Технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах (H01L21/8232)
H01L21/8232 Технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах(8)
Предложено электрическое и/или оптическое устройство, содержащее непланаризованную пластиковую подложку, сформированный на данной подложке электрически и/или оптически функциональный слой, выравнивающий слой, сформированный поверх функционального слоя, и по меньшей мере первый проводящий слой и полупроводниковый слой, сформированные поверх выравнивающего слоя.
Изобретение относится к устройству формирования изображения, системе формирования изображения и способу изготовления устройства формирования изображения. Изобретение позволяет уменьшить изменение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Изобретение относится к микроэлектронике, используется для изготовления поликристаллических кремниевых затворов полевых транзисторов и межсоединений компонентов в больших интегральных схемах, а также в качестве эмиттеров биполярных транзисторов, резисторов и в качестве материала фотоприемников.
Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно, к технологическим процессам изготовления МОП БИС с прецизионными поликремниевыми резисторами, и может быть использовано в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах (ИС, БИС).
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МОП-интегральных схем с поликремниевыми прецезионными резисторами. .
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МДП-ин тегральнык,схем. .
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к способам изготовления МДП-транзисторов. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может бьгть использовано лри создании больших интегральных схем (БИС) и МДП-транзиаорах с поликре««1иевым затвором. .