На подложках из материалов иных, чем полупроводниковые, например изолирующих (H01L21/786)
H Электричество(232322)
H01L21/786 На подложках из материалов иных, чем полупроводниковые, например изолирующих(1)
Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии.
