Структуры памяти (H01L21/8229)

H01 Основные элементы электрического оборудования(70435)

H01L21/8229 Структуры памяти(4)

Способ обратимого энергозависимого переключения резистивного состояния твердотельного прибора на базе структуры металл-диэлектрик-металл // 2787740

Изобретение относится к способам применения электрических приборов и нанокомпозитным материалам на основе диэлектриков и металлов для оптоэлектроники, мемристорной электроники, оптическим компьютерам (в т.ч.

Встраиваемая с сбис технологии кмоп/кни память "mram" и способ ее изготовления (варианты) // 2532589

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к схемам матриц ячеек памяти «MRAM», использующей технологию магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращения. Техническим результатом изобретения является интеграция технологии формирования матрицы памяти «MRAM» с улучшенным магнитным гистерезисом магнитных элементов в структуру СБИС технологии «комплементарный-металл-оксид-полупроводник/кремний-на-изоляторе» (КМОП/КНИ).

Способ формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода и его структура // 2522714

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для формирования постоянных запоминающих устройств, а также в качестве датчиков магнитного поля. Технический результат изобретения - создание магниторезистивного элемента памяти, состоящего из двух ферромагнитных пленок, разделенных туннельно-прозрачным диэлектрическим барьером с возможностью интеграции в БИС планарной технологии КМОП/КНД, исследование возможности изменения электросопротивления элемента «MTJ» с достаточным уровнем изменения магниторезистивного сопротивления для промышленной реализации путем перемагничивания одного из ферромагнитных слоев внешним магнитным полем.

Способ формирования структуры магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл и структура магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл (варианты) // 2394304

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. .

Способ формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа и структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа (варианты) // 2367057

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. .