относится к технологии присоединения элемента интегральной схемы (чип) к поверхности, которая содержит проводящие рисунки. Технический результат - создание способа и устройства для быстрого, плавного и надежного подключения чипа к печатной проводящей поверхности за счет точечного характера передачи тепла и приложения давления к поверхности в точках контакта.
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для преобразования матрично расположенных шариковых выводов микросхем из бессвинцового припоя в оловянно-свинцовые околоэвтектического состава при дальнейшем поверхностном монтаже электрорадиоэлементов и интегральных схем на печатные платы и формирования надежных и качественных паяных соединений, предназначенных для работы в жестких условиях эксплуатации.
Изобретение относится к области разработки новых элементов и устройств сверхпроводниковой электроники и создания на их основе сверхчувствительных приемных устройств с высоким спектральным разрешением и может быть использовано при создании бортовых и наземных систем, предназначенных для радиоастрономии и мониторинга атмосферы Земли, а также медицинских исследований и систем безопасности.
Проводящие пасты // 2509789
Изобретение относится к проводящим пастам для формирования металлических контактов на поверхности субстратов для фотогальванических элементов. Проводящая паста по существу свободна от стеклянной фритты.
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Изобретение относится к полупроводниковым кристаллам и монтажным структурам таких кристаллов. .
Изобретение относится к области производства электронных компонентов. .
Способ изготовления выводных рамок // 2183366
Многослойная коммутационная плата (варианты) // 2133081
Изобретение относится к разработке и производству аппаратуры на основе изделий микроэлектроники и полупроводниковых приборов и может быть широко использовано в производстве многослойных печатных плат, а также коммутационных структур для многокристальных модулей.
Изобретение относится к технологии сборки полупроводниковых приоров, а точнее к способам присоединения токоведущих элементов к полупроводниковому приору, и может использоваться для монтажа интегральной схемы (ИС) с многоэлементным фотоприемником (ФП).
Устройство для перемещения сварочной головки // 2068600
Изобретение относится к производству электронных приборов, в частности к оборудованию для присоединения проволочных выводов к интегральным схемам (ИС). .
Мощный полупроводниковый прибор // 1749952
Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора // 1738039
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве ППП и ИС для присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю преимущественно путем пайки на эвтектику AlGe, Al-Ge-Au.
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. .
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при сборке полупроводниковых приборов Цель изобретения - повышение выхода годных Способ заключается в том, что кремниевую подложку с нанесенной алюминиевой пленкой толщиной 80-100 нм разогревают до 320°С.
Носитель для монтажа интегральной схемы // 1674294
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструированию носителей для монтажа интегральных схем. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к производству СВЧ арсенидгаллиевых и кремниевых транзисторов, и может быть использовано в производстве ГИС, МИС и изделий оптоэлектроники.
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к монтажу полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке гибридной схемы. .
Изобретение относится к приборостроению ,в частности, к оборудованию для монтажа выводов мощных транзисторов. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии сборочного производства, и может быть использовано в производстве полупроводниковых диодов, транзисторов и гибридных интеральных схем.
Способ монтажа выводов бис // 1457738
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для монтэжа проволочных выводов БИС при сборке кристаллов в корпусе. .
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для сборки и пайки выводных гребенок и крьшек к корпусам интегральных микросхем (ИМС). .
Н. в. в. н. // 165835
