Поликристаллических полупроводниковых областей (H01L21/763)
H Электричество(232322)
H01L21/763 Поликристаллических полупроводниковых областей(1)
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способу производства МОП транзисторов с окисной изоляцией. .
