Получение скрытых подложек с большим содержанием примесей, например скрытых коллекторных слоев, внутренних соединений (H01L21/74)
H Электричество(232322)
H01L21/74 Получение скрытых подложек с большим содержанием примесей, например скрытых коллекторных слоев, внутренних соединений(1)
Способ изготовления структур кремниевых интегральных схем с диэлектрической изоляцией компонентов // 1222149
Изобретение относится к производству полупроводниковых микросхем, в частности к изготовлению структур высоковольтных кремниевых интегральных схем с диэлектрической изоляцией компонентов. .
