Технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах (H01L21/8232)

H01L21/8232              Технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах(8)

Выравнивающий слой // 2679270
Предложено электрическое и/или оптическое устройство, содержащее непланаризованную пластиковую подложку, сформированный на данной подложке электрически и/или оптически функциональный слой, выравнивающий слой, сформированный поверх функционального слоя, и по меньшей мере первый проводящий слой и полупроводниковый слой, сформированные поверх выравнивающего слоя.

Устройство формирования изображения, система формирования изображения и способ изготовления устройства формирования изображения // 2638108
Изобретение относится к устройству формирования изображения, системе формирования изображения и способу изготовления устройства формирования изображения. Изобретение позволяет уменьшить изменение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Способ изготовления конструктивных поликристаллических кремниевых элементов интегральных схем // 2321920
Изобретение относится к микроэлектронике, используется для изготовления поликристаллических кремниевых затворов полевых транзисторов и межсоединений компонентов в больших интегральных схемах, а также в качестве эмиттеров биполярных транзисторов, резисторов и в качестве материала фотоприемников.

Способ изготовления моп бис с прецизионными поликремниевыми резисторами // 2095886
Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно, к технологическим процессам изготовления МОП БИС с прецизионными поликремниевыми резисторами, и может быть использовано в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах (ИС, БИС).

Способ изготовления моп-интегральных схем с поликремниевыми резисторами // 1575849
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МОП-интегральных схем с поликремниевыми прецезионными резисторами. .

Способ изготовления структур мдп-интегральных схем // 1487759
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МДП-ин тегральнык,схем. .

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1473633
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к способам изготовления МДП-транзисторов. .

Способ изготовления мдп-транзисторов интегральных микросхем // 1322929
Изобретение относится к микроэлектронике и может бьгть использовано лри создании больших интегральных схем (БИС) и МДП-транзиаорах с поликре««1иевым затвором. .
 
.
Наверх