Изготовление или обработка неполупроводниковых приборов на твердом теле, кроме приборов, предусмотренных в группах H01L31-H01L49 (H01L21/64)
H Электричество(232322)
H01L21/64 Изготовление или обработка неполупроводниковых приборов на твердом теле, кроме приборов, предусмотренных в группах H01L31-H01L49(5)
Изобретение относится к способам разделения на отдельные микросхемы мультиплицированных подложек (МП) и может применяться при изготовлении сборок микроэлектронной аппаратуры. Технический результат - обеспечение снижения трудоемкости процесса разделения МП за счет исключения необходимости изготовления оснастки для фиксации МП при производстве малой партии микроэлектронных изделий или опытных образцов.
Изобретение относится к способам разделения на отдельные микросхемы мультиплицированных подложек (МП) и может применяться при изготовлении сборок микроэлектронной аппаратуры. Технический результат - обеспечение снижения трудоемкости процесса разделения МП за счет исключения необходимости изготовления оснастки для фиксации МП при производстве малой партии микроэлектронных изделий или опытных образцов.
Использование: для определения ширины запрещенной зоны наноразмерных полупроводниковых и диэлектрических пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения оптической ширины запрещенной зоны наноразмерных пленок включает определение спектров эллипсометрического параметра ψ подложки с наноразмерной пленкой, нанесенной вакуумным напылением на подложку из неорганического материала, и подложки без пленки в зависимости от длины волны в видимом и ближнем УФ диапазоне, при этом определяют разность ψч–ψ, где ψч– эллипсометрический параметр подложки, ψ – эллипсометрический параметр подложки с нанесенной пленкой, в диапазоне исследуемого спектра волн излучения, строят график зависимости ((ψч-ψ)hυ)2 от hυ (эВ), где hυ – энергия фотонов, и путем экстраполяции прямой в высокоэнергетической части спектра находят точку пересечения с осью абсцисс.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля технологического процесса поверхностной отделочно-упрочняющей обработки, а также при проведении научных исследований и лабораторных работ в учебном процессе.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов интегральных схем (ИС) и дискретных полупроводниковых приборов. Суть настоящего изобретения состоит в измерении механических напряжений в МЭМС структурах, включающем формирование пленки-покрытия на основе.
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы. .
