На подложке из полупроводникового материала (H01L21/784)

H01L21/784              На подложке из полупроводникового материала(3)

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587
Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти.

Способ обработки структур "кремний на сапфире" // 2185685
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации.

Способ получения тонких монокристаллических полупроводниковых слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале // 2071145
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в новом технологическом процессе: изготовлении структур кремний на изоляторе или кремний на арсениде галлия (через окисел) путем прямого соединения полупроводниковых пластин.
 
.
Наверх