Технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах (H01L21/8222)
H Электричество(232322)
H01L21/8222 Технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах(6)
Использование: для применения в 3D-принтере. Сущность изобретения заключается в том, что материал содержит множество металлических микрочастиц, имеющих среднюю поперечную длину, от примерно 1 мкм до 250 мкм, при этом металлические микрочастицы содержат: множество металлических наночастиц, имеющих среднюю поперечную длину, меньшую или равную примерно 50 нм, и стабилизирующий материал на внешних поверхностях указанных наночастиц, при этом стабилизирующий материал содержит органический амин, карбоновую кислоту, тиол и его производные, ксантогеновую кислоту, полиэтиленгликоли, поливинилпиридин, поливинилпирролидон или их комбинацию.
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем // 2244985
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС) с использованием комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP с носителями разного типа проводимости.
Способ изготовления интегральной схемы // 594838
