На комплементарных полевых транзисторах, например кмоп-структуры (H01L21/8238)

H01L21/8238              На комплементарных полевых транзисторах, например кмоп-структуры(15)

Способ формирования активных структур для микроэлектронных устройств на кремниевой подложке и микроэлектронное устройство, содержащее сформированные активные структуры // 2764722
Изобретение относится к электронике, в частности к области изготовлений чувствительных элементов микроэлектронных устройств, например диагностических чипов, в которых чувствительные элементы представляют собой активные структуры на основе сплавов благородных металлов.

Способ повышения радиационной стойкости микросхем статических озу на структурах "кремний на сапфире" // 2727332
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойкой электронной компонентной базы. Технический результат - повышение уровней радиационной стойкости микросхем статических ОЗУ, выполненных на структурах «кремний на сапфире» (КНС), к эффектам накопленной дозы и импульсного ионизирующего излучения.

Способ изготовления кмоп-структур // 2665584
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно технологии изготовления КМОП-структур, используемых в преобразовательных и цифровых устройствах. Техническим результатом является формирование единого технологического цикла изготовления элементов управляющей схемы маломощного и мощного высоковольтного силового транзисторов с целью получения интеллектуального силового ключа любой сложности на одном кристалле.

Способ изготовления высокотемпературных кмоп кни интегральных схем // 2643938
Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем на основе кремниевой подложки с использованием скрытого диэлектрика (КНИ), предназначенных для использования в средах с максимальной температурой до 250°С.

Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах // 2474919
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем на основе комплементарных транзисторов со структурой металл - окисел - полупроводник (КМОП ИС). .

Способ изготовления радиационно-стойкой бис // 2434312
Изобретение относится к области микроэлектроники и предназначено для изготовления радиационно-стойких БИС. .

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов (варианты) // 2393586
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов, в частности к способам управления напряжением срабатывания полевого КМОП транзистора. .
Способ увеличения радиационной стойкости элементов кмоп-схем на кни подложке // 2320049
Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение при создании радиационно стойких элементов КМОП-схем на КНИ подложке. .

Способ изготовления мдп ис // 2308119
Изобретение относится к интегральной микроэлектронике. .

Схема усилителя радиоприемника, схема радиочастотного смесителя и содержащий их радиоприемник // 2217862
Изобретение относится к структуре, ориентированной на радиосвязь, в частности, к структуре КМОП-микросхем для цифрового приемопередатчика радиосвязи. .

Способ изготовления полупроводникового элемента с частично проходящей в подложке разводкой, а также изготовленный этим способом полупроводниковый элемент // 2214649
Изобретение относится к области изготовления защищенных интегральных схем, а именно к способу изготовления полупроводникового элемента с проходящей, по меньшей мере, частично в подложке разводкой, а также самому полупроводниковому элементу.

Способ изготовления кмоп ис базовых матричных кристаллов (бмк) // 2124252
Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно к способам изготовления КМОП интегральных схем (ИС) базовых матричных кристаллов (БМК) с самосовмещенным поликремниевым затвором и поликремниевой или полицидной разводкой первого уровня и может быть использовано как в цифровых, так и в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах с низкой себестоимостью изготовления.

Способ изготовления интегральных схем на моп-транзисторах // 2100873
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии. .

Способ изготовления мдп ис // 2099817
Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано при разработке и производстве одноканальных и взаимодополняющих МДП ИС цифрового, линейного и аналогового применения. .

Способ изготовления структур кмоп больших интегральных схем // 1431619
Изобретение относится к мифоэлектронике и может быть использовано при изготовлении КМОП больших интегральных схем. .
 
.
Наверх