С последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (H01L21/78)
H Электричество(232322)
H01L21/78 С последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов, H01L21/304)(52)
Изобретение относится к оптоэлектронике, нано- и микроэлектронике и может быть использовано для создания тепловизора с оптическим выходом на кристалле монолитного инфракрасного (ИК) или терагерцевого (ТГц) фотоприемника (ФП), в том числе мультиспектрального.
Изобретение относится к способам разделения на отдельные микросхемы мультиплицированных подложек (МП) и может применяться при изготовлении сборок микроэлектронной аппаратуры. Технический результат - обеспечение снижения трудоемкости процесса разделения МП за счет исключения необходимости изготовления оснастки для фиксации МП при производстве малой партии микроэлектронных изделий или опытных образцов.
Изобретение относится к способам разделения на отдельные микросхемы мультиплицированных подложек (МП) и может применяться при изготовлении сборок микроэлектронной аппаратуры. Технический результат - обеспечение снижения трудоемкости процесса разделения МП за счет исключения необходимости изготовления оснастки для фиксации МП при производстве малой партии микроэлектронных изделий или опытных образцов.
Изобретение относится к электронной технике, а конкретно к способам разделения пластины, содержащей множество кристаллов, на отдельные микросхемы в условиях мелкосерийного и опытного производства. Способ разделения пластины, содержащей множество кристаллов, герметизированных слоем компаунда, на отдельные микросхемы, включает фиксацию пластины в вакуумном держателе и ее разделение на отдельные микросхемы, причем перед разделением пластины на отдельные микросхемы осуществляют ее ламинирование со стороны слоя компаунда, а разделение пластины на отдельные микросхемы выполняют таким образом, чтобы ламинирующий материал сохранил свою целостность.
Изобретение относится к способу лазерного расслаивания полупроводниковой пластины. Способ включает следующие этапы: фокусировку лазера внутри полупроводниковой пластины (10) для формирования множества точек (19) разрыва, при этом множество точек (19) разрыва располагается на разделяющей поверхности (20); и приложение при температуре не ниже 0 К сил с противоположными направлениями к противоположным сторонам полупроводниковой пластины (10), вследствие чего полупроводниковая пластина делится (10) на две части вдоль разделяющей поверхности (20).
Изобретение относится к способу лазерного скрайбирования полупроводниковой заготовки и может использоваться для эффективного и быстрого разделения полупроводниковых устройств, выполненных на твердых и сплошных подложках (6).
Изобретение относится к области конструирования и производства силовых полупроводниковых приборов и, преимущественно, кремниевых ограничителей напряжения. Техническим результатом изобретения является создание способа изготовления кристаллов силовых полупроводниковых приборов с плоским р-п-переходом, исключающего использование драгоценных и токсичных металлов, а также осаждение атомов металлов омических контактов на р-п-переход при травлении нарушенного слоя кремния с боковой поверхности кристалла, образовавшегося после разделения кремниевых пластин с р-п-структурами на кристаллы, т.е.
Изобретение относится к устройствам для химического жидкостного разделения полупроводниковых пластин на кристаллы без использования механических устройств и электроэнергии. Устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы содержит рабочую емкость, перфорированные элементы и съемный набор масок, в котором расположение пазов совпадает с расположением областей разделения на кристаллы, перфорированные элементы - основание и крышка, крышка посажена на основание, а диаметр отверстия перфорации и расстояние от нижней плоскости крышки до верхней плоскости полупроводниковой пластины либо верхней плоскости съемных масок не превышает минимальный размер грани кристалла.
Изобретение относится к области изготовления силовых полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения полупроводниковых пластин на круглые кристаллы. Способ включает формирование фаски алмазным лезвийным инструментом и вырезку кристаллов из пластины, которые выполняют одним инструментом.
Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии.
Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов.
Использование: для создания сквозных микро- и субмикронных каналов в кристалле кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания сквозных микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния с помощью лазерных импульсов заключается в прошивке отверстия в кристалле кремния лазерным методом за счет наведения фокального пятна на поверхность кристалла и многоступенчатом перемещении этого пятна в направлении к входной поверхности кристалла, при этом для получения микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния используют инфракрасный фемтосекундный хром-форстерит лазер, а многоступенчатое перемещение фокального пятна в направлении к входной поверхности кристалла проводят с длиной волны излучения 1240 нм, при которой длина пробега фотона в структуре кремния равна 1 см, а энергия кванта меньше ширины запрещенной зоны.
Способ изготовления высокочувствительных многоэлементных твердотельных преобразователей изображения // 2559302
Изобретение относится к способам изготовления структур высокочувствительных многоэлементных твердотельных преобразователей изображения - многоэлементных фотоприемников. Технический результат заключается в разработке надежного процесса вскрытия контактных окон при котором минимизируется вероятность замыкания металлических электродов контактных площадок с кремниевой подложкой и снижаются требования к допустимому значению поверхностного сопротивления подзатворного диэлектрика, благодаря чему обеспечивается существенное повышение выхода годных фотоприемников.
Группа изобретений касается структурного блока, имеющего в качестве линии инициирования разлома лазерный трек, который состоит из углублений, полученных от лазерного луча, для подготовки последующего разделения этого структурного блока на отдельные конструктивные элементы.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве электронных приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора в полупроводниковой пластине прошивают переходные сквозные отверстия, поверхности отверстий, образовавшиеся сколы, лицевую и обратную поверхности полупроводниковой пластины селективно покрывают изоляционным слоем, поверх изоляционного слоя наносят металлические проводники, необходимые для проведения электротермотренировки и полного контроля всех кристаллов, после электротермотренировки и полного контроля пластину разрезают на кристаллы, годные из которых используют для корпусирования.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и предназначено для сборки мозаичных фотоприемных модулей. В способе формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей наносят защитное покрытие на планарную сторону приборной пластины, после чего, используя лазер, производят скрайбирование и осуществляют раскалывание приборной пластины.
Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587
Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти.
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении мощных СВЧ-транзисторов с использованием гетероструктур на основе нитридов III группы.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений. .
Прибор для поверхностного монтажа // 2316846
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве электронных приборов и интегральных схем. .
Способ изготовления микросхем // 2244364
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве микросхем. .
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации.
Интегральная схема и способ ее изготовления // 2117418
Способ изготовления датчиков давления // 2075137
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давления. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин.
Изобретение относится к электроадгезионным захватам и предназначено для фиксации пластин и подложек из электропроводящих и диэлектрических материалов при обработке, ориентированном разделении на отдельные кристаллы, подготовке к операциям сборки и монтажа.
Изобретение относится к электроадгезионным захватам и предназначено для фиксации пластин и подложек из электропроводящих и диэлектрических материалов при обработке, ориентированном разделении на отдельные кристаллы, подготовке к операциям сборки и монтажа.
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов, в частности, к разделению полупроводниковых (п/п) пластин на отдельные кристаллы. .
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, в частности к изготовлению полупроводниковых структур, и может быть использовано в электронной, электротехнической и других областях техники при изготовлении полупроводниковых микросхем.
Изобретение относится к производству электронной техники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных схем. .
Способ изготовления контактов к кремнию // 1661875
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления интегральных элементов микроэлектронных устройств. .
Изобретение относится к области электроники. .
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при конструировании и изготовлении полупроводниковых чувствительных элементов датчиков и микроприборов. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при промышленном изготовлении полупроводниковых структур, в частности интегральных схем. .
Устройство фиксации разрезаемой пластины // 1121723
Способ изготовления меза-структур // 1050476
